立年电子科技

动态

• 发布了产品 2022-07-08 18:17

  MRF136 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MACOM品牌

  

  产品型号：MRF136 晶体管极性:：N-Channel 工作频率:：400 MHz 增益:：16 dB

  752浏览量

• 发布了产品 2022-07-08 10:50

  GTRA360502M-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTRA360502M-V1 峰值:P3dB：36w 典型脉冲：连续波性能 占空比：10%

  251浏览量

• 发布了产品 2022-07-08 10:36

  GTRA263902FC-V2氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTRA263902FC-V2 输出功率为：P3dB = 370 W 典型脉冲：连续波性能 效率：70%

  330浏览量

• 发布了产品 2022-07-08 10:25

  GTRA262802FC-V2氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTRA262802FC-V2 连续波性能：典型的脉冲 脉冲宽度：16 μs 占空比：10%

  261浏览量

• 发布了产品 2022-07-08 10:12

  GTRA260502M-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTRA260502M-V1 连续波性能：典型脉冲 占空比：10% 效率：64%

  246浏览量

• 发布了产品 2022-07-08 09:13

  GTRA214602FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTRA214602FC-V1 P3dB ：170 W 典型值 峰值：350 W 典型值 增益：15 dB

  242浏览量

• 发布了产品 2022-07-04 11:44

  GTRA184602FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTRA184602FC-V1 技术：GaN on SiC HEMT 输出功率：：460 W @ P3dB 效率：：62% @ POUT = 49 dBm

  293浏览量

• 发布了产品 2022-07-04 10:07

  CMPA901A035F-AMP氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)评估板

  

  产品型号：CMPA901A035F-AMP 典型输出功率： 40 W 典型功率增益： 23 dB 典型 PAE： 35%

  450浏览量

• 发布了产品 2022-07-04 10:06

  CMPA901A035F1氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA901A035F1 典型输出功率：40 W 典型功率增益： 23 dB 典型 PAE ：35%

  170浏览量

• 发布了产品 2022-07-04 10:04

  CMPA901A035F氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA901A035F 典型输出功率： 40 W 典型功率增益： 23 dB 典型 PAE ：35%

  374浏览量