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MDD辰达半导体

匠人作 用良芯 高品质 选MDD

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动态

  • 发布了文章 2024-08-29 15:14

    TVS二极管该如何正确的选用

    TVS二极管是一种用于保护敏感电子设备免受瞬态电压冲击(如雷击、静电放电等)损坏的器件。在现代电子设备中,TVS二极管的正确选用是确保电路可靠性和稳定性的关键。1.反向工作电压(ReverseStandoffVoltage,Vrwm)反向工作电压是指TVS二极管在正常工作状态下不导通时所能承受的最大持续电压。这个参数非常关键,因为它决定了TVS二极管在正常工
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  • 发布了文章 2024-08-26 14:34

    整流桥的导电特性

    整流桥由四个二极管按照特定的方式连接组成,能够实现单相交流电的全波整流。在正半周时,两只二极管导通,另两只二极管截止,电流通过负载呈现为正向;在负半周时,导通和截止的二极管交换,电流依然呈现为正向,从而实现全波整流。通过这种方式,整流桥能够将双向交流电转换为单向的脉动直流电。1.正向导通特性整流桥的导电特性首先体现在正向导通时的压降。每个二极管在导通时都会产
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  • 发布了文章 2024-08-22 10:33

    静电二极管的导电特性

    静电二极管是一种专门设计用于防止ESD损害的半导体器件,通过其导电特性在保护电子元件方面发挥重要作用。1.静电二极管的基本原理ESD二极管是一种专门用于保护电路免受静电放电损害的半导体器件。它在电路中通常处于高阻状态,当外界施加的电压超过其击穿电压时,ESD二极管迅速导通,将过量电荷引导至地,从而保护被保护器件免受损坏。ESD二极管的主要特性包括快速响应时间
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  • 发布了文章 2024-08-21 14:36

    强大又全能!这款NMOS频频亮相!

    MOS管,全称为MOSFET,即金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种具有绝缘栅的FET(FieldEffectTransistor),通过电压来决定器件的电导率。它的工作原理主要涉及两个关键步骤:建立导电沟道和控制漏极电流。1、特点说明如MDD90N03D是采用N沟道制作的MOS管,产品具有很强的电性参数的性能,其能承受的最大漏源电压30V,栅源电压±20V
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  • 发布了文章 2024-08-15 10:53

    整流二极管的工作原理

    整流二极管是一种常见的电子元件,广泛应用于电源电路中,其主要功能是将交流电(AC)转换为直流电(DC)。整流二极管的基本工作原理整流二极管是一种具有单向导电性的半导体器件。它由一个PN结构成,其中P区充满了空穴,N区充满了电子。在正常情况下,电流只能从二极管的正极(P区)流向负极(N区),而反向电流非常小,几乎可以忽略不计。这种单向导电性使整流二极管在整流电
  • 发布了文章 2024-08-14 11:01

    开关二极管工作原理

    开关二极管作为一种广泛应用于电子电路中的半导体器件,具有在不同状态下快速切换的能力。其主要功能是实现电路的导通与关断,是数字电路、通信电路和信号处理电路中不可或缺的元件。一、开关二极管的基本结构与特性开关二极管的基本结构与普通二极管相似,都是由一个P-N结构成。二极管的P区富含空穴,而N区则富含电子,P-N结两侧的载流子通过扩散和漂移形成电场,当加正向电压时
  • 发布了文章 2024-08-12 09:51

    高效率二极管如何识别判断

    高效率二极管在在电源管理和电能转换领域,主要特点是具有低正向压降和快速的开关速度,从而提高电路的整体效率。一、高效率二极管的基本特性高效率二极管与普通二极管相比,其主要特点在于正向压降较低和恢复时间较短。低正向压降意味着二极管在导通状态下会有较小的功率损耗,这对于电源转换电路尤为重要。此外,快速的恢复时间有助于减少开关损耗,适用于高频应用。常见的高效率二极管
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  • 发布了文章 2024-08-08 10:41

    稳压二极管整流器件主要参数及影响因素

    稳压二极管是一种广泛应用于电子电路中的器件,具有稳定电压的作用。它的主要参数和影响因素直接决定了其在实际应用中的性能和适用范围。1.稳压电压(Vz)稳压电压是指稳压二极管在规定电流范围内保持的电压值。这个参数是稳压二极管的核心指标,通常由制造商在产品规格书中提供。稳压电压受二极管内在材料和制造工艺的影响。硅材料制造的稳压二极管常见的稳压电压范围在2.4V到2
  • 发布了文章 2024-08-07 10:17

    开关二极管整流器件主要参数及影响因素

    开关二极管在开关电源、逆变器和其他高频应用中。作为整流器件,开关二极管的性能直接影响电路的效率、可靠性和电磁兼容性。主要参数1.正向电压降(ForwardVoltageDrop,VF)正向电压降是指二极管在正向导通时的电压降。它是衡量二极管导通损耗的关键参数之一。较低的正向电压降可以减少导通损耗,提高系统效率。然而,正向电压降与开关速度往往是互相制约的,在设
  • 发布了文章 2024-08-05 17:13

    整流桥参数对封装的影响

    整流桥是将交流电转换为直流电的关键元件之一。其主要参数包括电流、电压、功率损耗、结温、热阻等,这些参数对整流桥的封装选择有直接影响。1.电流和电压电流和电压是整流桥的基本参数,决定了其应用范围。高电流和高电压的应用要求整流桥具备更强的散热能力和更高的耐压能力。因此,选择封装时,需要考虑以下几点:电流容量:封装的引脚和内部连接必须能够承受预期的电流。大电流应用

企业信息

认证信息: MDD辰达半导体

联系人:陈小姐

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公司介绍:      深圳辰达半导体是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。      公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。      公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。      展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。

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