肖特基二极管肖特基（Schottky ）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
肖特基二极管参数：
（1） VF 正向压降Forward Voltage Drop
（2） VFM 最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop
（3） VBR 反向击穿电压Breakdown Voltage
（4） VRMs 能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage
（5） VRRM峰值反复反向电压Peak Repetitive Reverse Voltage
（6） VRsM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage （halfwave，single phase，60 Hz）非反复反向峰值电压（半波，单相，60Hz ）
（7） VRwM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage
（8） Vpc 最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage
（9） Trr 反向恢复时间Reverse Recovery Time
（10） Ip（Av 正向电流Forward Current
（11） IrsM 最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent
（12） IR 反向电流Reverse Current
（13） Ta 环境温度或自由空气温度Ambient Temperature
（14） Tj 工作结温Operating Junction Temperature
（15） TsTG 储存温度Storage Temperature Range
（16） Tc 管子壳温Case Temperature
肖特基二极管特点：
1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与 PN 结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N 外延层（砷材料）、N 型硅基片、N 阴极层及阴极金属等构成。
在 N 型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N 型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。
采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。