2024年3月17日，随着第十五届中国产学研合作创新大会在北京会议中心的隆重开幕，产学研合作再度成为科技创新的焦点。
2024-03-21 10:15:54
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中国上海，2024 年 3 月 19 日——楷登电子（美国 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布与 Arm 公司合作，提供基于芯粒的参考设计和软件开发平台，以加速软件定义汽车（SDV）取得创新。
2024-03-19 11:41:16234 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121来驱动氮化镓半桥电路，采样的全隔离的驱动方案，但是现在上管的驱动电压随输入电压的升高而升高，不知道为啥？是因为驱动芯片的原因吗？上管是将5V的输入电压由B0515隔离芯片转化
2024-01-11 06:43:50
氮化镓不是充电器类型，而是一种化合物。 氮化镓（GaN）是一种重要的半导体材料，具有优异的电学和光学特性。近年来，氮化镓材料在充电器领域得到了广泛的应用和研究。本文将从氮化镓的基本特性、充电器的需求
2024-01-10 10:20:29252 氮化镓（GaN）芯片是一种新型的半导体材料，由氮化镓制成。它具有许多优越的特性，例如高电子迁移率、高耐压、高频特性和低电阻等，这使得它在许多领域有着广泛应用的潜力。以下是几个氮化镓芯片的应用领域
2024-01-10 10:13:19436 氮化镓是一种无机化合物，化学式为GaN，它由镓和氮元素组成。氮化镓具有许多重要的物理和化学性质，使其在科学研究和工业应用领域中具有广泛的应用。 氮化镓是一种具有低能隙的半导体材料，其晶体结构属于
2024-01-10 10:05:09345 氮化镓是一种重要的半导体材料，属于六方晶系晶体。在过去的几十年里，氮化镓作为一种有着广泛应用前景的材料，受到了广泛关注和研究。本文将会详尽地介绍氮化镓的晶体结构、性质以及应用领域。 首先，我们来介绍
2024-01-10 10:03:21941 氮化镓（GaN）MOS管，是一种基于氮化镓材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。由于氮化镓具有优异的电子迁移率、高电子饱和速度和较高的击穿电压能力，使得氮化镓MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15362 氮化镓（GaN）MOS管是一种新型的功率器件，它具有高电压、高开关速度和低导通电阻等优点，逐渐被广泛应用于功率电子领域。为了充分发挥氮化镓MOS管的优势，合理的驱动方法是至关重要的。本文将介绍氮化
2024-01-10 09:29:02412 随着信息技术和通信领域的不断发展，对高性能芯片的需求也越来越大。作为半导体材料中的重要组成部分，氮化镓芯片因其优异的性能在近年来受到了广泛关注。本文将详细介绍氮化镓芯片的基本原理及其应用领域
2024-01-10 09:25:57354 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667 氮化镓技术（GaN技术）是一种基于氮化镓材料的半导体技术，被广泛应用于电子设备、光电子器件、能源、通信和国防等领域。本文将详细介绍氮化镓技术的用途和应用，并从不同领域深入探讨其重要性和优势
2024-01-09 18:06:36293 氮化镓充电宝和普通充电宝是两种不同类型的便携式电池充电设备。它们之间的主要区别在于材料和性能，对比这两种充电宝可以帮助用户选择适合自己需求的产品。 首先，氮化镓充电宝采用的是氮化镓材料作为阳极材料
2024-01-09 17:21:323110 A AWA-0213 有源天线创新者套件产品概述双极化 32 元件毫米波至中频有源天线创新者套件AWA-0213-PAK 是一款完整的毫米波至中频双极化天线设计，适用于毫米波 5G 无线电。该套件
2024-01-02 14:28:36
CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入，能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较，CGHV40180具有更加优异
2024-01-02 12:05:47
氮化镓（GaN）MOS（金属氧化物半导体）管驱动芯片是一种新型的电子器件，它采用氮化镓材料作为通道和底层衬底，具有能够承受高功率、高频率和高温度的特性。GaN MOS管驱动芯片广泛应用于功率电子
2023-12-27 14:43:23529 Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信
2023-12-15 17:43:45
氮化镓功率器和氮化镓合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化镓具有高电子迁移率和稳定性，适用于高温、高压和高功率条件。氮化镓合封芯片是一种高度集成的电力电子器件，将主控MUC、反激控制器、氮化镓驱动器和氮化镓开关管整合到一个...
2023-11-24 16:49:22350 氮化镓激光芯片是一种基于氮化镓材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高温、耐腐蚀等优点，被广泛应用于通信、医疗、工业等领域。下面我们将详细介绍氮化镓激光芯片的用途。 一、通信领域 氮化镓激光芯片
2023-11-24 11:23:151092 倍思氮化镓充电器是一款优秀的充电器，具有高效、快速、安全、环保等优点。下面我们将详细介绍倍思氮化镓充电器的优缺点、使用体验和与其他产品的比较，帮助您更好地了解这款充电器。 一、倍思氮化镓充电器的优点
2023-11-24 11:18:44561 氮化镓是什么材料提取的 氮化镓是一种新型的半导体材料，需要选用高纯度的金属镓和氨气作为原料提取，具有优异的物理和化学性能，广泛应用于电子、通讯、能源等领域。下面我们将详细介绍氮化镓的提取过程
2023-11-24 11:15:20718 随着科技的发展，电子产品已经成为了我们生活中的必需品。而为了保持这些产品的正常运行，需要一种高效、快速、安全的充电方式。氮化镓充电器就是一种基于氮化镓半导体材料的先进充电技术。下面我们将详细介绍氮化
2023-11-24 10:57:461244 
氮化镓激光器芯片能用酒精擦拭吗？ 氮化镓激光器芯片是一种重要的光电子元件，被广泛应用于激光科技、光通信和生物医学等领域。对于氮化镓激光器芯片的清洁维护非常重要，而酒精擦拭是一种常见的清洁方法。本文
2023-11-22 16:27:52380 氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302303 氮化镓充电器可能会对电池造成损害。在本文中，我们将探讨氮化镓充电器是否会伤害电池，并提供如何选择氮化镓充电器的一些建议。 首先，让我们了解一下为什么有人担心氮化镓充电器对电池造成伤害。氮化镓充电器通常具有较高的输
2023-11-21 16:15:271663 近日，兆芯与超云数字技术集团有限公司（简称“超云”）在北京正式签署战略合作协议。双方将 建立长期稳定的业务合作关系， 在技术创新、 产品研发、 方案搭建、 生态建设 等方面加强投入与合作 。此次签约
2023-11-20 18:55:01385 
氮化镓芯片是一种新型的半导体材料，具有高频率、高功率、高温稳定性和低损耗等优点，被广泛应用于电力电子器件、光电子器件和微波器件等领域。随着科技的不断发展，氮化镓芯片的应用前景越来越广阔，例如在新能源
2023-11-10 14:35:09364 氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，由于其独特的性质和广泛的应用，已经成为了微电子和光电子领域的重要材料之一。下面将详细介绍氮化镓的性质和用途。
2023-11-08 15:59:36215 功能和更大灵活性的需求也不断增长。因此，我们的公司决定采用RK3588芯片来开发一款全新的产品，以实现与Jetson Nano引脚的兼容性，同时提供更多性能和功能。
为何选择RK3588：
卓越的性能
2023-11-02 12:30:06
氮化镓芯片的选用要从实际应用出发，结合实际使用场景，选择最合适的氮化镓芯片，以达到最佳的性能和效果。明确应用场景。首先要明确使用的具体场景，如音频、视频、计算还是其他应用场景。不同的场景对氮化镓芯片的性能和特点要求不同，因此在选择氮化镓芯片时，要充分考虑应用的场景。
2023-10-26 17:02:18411 随着科技的不断发展，充电器的种类和性能也在不断升级。最近，氮化镓充电器的出现引起了广泛关注。那么，氮化镓充电器是什么?它又是如何比传统充电器更出色的呢?
2023-10-26 16:17:31307 随着氮化镓充电头的出现，越来越多的人开始关注并选择使用这种新型的充电设备。那么，氮化镓充电头好在哪，为什么这么多人选择呢？
2023-10-26 15:33:55273 随着各大手机和笔记本电脑品牌纷纷进入氮化镓快充市场，氮化镓功率器件的性能得到进一步验证，同时也加速了氮化镓技术在快充市场的普及。目前，快充源市场上氮化镓主要以三种形式使用，即GaN单管功率器件、内置驱动器的GaN功率芯片以及内置控制器、驱动器和GaN功率器件的封装芯片。其中，GaN单管功率器件发展最快
2023-10-23 16:38:59292 随着科学技术的不断进步，充电技术也在发生着前所未有的变革，而随着其中，氮化镓充电头已成为人们关注的新热点。那么，氮化镓充电头的原理是什么呢？KeepTops将为您详细阐述氮化镓充电头的制作、工作原理及应用。
2023-10-20 16:04:061021 
随着科学技术的不断进步，电力电子设备的应用越来越广泛，而氮化镓（GaN）材料在提高能源效率方面发挥着重要作用。本文将讨论氮化镓材料的特性，氮化镓在电力电子设备中的应用，以及氮化镓解决方案如何实现更高的能效。
2023-10-13 16:02:05344 
在当今的高科技社会中，氮化镓（GaN）功率器件已成为电力电子技术领域的明星产品，其具有的高效、高频、高可靠性以及高温工作能力等优势在众多领域得到广泛应用。然而，为了确保氮化镓功率器件的性能和可靠性，制定一套科学、规范的测试方案至关重要。
2023-10-08 15:13:23476 
伙伴，诚迈科技凭借出色的研发能力、创新的场景方案和强大的交付能力荣获华为“创新合作伙伴奖”。 诚迈科技与华为合作长达十余年，双方持续合作推动智能终端产业的创新与发展，并于近年来陆续拓宽合作范畴，在HarmonyOS和OpenHarmony的生态建设方面展开了多
2023-09-23 11:05:321045 400余项，已获得授权专利150余项，公司建立了完整、丰富的芯片和模组产品体系，提供从芯片、模组、终端到芯片级解决方案的全栈式产品服务，为中国集成电路产业高质量发展提供了自主可控的底层技术支持。
创新
2023-09-22 14:46:30
选择氮化镓芯片时，根据应用的需求，确定所需的性能指标，包括功耗、频率、工作温度范围等。不同型号的氮化镓芯片有不同的性能特点，需要根据具体的应用场景选择合适的型号。考虑芯片的可靠性和稳定性，包括寿命
2023-09-20 15:25:13390 
为长生命周期应用延长寿命 美国马萨诸塞州纽伯里波特，2023年9月 罗彻斯特电子和Semtech合作，为客户提供广泛的混合信号解决方案，这些产品不仅包括停产元器件，还有部分当前仍在量产期。罗彻斯特电
2023-09-20 10:27:27441 ，并发表主题为“新算力 新格局 新未来”的精彩演讲。 刘宏兵表示，“AMD通过积极的技术创新，为数据中心从核心高性能计算，智能网络，AI 和边缘计算，提供了一整套高性能，高能效比的产品和解决方案；为合作伙伴的数据中心应用创新提供了更宽广的空间，也为客
2023-09-15 10:09:20374 30多个行业的物联网场景，未来多款GNSS模组将广泛赋能全球物联网市场，助客户终端实现快速稳定、高精度的定位需求。
未来，双方将以核心产品技术持续为相关行业的定位场景提供安全可靠、专业高效的服务。凭借
2023-09-13 09:58:17
氮化镓功率器以氮化镓作为主要材料，具有优异的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得氮化镓功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开关速度等优势，能够在较小体积下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56285 的功率型分立器件针对软开关谐振和硬开关转换器进行了优化，可最大限度提高低功率和高功率应用的系统效率。基于氮化镓的最新产品具备更高的能源效率，并支持面向广泛的应用提供更紧凑的电源设计。
2023-09-07 06:49:47
的功率型分立器件针对软开关谐振和硬开关转换器进行了优化，可最大限度提高低功率和高功率应用的系统效率。基于氮化镓的最新产品具备更高的能源效率，并支持面向广泛的应用提供更紧凑的电源设计。意法半导体的数字电源解决方案可以使用专用的评估板、参考设计、技术文档和eDesignSuite软件配置器和设计工具来实现
2023-09-06 07:44:16
功率器件在工业应用中的解决方案，议程分为：功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料
➢氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 开发的一款无与伦比的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。适用于A类、AB类和线性放大器，能处理多种波形
2023-08-26 15:40:57
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
能为技术驱动型创业者以及致力于科技创新的生态伙伴提供深度产业链接及一站式服务。
我们帮助技术驱动型创新创业团队精准对接技术生态、对接投资、对接产业；用前沿科技和生态为大企业创新赋能；为城市和产业园
2023-08-18 14:37:37
; CP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化镓快充电源IC 产品介绍：NCP1342准谐振反激控制器是一种高度集成的高频PWM(脉宽调制)控制器，旨在
2023-07-11 11:31:20
安森美65W氮化镓PD充电器芯片 产品介绍：NCP1342准谐振反激控制器是一种高度集成的高频PWM(脉宽调制)控制器，旨在简化高性能脱机功率变换器的设计。NCP13
2023-07-05 15:24:23
开发基于物理的模型，从而可用准确地预测到氮化镓产品在通用操作条件下的安全使用寿命，让设计人员可以根据其设计要求，对氮化镓器件进行评估。
“测试器件至失效”的测试报告结果可浏览GaN 可靠性。
误解3
2023-06-25 14:17:47
目前的永磁电机或称为直流无刷电机(BLDC)的应用非常广泛。与其他电机相比，永磁电机可提供每立方英寸更高的扭矩和更优越的动态性能。到目前为止，硅基功率器件在逆变器电子领域中一直占主导地位。可是，它们
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
制作市场提供新的机遇。 作为AR领域的头部厂商，谷东科技拥有领先的AR技术和产品研发能力。通过与莱一德的合作，谷东科技与数字媒体内容制作行业深度合作，共同开发创新的AR应用解决方案。同时，莱一德的内容制作经验和资源
2023-06-23 21:33:26540 氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
INN3365C使用。
贴片Y电容来自四川特锐祥科技股份有限公司，具有体积小、重量轻等特色，非常适合应用于氮化镓快充这类高密度电源产品中。料号为TMY1102M。
特锐祥专注于被动元器件的研发、生产及销售
2023-06-16 14:05:50
电机逆变器功率开关的比较电机逆变器:三相拓扑•IGBT:行业“主力”开关速度慢，损耗低•MOSFET:更快的开关，更好•氮化镓:几乎没有开关损耗
2023-06-16 11:31:56
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
1MHz 以上。新的控制器正在开发中。微控制器和数字信号处理器（DSP），也可以用来实现目前软开关电路拓扑结构，而目前广泛采用的、为1-2 MHz范围优化的磁性材料，已经可被使用了。
氮化镓功率芯片
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面，氮化镓还被用于蓝光激光技术（最明显
2023-06-15 15:50:54
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
容易使用。通过简单的“数字输入、电源输出”操作，布局和控制都很简单。dV/dt 回转率控制和欠压锁定等功能，确保了氮化镓功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的设计的机会，从而极为有效地缩短了产品上市
2023-06-15 15:32:41
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
氮化镓用途有哪些 氮化镓是一种半导体材料，具有优良的电学和光学性质，因此广泛用于以下领域： 1. 发光二极管(LED)：氮化镓是LED的主要工艺材料之一，可用于制造蓝、绿、白光LED，广泛应用于照明
2023-06-02 15:34:467174 创业者还要具备可行的商业计划，不能走向市场的产品或技术终究也会失败，这就要求创业者需要独到的市场洞察及运营管理能力，把握时机将产品推向市场。党的二十大也提出，科技是第一生产力、人才是第一资源、创新是第一
2023-06-01 13:47:41
RFPD3890产品简介Qorvo 的 RFPD3890 是一款混合功率倍增器放大器模块。该器件采用 GaAs MESFET、GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 芯片，具有高输出能力，工作
2023-05-24 10:03:06
RFPD3540 产品简介Qorvo 的 RFPD3540 是一种混合功率倍增器放大器模块。该器件采用 GaAs HFET 裸片、GaAs pHemt 裸片和 GaN HEMT 裸片，具有
2023-05-24 09:42:04
RFPD3220 产品简介Qorvo 的 RFPD3220 是一种混合功率倍增器放大器模块。该器件采用 GaAs pHEMT 裸片和 GaN HEMT 裸片，具有高输出能力
2023-05-23 21:36:33
氮化镓是一种新兴的半导体材料，具有优异的电学、光学和热学性能。由于其独特的特性，氮化镓在各种领域都有广泛的应用，如LED照明、电力电子、无线通信、智能家居和新能源汽车等。
2023-05-04 10:26:422514 、笔记本电脑、路由器等数码产品中。基于氮化镓功率器件，研发出的快充电源方案，可以为手机、平板电脑、笔记本电脑等提供更高的充电功率，极大提升充电体验。本文介绍了一款65W氮化镓（1A2C） PD快充电源方案，该方案采用功成半导体最新
2023-04-21 11:00:201613 
全球累计出货量已达1亿颗，广泛运用在如智能座舱、智能驾驶、智能网联、新能源电动车大小三电系统等，这一重要里程碑凸显了兆易创新与国内外主流车厂及Tier1供应商的密切合作关系。兆易创新致力于为汽车领域客户
2023-04-13 15:18:46
RFPD3890产品简介Qorvo 的 RFPD3890 是一款混合功率倍增器放大器模块。该器件采用 GaAs MESFET、GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 芯片，具有高输出能力，工作
2023-04-12 09:41:10
您能否提供se05x 产品的 CPE（通用平台枚举）。这是为了检查NIST CVE 数据库中的漏洞。
2023-04-10 09:10:01
智融SW3536是一颗支持1A1C双USB口输出的降压控制器芯片，内置多快充协议，支持双口功率盲插，支持双口独立限流。内置的同步降压转换器支持7A大电流输出，可使用氮化镓开关管，以获得更小的体积
2023-04-04 17:53:37
，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机功耗
2023-03-28 10:31:57
电压，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机
2023-03-28 10:24:46
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