完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>
电子发烧友网技术文库为您提供最新技术文章,最实用的电子技术文章,是您了解电子技术动态的最佳平台。
【导读】S7-200 SMART CPU 支持商用MicroSD卡(支持容量为4G、8G、16G),可用于程序传输、CPU固件更新、恢复 CPU 出厂设置。...
存储协议栈负责ECU中非易失性数据的存储管理。存储协议栈的分享包括NVM、MemI、Ea、Fea、Eep、Fls模块的详细介绍及代码分析,具体的项目实战请关注本号的后续文章,本篇为NVRAM Manager(NVM)模块详细介绍篇。...
磁记录是利用磁的性质进行信息的记录的方式。在存储和使用的时候通过特殊的方法进行信息的输入和读出,从而达到存储信息和读出信息的目的。 当今世界正处于数据大爆炸的时期。据IDC预测,截至2025年,全球数据增量将从2020年的64ZB增加到近180ZB(1ZB等于1万亿GB)。越来越多的大公司正在将...
1968 - Stanford R. Ovshinsky宣布了Ovonic内存开关,这是英特尔和美光在2015年宣布的3D XPoint内存的基础,后来英特尔将其产品化为Optane。...
数据安全是研华解决方案的核心。研华SQFlash系列提供全方位保护,包括数据加密(TCG-OPAL、FIPS)、数据安全擦除和异常断电保护。...
存算一体化是指将传统以计算为中心的架构转变为以数据为中心的架构,它可以突破冯·诺伊曼架构下存算分离的瓶颈,直接利用存储器进行数据处理,从而把数据存储与计算融合在同一芯片中,极大提高计算并行度与能效比,特别适用于深度学习神经网络领域,如可穿戴设备、移动设备、智能家居等场景。...
外部存储器中的加密代码块不会让杂散的眼睛以任何可用的形式将其分解。MCU 包含一个解密算法,其中包含为伪随机函数生成器提供种子的定制参数。...
信息资料迅速增长是当今社会的一大特点。有人统计,科技文献数量大约每7年增加1倍,而一般的情报资料则以每2年~3年翻一番的速度增加。大量资料的存储、分析、检索和传播,迫切需要高密度、大容量的存储介质和管理系统。...
美光已经在完成 232 层 NAND 的订单,而且不甘示弱,SK 海力士宣布将于明年上半年开始量产 238 层 512Gb 三层单元 (TLC) 4D NAND。或许更重要的是,芯片制造商私下表示,他们将利用行业学习为目前正在开发的 3D-IC 堆叠 NAND。...
MinIO 是在 GNU Affero 通用公共许可证 v3.0 下发布的高性能对象存储。它与 Amazon S3 云存储服务 API 兼容。使用 MinIO 为机器学习、分析和应用程序数据工作负载构建高性能基础架构。...
但是存储在设备上的数据很可能最终会在企业的其他地方——私人的或公共的。趋势是在嵌入式设备上本地执行和保存更多的数据收集、处理和分析。平台正在不断发展,以满足为这些连接设备提供安全、设备管理、数据分析、软件更新和连接服务的需求。...
IMX6Q中MMDC-DDR控制器的地址空间为:0x1000_0000~0xFFFF_FFFF共3840MB,即MMDC-DDR控制器允许配置的最大片外内存为3.75GB。...
德州仪器 MCU 以适中的 80 MHz 速度运行,具有高达 512 KB 的错误检查闪存、高达 96 KB 的数据 RAM,有些还拥有自己的 2 KB 片上传统 E2PROM。...
MSP- FET430U40A工具套件包包括一个闪存仿真器和编程器,具有讽刺意味的是,它不需要与双板载 MSP430FR5739 MCU 一起使用。...
重要的是要注意,即使对于模型良好的应用程序,计算也最多只是理论上的。产生真实结果的更准确的方法包括使用应用程序本身中的工具来监控 NAND 闪存的确切磨损并将该数据报告回主机系统。...
Microchip 为在产品寿命为 20 年的嵌入式系统中设计低密度 NOR 闪存提供了理由,这些系统经常面临 EOL 组件的挑战。...
请注意 USB OTG、以太网和 TFT 显示接口等高端外围设备。这些可能是代码和数据密集型的。更高密度的 NAND 闪存的一个完美应用是保存图形页面模板并使用片上 DMA 控制器将它们快速发送到显示器。...
闪速存储器(Flash Memory)又称闪存(Flash),是一种非易失性存储器,用存储单元阈值的高低表示数据。浮栅(Floating Gate )场效应管(见图5-80)是Flash存储单元采用的主要技术。...