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MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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深鸿盛十八年的功率半导体品牌故事

当下，半导体工程师们正集体陷入一场“既要、又要、还要”的极限拉扯。既要半导体能效不断往上卷，又要体积不断往下压，还要兜住急剧攀升的热耗。这并非半导体技术...

2026-06-07 标签：MOS 功率半导体 341 0

变频器维修中MOS场效应管的检测与应用

在变频器维修中，MOS管是核心的功率开关元件。它的故障主要分两类：一是器件本身失效（如短路、开路），二是驱动电路异常（导致管子因外部原因损坏）。...

2026-06-02 标签：场效应管变频器 MOS 71 0

新一代SiC MOS：云镓半导体CT80410TDZ助力快充与PFC

随着电源系统对效率、功率密度和热管理要求的不断提升，碳化硅（SiC）功率器件正加速取代传统硅基MOSFET与IGBT。 CloudSemi 最新推出的 ...

2026-05-21 标签：电源 MOS SiC 124 0

AI服务器冗余电源设计中SR MOS配置要点解析

标签：AI服务器电源、SR MOS配置 AI服务器对供电连续性与可靠性要求极高，冗余电源架构是保障整机不间断运行的核心设计。同步整流（SR）MOS的参数...

2026-05-19 标签：服务器 AI MOS 1.1k 0

SiC替代传统MOS实测：24W~36W适配器BOM成本直降0.7-1.2元

芯茂微推出第三代半导体 SiC 反激方案，相较传统 MOS 方案，实现系统成本降 10%、体积减 30%、轻松满足 7 级能效。覆盖 PSR（LP379...

2026-05-18 标签：适配器 MOS SiC 807 0

RSTNG30N015A1 30V/150A N沟道功率MOSFET技术规格

一、产品概述 RSTNG30N015A1 是瑞斯特（RSTTEK）推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽工艺制造，专为大电流...

2026-05-17 标签：MOSFET MOS 漏极电流 868 0

铨力中低压mos，APG095N01G应用指南

一、应用场景该器件适用于以下典型应用： PWM 应用（如直流电机驱动、开关电源、逆变器）负载开关（如电池保护、电源路径管理）电源管理（如 D...

2026-05-14 标签：MOS 1.4k 0

SIC MOS+氮化硼导热材料在户储产品中的应用 | 强强联手：萃锦半导体+晟鹏科技

概述在全球能源结构加速转型、可再生能源渗透率不断提升的背景下，户用储能系统（ResidentialEnergyStorageSystem,RESS）正从...

2026-05-12 标签：材料 MOS SiC 147 0

变压器同步整流技术中MOS管的驱动时序与死区时间控制

本文深入解析了变压器次级同步整流技术中MOS管驱动时序与死区时间控制对效率与可靠性的核心影响，对比了外驱与自驱两种驱动路径的优劣，并结合工程案例，阐述了...

2026-05-07 标签：变压器 MOS 同步整流 491 0

基于 MOS 管的步进驱动板 PCB 阻抗匹配与地平面分割

MOS 管步进马达驱动板的稳定性与 EMC 性能，核心依赖阻抗匹配与地平面分割的精准设计。MOS 管栅极驱动回路阻抗失配会引发高频振荡、栅极电压振铃，导...

2026-04-30 标签：PCB MOS 步进驱动 344 0

瑞斯特半导体AONS66617-RST：高功率密度MOSFET的技术突破

在电源管理领域，随着工业自动化、电动汽车及储能系统的快速发展，对功率器件的性能要求日益严苛。瑞斯特半导体（RSTTEK）推出的AONS66617-RST...

2026-04-29 标签：MOSFET 半导体 MOS 538 0

空间与性能的双重突破：瑞斯特半导体 RSTD60C40 双路 MOSFET 解决方案

在2026年的今天，随着笔记本电脑、便携式医疗设备及高性能电池供电系统向极致轻薄化演进，电源管理工程师正面临着严峻的挑战：如何在寸土寸金的PCB板上，同...

2026-04-28 标签：MOSFET 半导体 MOS 286 0

功筑基石・同率共赢｜江西萨瑞微电子 2026 经销商大会圆满落幕

2026年4月25-26日，以功筑基石・同率共赢为主题的江西萨瑞微电子2026经销商大会在江西南昌隆重举行。来自全国及海外的核心经销商伙伴、公司高管、研...

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重塑功率密度极限：瑞斯特半导体 LR010N04SD10 深度解析

2026-04-24 标签：半导体 MOS 375 0

重塑高能效电源：瑞斯特半导体GE014S10ALH 如何以TOLL封装重新定义100V MOSFET性能极限

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宽电压高耐压降压 DC-DC 芯片 AP8860：行业趋势、工程应用与同型号深度对比

AP8860 是一款面向工业与车载场景的宽电压输入降压型 DC-DC 电源管理芯片，支持 10V~120V 超宽输入范围，内置功率 MOS 管，可提供最...

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新品 | CoolMOS™ CFD7 SJ高压超结MOSFET 650V系列

新品CoolMOSCFD7SJ高压超结MOSFET650V系列650VCoolMOSCFD7是英飞凌最新高压超结MOSFET技术，集成快速体二极管，完善...

2026-04-20 标签：英飞凌 MOSFET MOS 916 0

长晶科技车载OBC功率器件选型指南：IGBT与SiC MOS助力6.6kW双向应用

长晶科技针对车载OBC（车载充电机）应用场景，推出6.6kW双向OBC拓扑解决方案，提供IGBT单管和SiCMOS两种技术路线的功率器件选择。两种器件均...

2026-03-25 标签：IGBT MOS OBC 1.4k 0

AS2983 3-9V输入，内置MOS，电流2A，5V USB升3节电池同步升压充电芯片

1、方案名称：AS2983 3-9V输入，内置MOS，电流2A，5V USB升3节电池同步升压充电芯片 2、品牌：紫源微（Zymicro） 3、描述：A...

2026-03-16 标签：MOS 充电芯片 712 0

AS6922 3-5.5V输入，内置MOS，电流2A，5V USB升2节磷酸铁锂电池异步升压充电芯片

1、方案名称：AS6922 3-5.5V输入，内置MOS，电流2A，5V USB升2节磷酸铁锂电池异步升压充电芯片 2、品牌：紫源微（Zymicro） ...

2026-03-13 标签：磷酸铁锂电池 MOS 212 0

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