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谷歌开源TFGAN轻量级的工具库目的是让训练和评估GAN变得更加简单

三年前，蒙特利尔大学 Ian Goodfellow 等学者提出「生成式对抗网络」（Generative Adversarial Networks，GAN...

2018-01-02 标签：谷歌 gan tfgan 5.6k 0

谷歌开发一个轻量级的库——TFGAN 它可以让生成对抗网络更易于实验

为了让生成对抗网络更易于实验，谷歌开发者开源了一个轻量级的库——TFGAN，它可以让GAN的训练和评估过程更容易。

2017-12-22 标签：谷歌 gan tfgan 6k 0

SMT晶体管（Qorvo的QPD1013）的GaN PA的设计与实现

氮化镓技术的不断进步促使设备在更高的功率、电源电压和频率下工作。本文介绍了使用市售SMT晶体管（Qorvo的QPD1013）的GaN PA的设计与实现...

2017-12-13 标签：晶体管 gan pa 4.8k 0

手机品质测试介绍

要预测客户对一款手机性能的接受程度，从而预测手机设计的品质，需要进行实际使用测试。使用测试是一种很有价值的工具，本文将介绍如何进行此类测试。 UMA/G...

2017-12-12 标签：移动电话 gan 2.5k 0

高功率GaN放大器的主要特征和特性详解

GaN还是反射频电子战(CREW)应用的首选技术，已有成千上万的放大器交付实际使用。现在，该技术也被部署到机载电子战领域，开发中的放大器能够在RF/微波...

2017-12-01 标签：RF gan papr 1.5万 0

基于GaN器件的双Buck逆变器可抑制共模电流原理详解

但是由于光伏电池板与电网存在电气连接，逆变器中功率器件的高频动作所导致的共模电压通过光伏板与大地之间的寄生电容，会在共模回路中形成共模电流，非隔离型光伏...

2017-12-01 标签：gan buck逆变器 6.2k 0

半导体材料的发展史及材料性能分析

现代世界里，没有人可以说自己跟半导体没有关系。半导体听起来既生硬又冷冰冰，但它不仅是科学园区里那帮工程师的事，你每天滑的手机、用的电脑、看的电视、听的音...

2017-11-29 标签：半导体 gan 3.5万 0

GaN基微波半导体器件分析和比较

宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷...

2017-11-25 标签：半导体微波 gan 4.4k 0

GAN新手必读：如何将将GAN应用于NLP（论文笔记）

GAN 自从被提出以来，就广受大家的关注，尤其是在计算机视觉领域引起了很大的反响。“深度解读：GAN模型及其在2016年度的进展”［1］一文对过去一年G...

2017-11-22 标签：gan nlp 1.2万 0

GaN成为半导体界瞩目的焦点

氮化镓（GaN）半导体行业在摩尔定律的魔咒下已经狂奔了50多年，一路上挟风带雨的，好不风光。不过随着半导体工艺的特征尺寸日益逼近理论极限，摩尔定律对半...

2017-10-11 标签：GaN 9.2k 0

GaN直流设计相对于POL有何优势？

企业服务器、交换机、基站和存储硬件设计师都在寻求在其主板上提高功率密度和效率。随着主板上元件数量的增加和外形尺寸的减小，电源密度成为进一步减小面积的限制...

2018-07-10 标签：gan pol 933 0

集成氮化镓（GaN）为我们带来了什么？

在氮化镓（GaN）功率FET的早期阶段，故障很常见。更严格的栅极环路设计要求，更高的dv/dt和共源电感的影响使得电路对寄生和噪声更敏感。当TI推出第一...

2018-07-10 标签：gan 6.4k 0

LMG3410：方波波形开关节点几乎完美，你值得拥有

所有功率级设计者期望在开关节点看到完美的方波波形。快速上升/下降边降低了开关损耗，而低过冲和振铃最小化功率FET上的电压应力。

2018-07-10 标签：ti 方波 gan 3.6k 0

解读射频GaN市场的机遇及未来发展

今年的GaN(氮化镓)器件市场异常活跃，GaN逐渐成为主流，开始渗透一些批量需求的商业市场。 GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟，并且还抓住了...

2016-12-14 标签：射频氮化镓 gan 4.9k 0

安森美半导体GaN晶体管——追求更快、更智能和更高能效

氮化镓(GaN)，作为时下新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势。与硅器件相比，GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃，广泛应用于功率因数...

2016-06-28 标签：安森美氮化镓 GaN 3k 0

如何用集成驱动器优化氮化镓性能？

氮化镓（GaN）晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关...

2016-06-06 标签：驱动器氮化镓 GaN 3.1k 0

用集成驱动器优化GaN性能

氮化镓（GaN）晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关...

2016-05-09 标签：GaN 集成驱动器共源电路 3.4k 0

确定GaN产品可靠性的综合方法

　　TI正在设计基于GaN原理的综合质量保证计划和相关的应用测试来提供可靠的GaN解决方案。氮化镓（GaN）的材料属性可使电源开关具有令人兴奋且具有突破...

2016-04-25 标签：德州仪器晶体管 GaN 3.3k 0

GaN（氮化镓）将推动电源解决方案的进步

实现更加高效的电力转换是应对当前增长的人口和能源需求的一个关键技术目标。能够有效推动这一目标达成的重要创新就是在电源应用中使用氮化镓（GaN）。

2015-04-08 标签：LED照明 SMPS GaN 2.9k 0

导入Cascode结构　GaN FET打造高效率开关

射频（RF）应用的氮化镓（GaN）电晶体已面世多年，最近业界的重点开发面向为电力电子应用的经济型高性能GaN功率电晶体。十几家半导体公司都在积极开发几种...

2014-01-10 标签：场效应管 GaN Cascode 1.1万 1

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5G网络作为最新一代的移动互联网通讯技术，相对4G而言，网速更快；5G手机是指使用第五代通信系统的智能手机。相对4G手机，5G手机有更快的传输速度，低时延，通过网络切片技术，拥有更精准的定位。
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　　智能工业：是将具有环境感知能力的各类终端、基于泛在技术的计算模式、移动通信等不断融入到工业生产的各个环节，大幅提高制造效率，改善产品质量，降低产品成本和资源消耗，将传统工业提升到智能化的新阶段。
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蓝牙5.0是由蓝牙技术联盟在2016年提出的蓝牙技术标准，蓝牙5.0针对低功耗设备速度有相应提升和优化，蓝牙5.0结合wifi对室内位置进行辅助定位，提高传输速度，增加有效工作距离。
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乐鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 总部位于上海张江高科技园区，是一家先进、专业的无晶圆半导体公司，致力于研发设计低功耗的 Wi-Fi 和蓝牙系统级芯片，提供移动通讯和物联网解决方案。
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5G毫米波技术是5G应用中一项重要的基础技术，毫米波指的是一种特殊电磁波，波长为1毫米到10毫米，波动频率为30GHz-300GHz。相对于6GHz以下的频段，毫米波具有大带宽、低空口时延和灵活弹性空口配置等独特优势，可满足未来无线通信对系统容量、传输速率和差异化应用等方面的需求。
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