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标签 > 氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮与镓也不直接反应。在氨气流中于1050～1100℃下加热金属镓30min可制得疏松的灰色粉末状氮化镓GaN。加入碳酸铵可提供气体以搅动液态金属，并促使与氮化剂的接触。
2、在干燥的氨气流中焙烧磨细的GaP或GaAs也可制得GaN。
许多厂商都提供了门驱动芯片，这些芯片是十分有价值的，允许用户为选定的GaN器件、转换速度和其他因素进行调节。在这些驱动芯片中，来自TI的LMG1205可...
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氮化镓GaN详细对比分析 纳微和英诺赛科氮化镓GaN产品应用
作者：马坤 （邮箱：kuner0806@163.com） 随着中国芯GaN产品上市，引起了大家的关注，PD产品更是多姿多彩；纳微GaN产品和英诺赛科Ga...
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小米55W氮化镓适配器的电源内部采用灌胶方式将导热硅胶材料灌封成一个整体，提高适配器整体防水性、导热性。并且元器件没有位移空间，起到提高耐候性，增强适配...
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欧盟制定了一个雄心勃勃的目标，即到2050年将其总体温室气体排放量降低至少80％。要实现该目标，汽车行业的贡献将非常重要。美国企业平均燃油经济性（CAF...
禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。
与普通半导体的硅材料相比，氮化镓的带隙更宽且导热好，能够匹配体积更小的变压器和大功率电感，所以氮化镓充电器有体积小、效率高、更安全等优势。
接下来就直接开始拆解。 将顶面外壳拆开，PCBA模块和外壳之间的空隙注胶填充加固。 将模块取出，充电器采用接触式通电设计，插脚和金属弹片压接。 使用游标...
重度依赖手机已经成为一种社会常态，很多人每天打开屏幕的次数不下百次。这让无数人患上了“电量焦虑”，插上充电器的那一刻才能得以平息。虽然每天都在用充电器，...
今天我们一起学习一下关于氮化镓龙头企业到达有哪些呢？首先氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中...
1、氮化镓是什么？ 是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管...
2021-07-10 标签：氮化镓 9.3万 0
氮化镓是一种新型半导体材料，它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，在早期广泛运用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半...
相信最近关心手机行业的朋友们都有注意到“氮化镓（GaN）”，这个名词在近期出现比较频繁。特别是随着小米发布旗下首款65W氮化镓快充充电器之后，“氮化镓”...
GaN器件则以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域，在5G 时代需求将迎来爆发式增长。
Yole Developpement功率电子暨化合物半导体事业单位经理PierricGueguen认为，碳化硅主要适用于600V以上的高功率应用，氮化镓...
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好...
2019-03-12 标签：氮化镓 3.5万 0
如在S波段及以上，SIC基的GaN HEMT真的是唯一选择，而介于两者之间的话，主要挑战就是平衡成本与性能，这方面做起来很难。下图总结了三种晶体管的优缺...
集成电路产业链包括设计、制造和封测等关键步骤，其中半导体材料是集成电路上游关键原材料，按用途可分为晶圆制造材料和封装材料。
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