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功率器件

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功率器件，就是输出功率比较大的电子元器件，像大音响系统中的输出级功放中的电子元件都属于功率器件，还有电磁炉中的IGBT也是。本章详细介绍了：功率器件定义，功率器件龙头企业，最新功率器件，分立器件与功率器件，功率器件测试，功率半导体器件基础。

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功率器件技术

中国新能源汽车高压控制器芯片白皮书

　我们的研究显示，早期市场的发展多由政策推动，随着三电技术提升、智能网联配置的加持，新能源汽车产品的性价比得到了极大的提升。“续航里程 +补能体验”的双...

2023-10-09 标签：新能源汽车控制器功率器件 773 0

阳光电动力混合动力双电机控制器四大关键

针对整车发动机舱装配空间有限的痛点，HEM系列控制器基于并联模组一体化集成设计，应用注塑铜排，减少绝缘空间占用，结构更加紧凑，实现高功率密度。

2023-10-09 标签：发动机控制器电机控制器 2.3k 0

充电桩行业七大发展趋势

介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IG...

2023-10-09 标签：MOSFET IGBT 功率器件 792 0

新型SIC功率芯片结构设计及制造技术

　　栅极电压。上升过程，P阱中电子流向沟道，空穴流出P阱，在流经P阱电阻及P型欧姆接触电阻时，P阱瞬态电位上升，等效阈值电压升高; 　　漏极电压下...

2023-10-08 标签：新能源汽车电阻功率器件 956 0

碳化硅功率器件的结构和工作原理

碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件，具有高温、高频、高效等优点，被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。

2023-09-28 标签：半导体功率器件 SiC 2.3k 0

SiC材料及器件介绍

SiC，作为发展最成熟的宽禁带半导体材料之一，具有禁带宽度宽、临界击穿电场高、热导率高、电子饱和漂移速度高及抗辐射能力强等特点。

2023-09-28 标签：晶圆场效应晶体管肖特基二极管 5.1k 0

碳化硅器件“上车”加快，800V高压平台蓄势待发

根据研究和规模化应用的时间先后顺序，业内将半导体材料划分为三代。常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓...

2023-09-28 标签：MOSFET IGBT 功率器件 1.3k 0

功率器件各项参数及其应用领域对比

功率半导体是一种用于电力电子转换的关键组件，它能够实现电能的高效转换、传输和控制。功率半导体在工业、消费电子、交通运输、能源等多个领域具有广泛的应用，如...

2023-09-27 标签：MOSFET IGBT 功率器件 1.9k 0

功率器件封装结构热设计介绍

尤其是在目前功率器件高电压、大电流和封装体积紧凑化的发展背景下，封装器件的散热问题已变得尤为突出且更具挑战性。芯片产生的热量会影响载流子迁移率而降...

2023-09-25 标签：封装电力系统功率器件 2.4k 0

碳化硅功率器件封装技术解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些...

2023-09-24 标签：封装技术 BGA 功率器件 1.6k 0

IGBT器件介绍 IGBT结构与工作原理

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶...

2023-09-22 标签：MOSFET IGBT 晶体管 1.8万 0

PCB铜皮面积的计算

首先给出答案，对于散热，并非铜皮面积越大越好，铜皮较薄时更是如此。

2023-09-21 标签：PCB smt 散热 5.5k 0

功率器件可靠性试验测试项目

龙腾半导体建有功率器件可靠性与应用实验中心，专注于产品设计验证、参数检测、可靠性验证、失效分析及应用评估，公司参考半导体行业可靠性试验条件和抽样原则，制...

2023-09-20 标签：功率器件半导体元器件 2.3k 0

高速风筒一站式解决方案

电吹风是居家生活必备物品。传统的吹风机转速通常在2万转左右，干发速度较慢（中长发常常超过10分钟以上）；利用高温干发，还容易损伤头发；噪声比较大的同时重...

2023-09-19 标签：PWM 电机 emc 4.7k 0

第三代半导体功率器件在汽车行业的应用

碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，它突破硅基半导体材料物理限制，成为第三代半导体核心材料。碳化硅材料性能优势引领功率器件新变革。

2023-09-19 标签：MOSFET 半导体 IGBT 2.7k 0

关于MOS管烧毁的原因有哪些？

大电流的快速切换会导致电源轨上的电压骤降和瞬态尖峰。如果电源和控制电子设备共用一个或多个电源轨，则可能会对控制电路产生干扰。

2023-09-19 标签：二极管 MOS管导通电阻 1.6k 0

超结理论应用：平面VDMOS结构与超结MOSFET技术介绍

功率器件要得到较高的击穿电压，就必须使用较厚的外延层漂移区与较低的掺杂浓度，常规VDMOS的特征导通电阻与击穿电压关系如下式所示。

2023-09-18 标签：导通电阻驱动电路功率器件 8.3k 0

功率器件的分类及对比分析

作为新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件，新能源汽车产业已经成为功率器件需求增加最快的领域，并且将进一步保持增长到2025年将成为需求量最大的领域。

2023-09-15 标签：新能源汽车 MOSFET 逆变器 1.8k 0

怎么解决功率器件塑封过程中引脚压伤的问题？

引线框架的引脚压伤是严重的质量问题。引脚压伤不仅会影响产品的外观质量，严重时会导致产品的电性能异常，甚至导致终端使用时发生短路、尖端放电等问题。

2023-09-14 标签：功率器件 3.5k 0

DBA直接覆铝陶瓷基板将成为未来电子材料领域的新宠

随着电子技术的飞速发展，各种新型材料也不断涌现。其中，直接覆铝陶瓷基板（DBA基板）因其优良的性能表现备受瞩目，成为电子行业中备受关注的材料之一。

2023-09-14 标签：功率器件 SAM DBA 2.6k 0

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