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功率器件

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功率器件，就是输出功率比较大的电子元器件，像大音响系统中的输出级功放中的电子元件都属于功率器件，还有电磁炉中的IGBT也是。本章详细介绍了：功率器件定义，功率器件龙头企业，最新功率器件，分立器件与功率器件，功率器件测试，功率半导体器件基础。

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功率器件技术

功率半导体器件：IGBT模块和IPM模块的定义及区别

IGBT模块（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路、保护电路等功能的...

2023-10-27 标签：IGBT 功率器件功率模块 8.8k 0

GeneSiC的起源和碳化硅的未来

SiC 技术的先驱引领系统效率，高度关注可靠性和耐用性。近 20 年来， GeneSiC 开创了高性能，坚固，和可靠的碳化硅（SiC）用于汽车、...

2023-10-25 标签：二极管驱动器功率器件 3k 0

碳化硅SiC在新能源汽车中的应用分析

SiC器件的主要用途是车载设备。SiC器件可以使纯电动汽车、混合动力车的电机控制系统损失的功率降低到1/10，实现低功耗化；同时，能将新能源汽车的效率提...

2023-10-25 标签：新能源汽车 MOSFET 功率器件 2k 0

什么是Cu clip封装？碳化硅功率模块键合方式

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2023-10-24 标签：芯片功率器件碳化硅 5.7k 0

深度解析通用汽车奥特能无线电池管理系统及应用框图

电池包还可根据轴距允许的电池外壳尺寸在每层装入6块到12块不等的电池模组，使得车辆上装载的总电池模组数量从最少6块（6x1层），到多达24块（12x2层...

2023-10-24 标签：输出电压电池管理系统功率器件 1.3k 0

汽车电子系统功率MOSFET的解决方案

汽车电子MOSFET发展的一个最终方向是提高感测、控制和保护功率开关的性能。功率器件正集成到智能化车载系统中。现在在最低功率级别，MOSFET可以与功率...

2023-10-20 标签：集成电路 MOSFET 汽车电子 640 0

谈谈直流功率循环老化的测试方法

经常听到功率循环这个实验，总觉得这个不是很简单吗，不就是IGBT温度在一定范围波动，然后经过几万次循环，再测试IGBT的Vcesat或Rth是否异常来确...

2023-10-19 标签：IGBT 功率器件驱动电压 2.1k 0

SiC功率器件的优势和应用前景

随着新能源汽车销量暴涨的东风，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽车提升加速度、降低系统成本、增加续航里程以及实现轻量化等。碳化硅的优越性能使其在更多尖端领...

2023-10-18 标签：功率器件 SiC 碳化硅 1.6k 0

如何为功率器件、变换器测试挑选合适的探头?

探头与示波器被称为工程师的眼睛，是工程师进行电信号测量时必不可少的工具。探头在功率领域的应用是其发挥作用的重要方面，包括功率器件测试和变换器测试两个方面。

2023-10-17 标签：变换器功率器件示波器探头 994 0

碳化硅功率器件的产品定位

碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半导体，用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。

2023-10-17 标签：MOSFET 逆变器 IGBT 553 0

利用表面贴装功率器件提高大功率电动汽车电池的充电能力

终端用户希望新的电动汽车设计能够最大限度地减少车辆的空闲时间，尤其是在长途驾驶中。

2023-10-17 标签：电动汽车 MOSFET 充电器 973 0

氮化镓功率芯片功率曲线分析氮化镓功率器件的优缺点

不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实...

2023-10-16 标签：电容器功率器件氮化镓 2.4k 0

新洁能1500V和1700V系列功率VDMOS新品介绍

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2023-10-16 标签：mcu 变频器 MOS管 2.8k 0

不同电压和功率等级的三菱电机SiC功率器件介绍

　除牵引逆变器外，辅助转换器、铁路电池充电器和DC-DC转换器尤其受益于SiC功率模块带来的开关频率提升。开关频率的增加通常允许减小无源元件（如变压器、...

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TOLL及TO-247-4L封装介绍

随着科技的不断发展，功率分立器件封装技术也在持续进步。为了提高功率密度和优化电源转化效率，封测企业正在为新产品研发更先进的封装工艺、封装技术及封装外形等...

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Revasum与SGSS建立战略合作伙伴关系

Revasum是一家专门从事半导体器件制造过程中所用资本设备的设计和制造的公司，宣布与提供高性能材料和创新解决方案的圣戈班表面解决方案(SGSS)建立战...

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功率器件开关速度对传导、辐射产生的认识

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电装和三菱电机将在碳化硅业务上合计投资10亿美元

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电路可靠性设计之降额参数及降额因子

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宽禁带半导体的核心材料碳化硅衬底到底贵在哪里？

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