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功率器件

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功率器件，就是输出功率比较大的电子元器件，像大音响系统中的输出级功放中的电子元件都属于功率器件，还有电磁炉中的IGBT也是。本章详细介绍了：功率器件定义，功率器件龙头企业，最新功率器件，分立器件与功率器件，功率器件测试，功率半导体器件基础。

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功率器件技术

碳化硅功率器件：革新未来能源与电力电子技术的关键材料

随着全球对高效能源的不断追求和电子技术的快速发展，传统的硅基功率器件已逐渐达到其性能边界。

2024-03-21 标签：电动汽车功率器件 SiC 1.2k 0

整流桥是干嘛的整流桥的作用及工作原理

整流桥就是将整流管封在一个壳内，分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。

2024-03-19 标签：二极管电源适配器功率器件 2.1万 0

碳化硅功率器件特性及基本原理

碳化硅是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体材料，与传统的硅(Si)材料相比，具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。

2024-03-19 标签：功率转换功率器件 SiC 1.2k 0

深入探索研究SiC功率器件高效互连技术

本文采用的DTS（DieTopSystem）技术结合了芯片双面银烧结工艺与铜线键合工艺，此技术能够避免直接在芯片上进行铜线键合时造成的芯片损伤。

2024-03-18 标签：DTS 功率器件 SiC 1.2k 0

微米级铜在高温功率器件的应用

功率电子产品的应用已扩展到相当多的行业，如汽车，航空航天和军事行业。高功率电子设备需要能够适应更高的使用温度（>250°C），这大大增加了对设备材...

2024-03-18 标签：封装功率器件 CU 971 0

探讨碳化硅功率器件的工作原理、优势、应用场景

碳化硅功率器件利用SiC半导体材料制成。SiC是一种宽带隙半导体材料，具有比硅（Si）更高的电子饱和漂移速度和热导率，以及更高的临界击穿电场强度。

2024-03-14 标签：功率器件 SiC 碳化硅 1.1k 0

电源纹波的产生及测量方法

使用带有地线环的示波器探头，将探针直接接触正输出的管脚，线环直接接触负输出的管脚，这是由于使得环路尽量短，这样从示波器中读出的峰值为输出线上的纹波与噪声。

2024-03-14 标签：示波器功率器件 EMI滤波器 2.5k 0

同轴分流器在SiC和GaN器件中的测量应用

随着现代电力电子的高速发展，SiC/GaN 功率器件的应用越来越广泛，工程师经常要测量频率高达数百 kHz，电流高达数十安培的功率电路。

2024-03-13 标签：功率器件 SiC GaN 1.8k 0

hip247和TO247封装区别

HIP247和TO247是两种常见的封装类型，用于电子元件，特别是功率器件的封装。尽管它们在名称上非常相似，但其实它们在尺寸、结构、材料和应用方面存在一...

2024-03-12 标签：封装电子元件功率器件 5.5k 0

射频（RF）电路设计的常见问题

　降低高/低功率器件干扰耦合的设计原则。在蜂窝电话PCB上，通常可以将低噪音放大器电路放在PCB的某一面，而将高功率放大器放在另一面，并最终通过双工器把...

2024-03-12 标签：pcb 模拟电路元器件 1.6k 0

T型三电平双脉冲测试及拓扑结构

双脉冲测试系统：该系统用于产生所需的双脉冲信号，以模拟实际工作中的开关动作。它能够精确地控制脉冲的宽度、幅度和频率，以满足测试需求。

2024-03-11 标签：测试系统 IGBT 功率器件 5.1k 0

双脉冲测试（DPT）的方法解析

双脉冲测试是电力变压器和互感器的一种常见测试方法，其主要目的是评估设备的性能和准确性，确保其符合设计要求和运行标准。

2024-03-11 标签：电力变压器 IGBT 功率器件 5.9k 0

解析电动车控制器损坏的常见原因

控制器温升快可能是控制器本身消耗的电流增加，一般消耗电流在30～40mA，或者是MOS管工作有问题；电动机无力可能是控制器检测过流的康铜丝焊接不良，导致...

2024-03-11 标签：单片机控制器 MOS管 5.1k 0

碳化硅（SiC）功率器件核心优势及技术挑战

SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说，SiC的禁带宽度是硅的近3倍，这意味着在高温下仍可保持良好的电性能；其热导率是硅的...

2024-03-08 标签：功率器件 SiC 碳化硅 2.7k 0

一文解析SiC功率器件互连技术

和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带...

2024-03-07 标签：MOSFET 功率器件互连技术 2.6k 0

IGBT导热机理及导热材料的作用

根据 IGBT 热传导示意图所示，芯片内损耗产生的热能通过芯片传到外壳底座，再由外壳将少量的热量直接传到环境中去（以对流和辐射的形式），而大部分热量通过...

2024-03-06 标签：散热器散热片 IGBT 1.9k 0

百亿美元的BLDC电机市场，其驱动电路可使用170N1F4A场效应管代换！

依据数据分析，在2022年BLDC的市场规模是189亿美元，预计2025年的市场规模可达223亿美元。

2024-03-05 标签：场效应管电机驱动 BLDC 1.6k 0

SiC功率器件先进互连工艺研究

共读好书杜隆纯何勇刘洪伟刘晓鹏（湖南国芯半导体科技有限公司湖南省功率半导体创新中心）摘要：针对SiC功率器件封装的高性能和高可靠性要求，...

2024-03-05 标签：功率器件 SiC AMB 1.5k 0

半导体设计面临高电压挑战高压功率器件设计挑战如何破？

基于开关电力电子器件的转换器和逆变器是可再生能源发电厂和电动汽车的关键组件。虽然MOSFET和IGBT都可以用在相关系统中，但前者的栅极驱动功率较低、开...

2024-03-01 标签：电动汽车 MOSFET 逆变器 769 0

碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件通过利用碳化硅材料的优良特性，可以在更...

2024-02-29 标签：功率器件 SiC 碳化硅 2.3k 0

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