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电子发烧友网>电子资料下载>品质管理资料>热退火对金属半导体的影响

热退火对金属半导体的影响

2022-06-28 | pdf | 0.38 MB | 次下载 | 3积分

资料介绍

在镉锌薄膜(CZT)探测器制备过程中加入了一个热退火过程,以降低泄漏电流并获得稳定的探测器性能。由于其功功能低,可以作为CZT肖特基探测器的金属接触。研究了低温退火对铟/CZT接触的影响。采用了铟/CZT/金结构的CZT肖特基探测器。探测器在真空中退火10小时,在空气中退火2、4和8小时。测量了退火过程前后各探测器的泄漏电流和能量分辨率,并对测量数据进行了比较。
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