资料介绍
接下来我们要讲一下开通和关断的问题了。那么,MOSFET 如何进行开通,如何 进行关断呢?以及在这个过程中,会不会也产生损耗。
在讲这个之前,我再做一个补充:

这个电路是断路的,一旦 GS 电容上有电的话,那么 DS 实际上是导通的,与有 没有回路没有关系。正式因为这样子的一个特性,那么,我们拿到一个管子的时 候,我们也不知道这个管子 GS 有没有电,这个管子有可能是导通的,放到电路 上去焊接的时候,可能会出现问题。为了考虑到安全性,我们必须在电路设计的 时候,在 MOSFET 的 G 和 S 之间要加一个电阻,这样子就可以让 GS 电容进行放 电,有了这样的一个放电回路,不管前面驱动端是高阻态也好,是断路也好,反 正 G 和 S 之间是有回路的,确保管子是关闭的。

我们把 GS 之间接一个下拉电阻。那么接下来就要看,这个下拉电阻的取值。实 际上这个下拉电阻相当于三极管 N 管的下拉电阻。我们说,学习 MOS 管,要对 标我们大家都熟悉的三极管,这样就更轻松,更容易理解。

我们说,这个下拉电阻的好处是什么啊?
1. 可以确保 B 极是两态(三态:高、低、高阻态)。 实际上,我们害怕的就 是高阻态嘛,由于当你前面不接的时候,又断开了,才有高阻态。在电路设计中, 我们从逻辑角度来讲,不是高就是低,这样子才是最好的,有利于电路的逻辑。
同样的,MOSFET 加了一个下拉电阻。

作用:确保给 GS 电容提供放电回路——确保关断,低态。
这样 MOSFET 就只有两态,不是高就是低。另外,下拉电阻,也可以防止雷击,静电。
实际上,对于晶体管来说,如果没有一个完整的额回路,是不导通的;但是 MOSFET 不一样,它不需要一个完整的回路,也能够让它导通。
接下来我们研究一下 MOSFET 的开通问题:
由于有这个 GS 电容的存在,MOSFET 的开通,肯定就会有一个延时 我们这个 MOSFET 的模型怎么去建立呢?

我们前面讲过了,MOSFET 在导通的时候,DS 之间还有一个 Rdson,导通阻抗。

问题补充:

我们说,晶体管这个地方的下拉电阻是 2K,是经过大量的实验电路和验证的。 对于低功耗的电路来说,这个电阻可以取高一点,但是不要取的太低。取的太低 的话,就有可能导致晶体管不能正常的工作。为什么这么说呢?我们可以举个例 子:

因为 be 钳位电压,导通之后是 0.7V,前提是导通之后,这一点很重要哦。

电阻分压后,M 电的电位要大于 0.7V 才行,所以,下拉电阻不能太小。 我们假设下拉电阻取 100Ω:

那么,M 点分压后小于 0.7V,三极管是不会导通的。所以,下拉电阻不能太 小,当然也不能太大,否则,对于高频开关信号来说,会影响它的关断时间。大家在以后的电路设计中,如果是频率相对较高的开关信号,一般都取 2K,就不 用再考虑其他的了

我们再来看 MOSFET 的下拉电阻,取多少呢?我们知道三极管的阈值电压是 0.7V,而 MOSFET 的阈值电压远远大于 0.7V,其实这里的阻值选取跟这里阈值电 压有关,如果这里取小了,那么分压之后,一直在它的平台电压,那这个 MOSFET 肯定也是不行的。所以,MOSFET一般地下拉电阻取值可以取大一点,这样MOSFET 开通就不会产生影响,而 MOSFET 的放电更多的是靠前面进行放电,也没事的对 吧。当然,这个电阻也不能太大,否则静电雷击也会对 MOSFET 造成损坏。
MOSFET 下拉电阻选取原则:
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