MOSFET讲解-02（可下载）

我们现在知道了，只要让 MOSFET 有一个导通的阈值电压，那么 这个 MOSFET 就导通了。那么在我们当前的这个电路中，假设 GS 电 容上有一个阈值电压，足可以让 MOSFET 导通，而且电容没有放电回 路，不消耗电流。那么 DS 导通，理论上等效电阻无穷小，我们把这 个等效电阻称之为 Rdson。当 MOSFET 电流达到最大时，则 Rdson 必 然是最小的。对于 MOSFET 来说，Rdson 越小，价格也就越贵。我们 说 MOSFET 从不导通变为导通，等效内阻 Rdson 从无穷大变成无穷小， 当然这个无穷小也有一个值的。MOSFET 导通了，但是它没有回路。

以上这些就是 MOSFET 和三极管的区别。当我们在测量 MOSFET 时，要想测量 Rdson，先用镊子夹在 GS 两端短路掉，把 GS 电压先放 掉，放掉之后再测量 DS 两端的阻抗，否则测出来的值就不准。

接下来我们再来看 MOS 管的损耗问题。

我们说，尽管导通后 Rdson 很小，但是一旦我走大电流，比如 100A， 最终还是有损耗的。我们把这个损耗叫做 MOSFET 的导通损耗，这个 导通损耗，是由 MOSFET 的 Rdson 决定的，当 MOSFET 选型确定了之后，它的 Rdson 不再变了。

另外，DS 上流过的 Id 电流是由负载决定的。既然是由负载决定的， 我们就不能改变电流，所以，我们说 MOSFET 的导通损耗是由 Rdson 决定的。

我们看到，MOSFET 的 DS 之间有一个二极管，我们把这个二极管 称为 MOSFET 的体二极管。假设正向：由 D 指向 S，那么，体二极管 的方向是跟正向相反的，而且，这个体二极管正向不导通，反向会导 通。所以，这个体二极管和普通二极管一样，也有钳位电压，实际钳 位电压跟体二极管上流过的电流是有关系的，体二极管上流过的电流 越大，则钳位电压越高，这是因为体二极管本身有内阻。

体二极管的功耗问题。假设体二极管的压降是 0.7V，那么它的功 耗 P=0.7V*I，所以，它的功耗也是由负载决定的。所以，功耗也蛮大 的。我们把体二极管的功耗称之为续流损耗。

体二极管的参数我们怎么去设置呢？为了安全起见，体二 极管的电流，一般跟 Id 电流是接近或者相等的。另外，我们还要注 意的是，这个体二极管并不是人为的刻意做上去的，而是客观存在的。

对于 MOSFET 来说，我们来讨论 GS 电容问题。

我们要知道，MOSFET 其实并不是一个 MOSFET，它实际上是由若 干个小的 MOSFET 合成的。既然是合成的，我们就讨论下低压 MOSFET和高压 MOSFET 的差异。

假设功率相等：3 KW

低压：24V 电流：125A

高压：310V 电流：9.7A

大家看到没有，低压电流大，高压电流小。从内阻法来分析：如果电 流大，是不是等效为内阻小啊；如果电流小，是不是内阻大啊。所以， 低压器件要求内阻小，高压内阻大了。

从电压角度比较分析：

从耐压来看，则多个串联；从电流来看，则多个并联。所以：

 低压：24V 电流：125A 内阻小 多个管子并联 耐压很难做高 

高压：310V 电流：9.7A 耐压高 多个管子串联 内阻必然大 

所以根据上面分析，得出一个结论：

高压 MOSFET，Rdson 大；低压 MOSFET，Rdson 小。

MOSFET 的 GS 电容：

低压：24V 电流：125A

内阻小 多个管子并联 耐压很难做高 gs 电容大

高压：310V 电流：9.7A

耐压高 多个管子串联 内阻必然大 gs 电容小

由于一个 MOSFET 里面集成了大量的小的 mosfet，实际上在制造工艺的工程中，是用金子来做的。如果里面有一些管子坏了，是测量 不出来的，这就是大品牌和小品牌的差异。

我们来看一下啊，MOSFET 的 GS 电容对管子开通特性的影 响。我们说，高压的管子，它的 GS 电容小。要想把管子开通，无非 是对这个电容充电，让它什么时候充到阈值电压，对不对？那么我们 来看，当电流相等的情况下，对 GS 电容进行充电。

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