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电子发烧友网>电子资料下载>IC datasheet pdf>MOSFET的主要参数理解和特点概述

MOSFET的主要参数理解和特点概述

2020-07-09 | zip | 0.36 MB | 次下载 | 免费

资料介绍

  下文主要介绍 mosfet 的主要参数,通过此参数来理解设计时候的考量一、场效应管的参数很多,一般 datasheet 都包含如下关键参数:

  1 极限参数:

  ID :最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额。IDM :最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。PD :最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。

  VGS :最大栅源电压。

  Tj :最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃ ,器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度,并留有一定裕量。

  TSTG :存储温度范围。

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