赛灵思（Xilinx）今天宣布推出世界最大的FPGA芯片“Virtex UltraScale+ VU19P”，拥有多达350亿个晶体管，密度在同类产品中也是最大的，相比上代Virtex UltraScale VU440增大了1.6倍，而功耗降低了60％。
2019-08-22 16:04:39
11761 其实早在2002年Intel即发现了这一技术，一直处于试验演示阶段，现在终于把它变成了现实，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶体管的数量将达到10亿。
2020-04-07 09:01:21
。 8050晶体管及其等效的8550晶体管设计用于低功耗推挽放大器应用中的互补晶体管对。通常，8050晶体管是2瓦放大器，最大集电极-发射极电流为1.5安培，最大集电极-发射极电压为25伏。 基本晶体管
2023-02-16 18:22:30
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 编辑
世界晶体管手册
2012-11-03 09:08:34
世界晶体管手册.files.rar
2012-04-12 08:43:17
世界首款3D芯片工艺即将由无晶圆半导体公司BeSang授权。 BeSang制造了一个示范芯片，在逻辑控制方面包含1.28亿个纵向晶体管的记忆存储单元。该芯片由韩国国家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
判定前：晶体管的选定～贴装的流程晶体管可否使用的判定方法1. 测定实际的电流、电压波形2. 是否一直满足绝对最大额定值？3. 是否在SOA范围内？4. 在使用环境温度*1下是否在下降的SOA范围内
2019-04-15 06:20:06
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
用。基极电压源通过电阻提供基极电流为了使晶体管成为电子开关工作，需要提供一个电压源，并将其通过电阻与基极相连接。如果要使开关导通，基极电压源通过电阻向晶体管的基极提供足够大的电流IB就可以使得晶体管导
2017-03-28 15:54:24
一、晶体管如何表示0和1 从第一台计算机到EDVAC，这些计算机使用的都是电子管和二极管等元件，利用这些元件的开关特性实现二进制的计算。然而电子管元件有许多明显的缺点。例如，在运行时产生的热量
2021-01-13 16:23:43
时，先将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档，选择晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测试孔，然后按下ICEO键，从表中读出反向击穿电流值即可。2．放大能力的检测 晶体管的放大能力可以用万
2012-04-26 17:06:32
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
过大，则β和hFE也将明显变小。(2) 集电极最大电流ICM晶体管集电极允许通过的最大电流即为ICM。需指出的是，IC大于ICM时晶体管不一定会被烧坏，但β等参数将发生明显变化，会影响晶体管正常工作，故
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
小信号晶体管拥有更大的最大集电极电流、最大集电极功率，对于散热而言，它本身形状就很大 ，有的功率晶体管上还覆盖着金属散热片。晶体管"一词由Transfer（传送信号）和Resistor
2019-04-10 06:20:24
不同的是，用于放大或导通/关断的偏置电流会流经晶体管（基极）。 另外，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管
2020-06-09 07:34:33
，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管是双极晶体管，所以可能有人说表达顺序反了，不过近年来，特别是电源电路中
2018-11-28 14:29:28
有效芯片面积的增加，(2)技术上的简化，(3)晶体管的复合——达林顿，(4)用于大功率开关的基极驱动技术的进步。、直接工作在整流380V市电上的晶体管功率开关晶体管复合(达林顿)和并联都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
是自来水的阀门，发射极是配管，集电极是水龙头。用自来水的构造来举例说明晶体管的作用。把晶体管的3个引脚-基极、集电极和发射极分别视作自来水的阀门、水龙头和配管。通过微小之力（即基极的输入信号）来控制
2019-05-05 00:52:40
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
功率、集电极最大电流、最大反向电压、电流放大系数等参数及外地人形尺寸等是否符合应用电路的要求。 2．末级视放输出管的选用彩色电视机中使用的末级视放输出管，应选用特征频率高于80MHZ的高频晶体管
2012-01-28 11:27:38
1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称为场效应管。 晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区
2021-05-13 06:43:22
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统
2010-08-12 13:57:39
如今随着芯片制程的不断提升，芯片中可以有100多亿个晶体管，如此之多的晶体管，究竟是如何安上去的呢？ 这是一个Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看见CPU内部的层状结构
2020-07-07 11:36:10
CPU上的晶体管有多少个？
2021-02-26 07:14:53
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-05-06 05:00:17
两个N型半导体和一个P型半导体组成。通常，NPN晶体管将一块P型硅（基极）夹在两块N型（集电极和发射极）之间。排列如图1所示。NPN晶体管如何工作？以下是说明NPN晶体管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
低功耗设计中，晶体管控制电路会对电路产生一定的影响。无论是NPN还是PNP，晶体管的PN结都会有漏电流。当I/O控制基极电压时，为了稳定基极电压，一般在NPN开关电路的基极上加一个下拉电阻。在PNP开关电路的设计中，基极增加了一个下拉电阻。上拉和下拉电阻根据控制芯片、晶体管和电路电压进行选择。
2023-02-15 18:13:01
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
QPD1020射频功率晶体管产品介绍QPD1020报价QPD1020代理QPD1020咨询热线QPD1020现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50欧姆输入
2018-07-27 11:20:12
众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
TFT液晶屏里的一个像素点对应多少个薄膜晶体管？
2021-06-19 16:02:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
晶体管是一种有源元件，遍布电子电路。它们用作放大器和开关设备。作为放大器，它们用于高电平和低电平、频率级、振荡器、调制器、检测器以及任何需要执行功能的电路中。在数字电路中，它们用作开关。世界上有大量
2023-08-02 12:26:53
。试验表明，仿真1个月的使用，静态功耗降低大约50%，10年降低78%。静态功耗是晶体管不工作时消耗的能量，这是由于晶体管通道上的电流泄漏引起的。而在现今的芯片设计中，晶体管大部分时间是处于这种状态，因此
2017-06-15 11:41:33
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
调制和振荡器。晶体管可以独立封装，也可以封装在非常小的区域内，容纳1亿个或更多晶体管集成电路的一部分。（英特尔 3D 晶体管技术）严格来说，晶体管是指基于半导体材料的所有单一元件，包括由各种半导体材料
2023-02-03 09:36:05
相当高的总电流增益。输出晶体管的最大集电极电流决定了输出晶体管对的最大集电极电流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空间更少，因为晶体管通常封装在一个器件中。另一个优点是整个电路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
本文探讨了鳍式场效应晶体管的结构、它们在各种应用中的用途，以及它们相对于 MOSFET 的优缺点。 什么是鳍式场效应晶体管？ 鳍式场效应晶体管是一种晶体管。作为晶体管，它是一个放大器和一个
2023-02-24 15:25:29
双极晶体管，具有三个引脚，集电极、基极和发射极。晶体管的增益在 110 到 800 之间，这是决定该晶体管放大率的值。集电极的最大电流为 100mA，因此消耗超过该电流的负载不能连接到该晶体管。偏置
2022-08-30 07:23:58
可以将PNP晶体管定义为通常为“OFF”，但是适度的输出电流和相对于其发射极（E）的基极（B）的负电压将使其“打开”，从而允许大的发射极-集电极电流流动。我可以用NPN代替PNP吗？如果您还记得一个简单
2023-02-03 09:45:56
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing达林顿结构是提高电流增益的一种有效方式。达林顿GTR由两个或多个晶体管复合而成，可以是PNP或NPN型，如图2所示，其中V1为驱动管，可饱和，而V2为输出管
2018-01-15 11:59:52
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing达林顿结构是提高电流增益的一种有效方式。达林顿GTR由两个或多个晶体管复合而成，可以是PNP或NPN型，如图2所示，其中V1为驱动管，可饱和，而V2为输出管
2018-01-25 11:27:53
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
长度为350nm。所以我用这些单元模拟了一个电路。现在我需要在Xilinx FPGA芯片（xilinx ISE）中实现它，并比较这两者之间的延迟。为了使比较合理，我需要确保两者中的晶体管沟道长度相同。所以我正在寻找一种具有350nm通道长度的FPGA芯片。有人能帮我吗？谢谢
2019-11-11 07:10:27
存储单元”是构成“静态存储器”（SRAM）的最基本单元。其中每一个BIT存储在4个晶体管构成的2个交叉耦合的反相器中。而另外2个晶体管作为“写控制电路”的控制开关。 有趣的是，搭建这个电路需要严格对称
2017-01-08 12:11:06
场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2
2018-11-05 17:16:04
场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2
2009-04-25 15:43:51
hfe或β表示。hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。（二）耗散功率耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散
2012-07-11 11:36:52
电流，进而改变流过给定晶体管的集电极电流。 如果我们达到集电极电流的最大流量，则晶体管已饱和。将晶体管导通所需的输入电压和电流量由基极电阻决定 图5. 数字逻辑晶体管开关 在R上方的电路
2023-02-20 16:35:09
先生，我使用了两个ATF54143晶体管（偏置Vds = 3V，Ids = 60mA）和连接的电容分流反馈，电容器连接在一个晶体管的源极和另一个晶体管的漏极之间。我试图给两个晶体管提供偏置，实现了一
2019-01-14 13:17:10
们测量NPN管时，正极测试引线连接到发射极，负极测试引线连接到集电极。测得的电阻一般应超过几千欧姆。 然后在基极和集电极之间串联一个100kΩ电阻。此时，万用表测量的电阻值应显着降低。变化越大，晶体管
2023-02-14 18:04:16
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
~3.3nf。当Nb上端产生一个正的驱动电压时，由于电容两端电压不能突变，上电瞬间电容如同短路，因此可认为为VT1提供了很大的正向基极电流，使晶体管迅速导通。之后，电容CB被充电至激励电压的峰值而进入稳态
2020-11-26 17:28:49
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
最大额定值的范围内，有时也会超出SOA的范围。（参照下例）例：2SD2673 ･安全工作区域4. 在使用环境温度*1下是否在下降的SOA范围内？*1 按照使用环境温度或因晶体管发热温度上升时的元件温度
2019-05-05 09:27:01
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
先生，我已将一个晶体管连接到另一个晶体管。如何实现两个晶体管Vds = 3V和Ids = 60mA的偏置。我使用了两个ATF54143晶体管，并在一个晶体管X2（如图所示）Vds = 3v（电压差为
2018-12-27 16:09:48
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基础上计算将R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流
2019-04-09 21:49:36
和二硫化钼（MoS2）制作而成。MoS2将担起原本半导体的职责，而纳米碳管则负责控制逻辑门中电子的流向。眼下，这一研究还停留在初级阶段，毕竟在14nm的制程下，一个模具上就有超过10亿个晶体管，而要
2016-10-08 09:25:15
小信号晶体管拥有更大的最大集电极电流、最大集电极功率，对于散热而言，它本身形状就很大 ，有的功率晶体管上还覆盖着金属散热片。晶体管"一词由Transfer（传送信号）和Resistor
2019-05-05 01:31:57
晶体管寿命的最关键测试之一。因此，它采用了10，000个晶体管，取自20个不同的批次，远远超出了JEDEC的要求。累计对应于10亿个设备和小时等效操作的数据。在测试期间没有观察到故障，证明松下设定的所述
2023-02-27 15:53:50
输出LLC转换器，以进行效率和功率密度比较。初级晶体管选择LLC具有多种优势，因为它具有完全谐振行为，允许在整个范围内进行软开关导通，这本质上有助于最大限度地减少功率晶体管和磁性元件的损耗。在图2中
2023-02-27 09:37:29
求51单片机 STC89c526个晶体管问题按下键1 晶体管1闪烁 键2+，键3-，键4修改闹钟时间，再按键1 晶体管2闪烁 键2+，键3-，键4修改闹钟时间，以此类推。求大神帮助
2017-03-12 19:59:39
求购双极晶体管BD249C，NPN，30个，要求现货。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
100GHz以上。 电子管是利用静电场对电子流的控制来工作的，是电压控制元件，与MOS场效应管的工作原理有些相似。所以输入阻抗极高，输入信号只要电压，不需要电流。晶体管是利用半导体器件内杂质浓度的差异
2016-01-26 16:52:08
一个复杂芯片的成本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达2.89亿个。晶体管的低成本
2017-09-19 10:22:59
译码器，以及其它的连线资源，做成一个LUT－4，至少需要16&TImes;6＋8个晶体管。那么做一个4输入逻辑，设计的好的话如果用晶体管来做最多使用不超过8个晶体管。假设用LUT来做，相当于
2020-12-19 09:43:51
见证者，肖克莱在这本笔记上郑重地签了名。1948年，肖克莱发明了“结型晶体管 ”。1948年7月1日，美国《纽约时报》只用了8个句子的篇幅，简短地公开了贝尔实验室发明晶体管的消息。“一石激起千层浪”，它就像颗重磅***，在全世界电子行业“引爆”出强烈的冲击波。电子计算机终于就要大步跨进第二代的门槛！
2012-08-02 23:55:11
时钟多米诺逻辑是晶体管级的结构，请问其结构如何，有何作用？如何理解比较好。
2019-07-25 05:56:04
）；晶体管集电极的电大耐压值，取决于VCEO（Collector-Emitter Voltage）；晶体管能承受的最大功耗，取决于PD（Total Device Dissipation）。图1一个NPN
2016-06-03 18:29:59
扩展了旗下 16 纳米 (nm)Virtex® UltraScale+™ 产品系列。VU19P拥有 350 亿个晶体管，有史以来单颗芯片最高逻辑密度和最大I/O 数量，用以支持未来最先进 ASIC 和 SoC 技术的仿真与原型设计，同时，也将广泛支持测试测量、计算、网络、航空航天和国防等相关应用。
2020-11-02 08:34:50
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
赛灵思已向客户推出世界最大容量FPGA:Virtex-7 2000T。这款包含68亿个晶体管的FPGA具有1954560个逻辑单元，容量相当于市场同类最大28nm FPGA的两倍
2011-10-26 14:31:291491 Stratix 10 GX 10M FPGA拥有1020万个逻辑单元，现已量产。该款元件密度极高的FPGA，是基于现有的英特尔 Stratix 10 FPGA 架构以及英特尔先进的嵌入式多芯片互连桥接 (EMIB) 技术。
2019-11-06 17:53:133749 根据Tom＇s Hardware的报道，今天，英特尔推出了世界上最大的FPGA芯片Stratix 10 GX 10M，搭载433亿个晶体管，拥有1020万个逻辑元件，使用EMIB将两个FPGA芯片和四个收发芯片连接在一起。
2019-11-07 14:32:194049 Intel近日宣布推出一款新的也是目前世界上规模最大的FPGA芯片，这块名为Stratix 10 GX 10M的FPGA芯片以14nm工艺之力集成了433亿个晶体管，在达成世界最大这个记录的同时它使用了Intel较新的EMIB技术实现两个FPGA核心之间的连接。
2019-11-07 14:49:581328 Intel今天宣布推出全球容量最大的FPGA Stratix 10 GX 10M，在70×74毫米的封装面积内拥有多达1020万个逻辑单元，是此前最大Stratix 10 GX 1SG280的大约3.7倍，但是功耗降低了40％。
2019-11-11 15:20:30941 2019年11月6日，英特尔公司在京发布了Stratix 10 GX 10M FPGA，这款拥有1020万个逻辑单元的产品，打破了业界先前的纪录，成为了世界上最大容量的FPGA。
2019-11-12 14:36:561695 Intel正式宣布全球容量最大的Stratix 10 GX 10M FPGA量产，它拥有1020 万个逻辑单元，433亿颗晶体管。这一产品的推出，打破了Xilinx全球三代最大容量FPGA的保持纪录。高端FPGA竞争硝烟再起，未来还有哪些看点？
2019-11-13 08:49:1811890 据外媒techspot报道，今年夏天，美国加州AI初创公司Cerebras Systems宣布推出世界上最大的芯片，这款名为“The Cerebras Wafer Scale Engine（WSE）”的芯片拥有1.2万亿个晶体管，其当时就被认为就是为AI计算而生的。
2019-11-20 14:44:083631 在北京举办的 IntelFPGA 技术大会上，Intel 发布全球最大容量的全新 Stratix 10 GX 10M FPGA。这是全球密度最高的 FPGA，拥有 1020 万个逻辑单元，433 亿颗晶体管，现已量产，即日出货。
2019-11-20 17:11:211026 提出了一种仅在一个晶体管上制作的正负逻辑通用无源逻辑元件。逻辑元件至少有两个输入，以及三个输出：一个 OR、一个 XOR 和一个 AND，同时工作。给出了使用这种设备作为“只有两个”逻辑元素的一部分以及 RS 触发器的一部分的示例。
2023-06-10 17:11:00810 
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