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齐纳/稳压二极管LGEBZT52C8V2

数据:

最大耗散功率 : 500mW
包装 : Tape/Reel
安装类型 : SMT
正向压降VF Max : 0.9V
Zzk阻抗Max : 80Ω
元件生命周期 : Active
存储温度 : -65~+150℃
高度 : 1.35mm
长x宽/尺寸 : 2.85 x 1.70mm
最小包装 : 3000pcs
原产国家 : China
原始制造商 : Luguang Electronic Technology Co., Ltd.
品牌 : LGE
零件状态 : Active
反向漏电流IR : 0.7μA
工作温度 : -65~+150℃
封装/外壳 : SOD123
表面安装齐纳二极管
BZT52C8V2由LGE设计生产。BZT52C8V2封装/规格:最大耗散功率/500mW:包装/Tape/Reel:安装类型/SMT:正向压降VF Max/0.9V:Zzk阻抗Max/80Ω:元件生命周期/Active:存储温度/-65~+150℃:高度/1.35mm:长x宽/尺寸/2.85 x 1.70mm:最小包装/3000pcs:原产国家/China:原始制造商/Luguang Electronic Technology Co., Ltd.:品牌/LGE:零件状态/Active:反向漏电流IR/0.7μA:工作温度/-65~+150℃:封装/外壳/SOD123:,表面安装齐纳二极管。你可以下载BZT52C8V2中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有齐纳/稳压二极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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