封装/外壳 ：
SOIC14_150MIL
通道数 ：
4
电源电压，单/双（±） ：
4.5V~40V,±2.25V~20V
输入偏置电流 ：
1pA
压摆率 ：
13V/μs
输出类型 ：
-
CMRR - 共模抑制比 ：
105dB
-3db带宽 ：
-
增益带宽积（GBP） ：
3MHz
工作温度 ：
0℃~+70℃
存储温度 ：
-65~+150℃
脚间距 ：
1.27mm
引脚数 ：
14Pin
安装类型 ：
SMT
长x宽/尺寸 ：
8.65 x 3.90mm
高度 ：
1.75mm
元件生命周期 ：
Active
原始制造商 ：
Texas Instruments Incorporated
原产国家 ：
America
认证信息 ：
RoHS
J-FET 放大器 4 电路 14-SOIC
TL084CDR由TI设计生产。TL084CDR封装/规格：封装/外壳/SOIC14_150MIL：通道数/4：电源电压，单/双（±）/4.5V~40V,±2.25V~20V：输入偏置电流/1pA：压摆率/13V/μs：输出类型/-：CMRR - 共模抑制比/105dB：-3db带宽/-：增益带宽积（GBP）/3MHz：工作温度/0℃~+70℃：存储温度/-65~+150℃：脚间距/1.27mm：引脚数/14Pin：安装类型/SMT：长x宽/尺寸/8.65 x 3.90mm：高度/1.75mm：元件生命周期/Active：原始制造商/Texas Instruments Incorporated：原产国家/America：认证信息/RoHS：，J-FET 放大器 4 电路 14-SOIC。你可以下载TL084CDR中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JFET输入放大器详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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