JFET输入放大器TITL082IDR

封装/外壳 ： SOIC8_150MIL
通道数 ： 2
电源电压，单/双（±） ： 10V~30V,±5V~15V
输入偏置电流 ： 30pA
压摆率 ： 13V/μs
输出类型 ： -
CMRR - 共模抑制比 ： 86dB
-3db带宽 ： -
增益带宽积（GBP） ： 3MHz
工作温度 ： -40℃~+85℃
存储温度 ： -65~+150℃
引脚数 ： 8Pin
安装类型 ： SMT
长x宽/尺寸 ： 4.90 x 3.90mm
高度 ： 1.75mm
元件生命周期 ： Active
原始制造商 ： Texas Instruments Incorporated
原产国家 ： America
认证信息 ： RoHS
双路，30-V，3-MHz，13-V/µs转换速率，输入到V+，JFET输入运算放大器
TL082IDR由TI设计生产。TL082IDR封装/规格：封装/外壳/SOIC8_150MIL：通道数/2：电源电压，单/双（±）/10V~30V,±5V~15V：输入偏置电流/30pA：压摆率/13V/μs：输出类型/-：CMRR - 共模抑制比/86dB：-3db带宽/-：增益带宽积（GBP）/3MHz：工作温度/-40℃~+85℃：存储温度/-65~+150℃：引脚数/8Pin：安装类型/SMT：长x宽/尺寸/4.90 x 3.90mm：高度/1.75mm：元件生命周期/Active：原始制造商/Texas Instruments Incorporated：原产国家/America：认证信息/RoHS：，双路，30-V，3-MHz，13-V/µs转换速率，输入到V+，JFET输入运算放大器。你可以下载TL082IDR中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JFET输入放大器详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程