MOSFETsDIODESDMG7430LFG-7
数据：
DMG7430LFG_DIODES.pdf
配置 ：
单路
阈值电压Vgs(th) ：
2.5V
漏极电流Idss ：
10.5A
晶体管类型 ：
N沟道
功率耗散 ：
900mW
充电电量 ：
26.7nC
反向传输电容Crss ：
125pF
栅极源极击穿电压 ：
±20V
极性 ：
N-沟道
高度 ：
0.80mm
长x宽/尺寸 ：
3.30 x 3.30mm
原产国家 ：
America
原始制造商 ：
Diodes Incorporated
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） ：
11毫欧@20A，10V
是否无铅 ：
Yes
系列 ：
-
零件状态 ：
Active
漏源电压(Vdss) ：
30V
连续漏极电流Id@25℃ ：
10.5A
工作温度 ：
-55℃~+150℃(TJ)
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
PowerDI3333-8
表面贴装型 N 通道 30 V 10.5A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
DMG7430LFG-7由DIODES设计生产。DMG7430LFG-7封装/规格：配置/单路：阈值电压Vgs(th)/2.5V：漏极电流Idss/10.5A：晶体管类型/N沟道：功率耗散/900mW：充电电量/26.7nC：反向传输电容Crss/125pF：栅极源极击穿电压/±20V：极性/N-沟道：高度/0.80mm：长x宽/尺寸/3.30 x 3.30mm：原产国家/America：原始制造商/Diodes Incorporated：不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）/11毫欧@20A，10V：是否无铅/Yes：系列/-：零件状态/Active：漏源电压(Vdss)/30V：连续漏极电流Id@25℃/10.5A：工作温度/-55℃~+150℃(TJ)：安装类型/SMT：封装/外壳/PowerDI3333-8：，表面贴装型 N 通道 30 V 10.5A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8。你可以下载DMG7430LFG-7中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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