--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 DFN8(5X6)封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品详细参数说明
- **型号:** IRLH5036TRPBF-VB
- **丝印:** VBQA1603
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** DFN8(5X6)
#### 参数:
- **沟道类型:** N—Channel
- **最大沟道电压:** 60V
- **最大持续电流:** 100A
- **导通电阻:** RDS(ON)=3mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压:** Vth=2V

### 应用简介
该产品属于N-沟道场效应晶体管(N-Channel MOSFET),具有高电流、低导通电阻和适中的阈值电压等特点,适用于多种电源和开关电路应用。
### 产品应用领域
1. **电源管理模块:** 由于其高电流和低导通电阻,可广泛用于开关电源和稳压模块中,提高系统的能效。
2. **电机驱动:** 适用于电机控制领域,可用于电动工具、电动汽车等领域,实现高效的电机驱动。
3. **照明控制:** 可作为照明控制模块的关键元件,提高灯具的亮度调节和效能。
4. **电池管理:** 在电池充放电管理中发挥作用,提高充电效率和延长电池寿命。
### 使用注意事项
1. **电压限制:** 确保工作电压不超过60V,以避免损坏器件。
2. **电流注意:** 在规定的电流范围内使用,超过最大持续电流可能导致过热。
3. **静电防护:** 在操作过程中,采取静电防护措施,避免静电损伤器件。
4. **温度控制:** 注意工作温度范围,确保在规定的温度条件下使用,以维持性能和可靠性。
5. **引脚连接:** 准确连接引脚,避免反接等操作,以免损坏器件。
通过合理应用和注意事项的遵守,IRLH5036TRPBF-VB可以在各种电子领域中发挥重要作用,提高系统性能和效率。
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