型号：ME20N10-VB
丝印：VBE1101M
品牌：VBsemi
参数：N沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)；TO252
封装：TO252
详细参数说明：
- 型号：ME20N10-VB
- 丝印：VBE1101M
- 品牌：VBsemi
- 沟道类型：N沟道
- 最大耐压：100V
- 最大电流：18A
- 静态导通电阻：115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V
- 门源极电压：20Vgs (±V)
- 阈值电压：1.6V
应用简介：
ME20N10-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种电子模块和应用，特别是在需要中等电流开关和适度导通电阻的情况下。
应用领域：
这种产品通常用在以下领域的模块上：
1. 电源供应模块：用于电源开关和电流控制，如电源适配器和开关电源。
2. LED驱动模块：控制LED亮度和色温，实现能效优化，如LED照明驱动电路。
3. 电子开关模块：在各种开关应用中，如照明开关、电源管理开关等。
4. 电池充放电保护模块：用于保护电池和管理电池状态，如便携式电子设备。
5. 电机控制模块：用于电机速度和方向控制，如小型电动工具。
这款器件的中等电流承受能力和适度导通电阻使其适用于各种低至中等功耗应用，有助于提高电子系统的性能和效率。
