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LM6152 双路和四路 75 MHz GBW 轨至轨 I/O 运算放大器

数据:

描述

使用获得专利的电路拓扑结构,LM6152 /LM6154可在以前需要降低低压电源或功率限制的应用中提供新级别的速度与功率性能。该器件的75 MHz增益带宽仅为1.4 mA /放大器电源电流,支持新型便携式应用,其中较高功率器件不可接受地耗尽电池寿命。器件的压摆率随输入差分电压的增加而增加,从而使器件能够处理容性负载,同时保持较大的信号幅度。

LM6152 /LM6154可由超过两个电源轨的电压驱动,从而消除了对超过共模电压范围的担忧。轨到轨输出摆幅能力可在输出端提供最大可能的动态范围。在低电源电压下工作时,这一点尤为重要。

LM6152 /LM6154采用2.7 V至24 V以上的电源供电,适用于各种应用,具有大带宽的电池供电系统对高速仪器的要求。

特性

  • 在V S = 5V时,除非另有说明,否则为典型值。
  • 大于轨道到达-rail输入CMVR
    -0.2 5V至5.25 V
  • 轨到轨输出摆幅0.01 V至4.99 V
  • 宽增益带宽75 MHz @ 100 kHz
  • 压摆率
    • 小信号5 V /μs
    • 大信号45 V /μs
  • 低电源电流1.4 mA /放大器
  • 2.7 V至24 V的宽电源范围
  • 2 V步进的快速建立时间为1.1μs(至0.01%)
  • PSRR 91 dB
  • CMRR 84 dB

参数 与其它产品相比 高速 运算放大器 (GBW>=50MHz)

 
Architecture
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
BW @ Acl (MHz)
Acl, min spec gain (V/V)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Vn at Flatband (Typ) (nV/rtHz)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Rail-to-Rail
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
CMRR (Typ) (dB)
Input Bias Current (Max) (pA)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
GBW (Typ) (MHz)
Output Current (Typ) (mA)
@ MHz
LM6152
Bipolar    
2    
2.7    
24    
75    
1    
30    
9    
9    
1.4    
2    
In
Out    
Decompensated    
Catalog    
0 to 70    
SOIC    
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)    
94    
980000    
10    
75    
6.2    
0.1    

方框图 (2)

技术文档

数据手册(1)
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