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数据： CSD75208W1015 双路 20V 共源 P 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。导通电阻与小型低厚度封装结合在一起，使得此器件成为电池供电运行空间受限应用的理想选择。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| CSD75208W1015 |
|---|
| -20 |
| -6 |
| Dual Common Source |
| 108 |
| 150 |
| 285 |
| -22 |
| -1.6 |
| 1.9 |
| 0.23 |
| 0.48 |
| -0.8 |
| WLP 1.0x1.5 |
型号：CSD75208W1015T 封装：DSBGA6
品牌：TI 描述：MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=-6V ID=1.6A RDS(ON)=68mΩ@4.5V DSBGA6
金额：￥7.20443
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