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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD23285F5 12V P 沟道 FemtoFET MOSFET

数据： CSD23285F5 -12V P 通道 FemtoFET™ MOSFET 数据表 (Rev. A)

描述

这款29mΩ，-12V P沟道FemtoFET™MOSFET技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。

特性

低导通电阻
低Q _g和Q _gd
超小尺寸
- 1.53mm x 0.77mm
- 0.5mm焊盘间距
薄型
- 高度为0.35mm
集成型静电放电（ESD）保护二极管
- 额定值＆gt; 4kV人体放电模式（HBM）
- 额定值＆gt;
- 符合RoHS环境标准

参数与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)

CSD23285F5
-12
-6
Single
35
47
80
-31
-3.3
3.2
0.48
0.66
-0.65
LGA 0.8x1.5

方框图 (1)

技术文档

数据手册（1）

CSD23285F5 -12V P 通道 FemtoFET™ MOSFET 数据表 (Rev. A)

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