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这款30V，4.0mΩ，SON 3.3mm×3.3mm NexFET功率MOSFET被设计成功率转换应用中以最大程度降低电阻。
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要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录.R θJA = 50°C /W ，这是在一个厚度0.06英寸环氧树脂（FR4）印刷电路板（PCB）上的1英寸 2 ，2盎司的铜焊盘上测得的典型值
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD17577Q3A |
|---|
| 30 |
| Single |
| 6.4 |
| 4.8 |
| 239 |
| 13 |
| 2.8 |
| SON3x3 |
| 20 |
| 1.4 |
| 83 |
| 35 |
| Yes |
型号：CSD17577Q3A 封装：VSONP8
品牌：TI 描述：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=4.8mΩ@10V VSONP8
金额：￥6.84470
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