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这款30V，3.5mΩ，SON 5mm×6mm NexFET功率MOSFET被设计成功率转换应用中以最大程度降低电阻。
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要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录.R θJA = 40°C /W，这是在一个厚度0.06英寸的环氧树脂（FR4）印刷电路板（PCB）上的1英寸 2 ，2盎司的铜焊盘上测得的典型值
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD17577Q5A | CSD17576Q5B | CSD17581Q5A |
|---|---|---|
| 30 | 30 | 30 |
| Single | Single | Single |
| 5.8 | 2.9 | 4.2 |
| 4.2 | 2 | 3.4 |
| 280 | 400 | 256 |
| 13 | 25 | 20 |
| 2.8 | 5.4 | 4 |
| SON5x6 | SON5x6 | SON5x6 |
| 20 | 20 | 20 |
| 1.4 | 1.4 | 1.3 |
| 83 | 184 | 123 |
| 60 | 100 | 60 |
| Yes | Yes | Yes |
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