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此NexFET功率MOSFET的设计大大减少了功率转换中的损失并针对5V栅极应用进行了优化。
在1中< sup> 2 2盎司纯铜（Cu）（2 oz。）且厚度为0.060“的环氧板（FR4）印刷电路板（PCB）上，R θJA = 40 °C /W（典型值）。脉宽≤300μs，占空比≤2％
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD16342Q5A |
|---|
| 25 |
| Single |
| 5.5 |
| 131 |
| 6.5 |
| 1.2 |
| SON5x6 |
| 6.1 |
| 10 |
| 0.85 |
| 100 |
| Yes |
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