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FFSB10120A-F085 汽车碳化硅(SiC)肖特基二极管 1200V
数据:
数据表:碳化硅肖特基二极管 - 1200 V,10 A.
碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系统尺寸和成本。
特性
最高结温175°C
AEC-Q101合格且PPAP能力
雪崩额定200 mJ
无逆向恢复/无正向恢复
易于平行
高浪涌电流容量
正温度系数
应用
汽车HEV-EV车载充电器
汽车HEV-EV DC-DC转换器
电路图、引脚图和封装图
技术文档
数据手册(1)
相关资料(5)
数据表:碳化硅肖特基二极管 - 1200 V,10 A.
产品概览
D2PAK-3(TO-263,3-LEAD)
1200V SiC二极管(LTSpice)
1200V SiC二极管(PSpice)
1200V SiC二极管(SIMetrix)
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