MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电（少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压（想想U=Q/C）将管子损坏），又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
2016-04-06 14:21:34
9667 较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。
2018-01-08 10:13:5121367 LED是光电半导体器件，在装配过程中容易被静电击伤。这就需要在装配过程中进行静电防护。
2012-03-27 17:26:132748 尺寸：1.6*1.5*0.6mm静电击穿电压：（ESD） 2000（V）产品波长：R615-630 B:460-475nm额定电流：0.02（A）产品亮度：100-200mcd B:100-200mcd
2019-02-21 11:36:51
静电防护就是消除静电或把静电压控制在允许的范围，使它不致产生危害。简单地说就是防止静电累积到一定程度后，去击穿一些电子产品，造成不必要的报废率，增加成本，造成浪费。 LED生产车间的静电防护，大家
2012-12-24 14:05:34
在调试LED电源的过程中，结果LED元件被击穿了！！ 这是什么原因？求大神解答～
2015-12-29 16:43:43
LED显示屏生产过程中静电的来源是什么?LED显示屏生产中的如何防静电?
2021-06-03 06:23:07
生产电动车前大灯，采用ＬＥＤ灯,生产过程中也重视了元件的采购和静电防护,出厂检验也相当严格,可供货后检验总是出现死灯现象。求助：1、解决方案。2、有没有质量更稳定的LED灯可供采购。
2008-12-25 10:49:31
LED电源测试过程中，常遇到的LED击穿现象了。在进行LED电源的新产品样机测试时，一旦遇到LED元件被静电击穿的现象，说明所设计的电路中有不合理的因素存在，此时工程师需要及时的进行电路设计调整并重新测试。
2016-01-12 11:40:51
因此而导入大地。不拆机器，它本身的静电对它没有什么影响。但是人体带的静电对电脑可能造成致命的损坏。所以使用电脑时，除了正常的维护外，如防尘、防震、防潮等外，还有少为人知的静电对电脑的危害。为此注意：不能把电源线的地线去掉，而是让它与大地充分地接好；人体自身首先与其它物体接触放电，以防静电击穿电子线路。
2013-08-06 09:49:14
其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。 静电击穿有两种
2022-05-14 10:22:39
和身体上大量积累； 第三，在运输和储存过程中要将电脑整机或零部件置于静电屏蔽袋或导电搬运箱内进行运输防止集成电路芯片被静电击穿。 第四，使用或维护过程中触及电脑内任何电路时，规范的做法是戴上
2012-12-14 13:10:44
LED死灯有很多种原因，但由于LED本身抗静电能力弱，因此，大部分死灯都是由于静电击穿造成的。LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节，难免不受静电
2013-06-03 12:57:51
原因，而不能确定击穿点，图一为被ESD击穿的LED芯片。反向放电时，电流较正向放电集中，功率密度大，因此LED反向放电ESD失效阈值较正向低得多。#p#副标题#e# 四、LED静电放电敏感度检测
2013-02-20 09:24:22
`各位大佬们，为啥我一上电24V，电容发热，热敏电阻被击穿啊`
2019-11-16 11:02:24
三极管，不可的话考虑MOS MOS管被击穿的原因及解决方案如下 第一、MOS管自身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又十分小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成适当高
2019-05-30 00:34:14
在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极
2017-06-01 15:59:30
在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极
2017-08-22 10:31:15
MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？
2021-02-02 07:46:24
在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成***，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成
2016-07-21 10:55:02
其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。而静电击穿有两种方式，电压
2019-02-12 13:59:28
电路如图，实测电路上电后，当出现负载短路、过流时，MOS管关断，电源无输出。但是，如果先将负载短路，再给电路上电，则Q2管子会被击穿，有时甚至有炸管的现象。请教各位帮忙分析一下该如何改进
2020-02-16 07:00:00
本人对电子器件一窍不通, 请教各位大侠: 为什么6500V的高压测试不会把电热毯PCB芯片(温控器)中的三极管击穿损坏, 而静电却很容易损坏该三极管?
2008-07-18 14:29:14
，空穴被强电场驱到P区，电子被强电场驱到N区，使反向电流猛增。这种由于强电场的作用，直接产生大量电子-空穴对而使反向电流剧增的现象叫做齐纳击穿。齐纳击穿常发生在掺杂浓度比较高的PN结中，因为
2022-03-27 10:15:25
人们对ESD静电现象的初步认识很早就有记载，１８世纪中叶，电学实验逐渐普及，在法国和荷兰有不少人公开表演认为娱乐。1731年，英国牧师格雷从实验中发现，由摩擦产生的电在玻璃和丝绸这类物体上可以保持
2013-11-28 09:16:37
什么是电容击穿？电容器被击穿的条件是什么？电容击穿是开路还是短路？电容击穿的原因是什么？如何避免介质击穿？
2021-06-18 09:59:11
静电屏蔽袋或导电搬运箱内进行运输防止集成电路芯片被静电击穿。 第四，使用或维护过程中触及电脑内任何电路时，规范的做法是戴上防静电腕套。对广大的普通用户而言，可以先碰一下电脑机箱金属机壳以释放身体上
2013-05-30 10:20:08
电场的能量达到一定程度后，击穿其间介质而进行放电的现象就是静电放电． 4、静电敏感度：元器件所能承受的静电放电电压． 5、静电敏感器件：对静电放电敏感的器件． 6、接地：电气连接到能供给或接受大量电荷
2019-07-02 06:42:48
非常小心，特别是功率较小的MOS管，由于功率较小的MOS管输入电容比较小，接触到静电时产生的电压较高，容易引起静电击穿。 而近期的增强型大功率MOS管则有比较大的区别，首先由于功能较大输入电容也比较
2018-11-01 15:17:29
，不可的话考虑MOS MOS管被击穿的原因及解决方案如下 第一、MOS管自身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又十分小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成适当高
2018-12-10 15:04:30
根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
很大程度上解决防静电击穿的问题，例如用SiC 做衬底，使P 和N 的两个电极从两个面引出，可以较大程度上解决这一问题，再如用Flip-Chip，在LED PN 结两端在硅片上制作两个背对背稳压管箝位
2013-12-09 20:52:57
，防止静电在设备、家具和身体上大量积累。 3、在运输和储存过程中要将电脑整机或零部件置于静电屏蔽袋或导电搬运箱内进行运输，防止集成电路芯片被静电击穿。 4、使用和维护过程中，在触及电脑内任何电路
2013-03-29 10:25:46
将设备内部的器件损坏。 图1 人体静电模型 二、为什么仪器这么容易被静电击穿呢？ 仪器类产品通常需要满足IEC61326-1标准的电磁兼容性要求，该标准中包含了静电抗扰度试验，要求仪器类产品依据
2018-10-18 16:49:25
`<p> 挖掘mos管被击穿的原因及解决方案 一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上
2018-11-05 14:26:45
电（少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压（想想U=Q/C）将管子损坏），又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使
2018-10-22 15:35:34
` 相信很多人都不小心被静电电过吧，那种滋味可不好受。说起这静电吧，它也是调皮的，心情不好的时候除了电电我们，其他东西也殃及其中，那今天我们来讲讲静电是怎样把MOS管击穿的。 MOS管被静电击穿
2019-02-15 11:33:25
焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。 静电的基本物理特征为：有吸引或排斥的力量;有电场存在，与大地有电位差;会产生放电电流
2012-07-14 15:34:14
打开电脑拍，人体自身首先与其它物体接触放电，以防静电击穿电子线路。 电脑理想的工作温度应在10℃～35℃,太高...湿度太低易产生静电,同样对配件的使用不利。另外,空气中灰尘含量对电脑影响也较大。灰尘太大,天长日久就会腐蚀各配件、芯片的电路板;含量过小,则会产生静电。信息来自：努力工作 努力学习商城
2013-02-22 10:14:43
模型电路二、为什么仪器这么容易被静电击穿呢？仪器类产品通常需要满足IEC61326-1标准的电磁兼容性要求，该标准中包含了静电抗扰度试验，要求仪器类产品依据IEC61000-4-2，需满足接触放电
2020-05-30 07:46:12
`电容击穿的概念 电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。 电容器被击穿的条件 电容器被击穿的条件
2018-03-28 10:17:36
电容击穿的概念电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。电容器被击穿的条件电容器被击穿的条件达到击穿电压
2020-03-16 07:48:34
现在怀疑板子上的电容被击穿了，请问电容被击穿是开路还是短路？谢谢
2016-11-29 21:04:02
本帖最后由 yangk1990 于 2013-3-8 17:11 编辑
本人初学，需要设计一个示波器观测电容器被击穿的波形(或者可变电容逐渐减小到变成导体也行)，但电容器的击穿着实不会...希望大神们能够指点一下！
2013-03-07 20:38:47
、防潮等外，还有少为人知的静电对电脑的危害。为此注意：一是不能把电源线的地线去掉，而是让它与大地充分地接好；二是打开电脑拍，人体自身首先与其它物体接触放电，以防静电击穿电子线路。
2013-01-08 13:35:34
目前大概用了50000片芯片，其中1片芯片EN脚关不断，综合分析了各种可能发生的原因，怀疑是芯片静电击穿，只有1PCS，开盖分析没有明显不良，要怎么证明是静电击穿啊
2023-03-29 15:07:01
现象：将LED当做开关面板的指示灯用，串联了一个200kΩ的电阻，直接接在L/N极两端（220V，50HZ），结果点亮测试有部分无法发光；测量LED两端电阻相等，约为1MΩ（外用表200兆欧档），良
2016-03-22 16:51:30
超大规模集成电路广泛采用 CMOS(复合金属氧化物半导体)材料，CMOS器件具有集成度高、成本低、速度快、能耗低的优点，因此使用范围很广。然而，CMOS器件的一个致命的弱点是静电敏感度高，很容易被ESD击穿。ESD
2012-02-27 16:17:50
电击的电压最少3000V，而一些先进的电子元件可能会被低于1000V的电压损坏，甚至低于10V的电压也能把IC击穿。 ③、防静电采用的工具和措施http://www.smtsmt1.com A、采用
2011-08-25 17:58:29
电流的损耗。工程师设计降压转换器时经常忽视“击穿”的问题。每当高端及低端 MOSFET 同时全面或局部启动时，便会出现“击穿”的现象，使输入电压可以将电流直接输送到接地。 击穿现象会导致电流在开关
2022-01-03 07:30:24
什么是静电 什么叫静电
A、静电现象 一、静电的益与害： 益：静电成像、静电喷涂、静电除尘已被 广泛应用。 害：1、第一艘阿波罗载人
2008-01-15 10:09:214632 LED柔性灯带 8大不亮原因解析
LED柔性灯带在经过重重检测和把关之后，还是会有不亮的现象。究其原因，有如下几种：
2009-12-16 14:13:561908 环境中各种不同模式的静电，包含人体静电或机械静电，均会对LED造成损坏。当静电通过感应或直接触碰于LED的两个引脚上的时候，电位差将直接作用在 LED两端，而电压超过LED的承受值时，静电电荷以极短时间内在LED两个电极间进行放电，造成LED绝缘部位损坏，产生漏电或短路等现象。
2013-06-17 15:06:322311 
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
2016-06-02 11:01:592847 静电放电是导致元器件击穿危害和对电子设备的运行产生干扰的主要原因。在电子产品的生产中，从元器件的预处理、安装、焊接、清洗、至单板测试、总测、直到包装、储存、发送等工序，都可能产生对器件的静电放电击穿危害。
2017-09-18 14:29:24
4 我的图文
2017-09-25 17:28:247853 ，光衰加重，甚至出现死ce灯现象，静电对LED品质有非常重要的影响。LED的抗静电指标绝不仅仅是简单地体现它的抗静电强度，LED的抗静电能力与其漏电值、整体可靠性有很大关系，更是一个整体质素和可靠性的综合体现。因为往往抗静电高的LED，它的光特性、电特性
2017-10-12 18:00:3210 MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。 静电击穿有两种方式： 一是
2017-12-10 11:36:031 静电感应干扰是累积电荷高电压放电的电击现象。干扰表现是非持续性的，但是可以对电子设备造成永久性损害。用静电计可以测到。可以用抗静电措施与接地等方法消除。
2018-01-18 14:18:5114687 
本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工作原理以及介绍了影响介电击穿强度的因素，最后介绍了电压击穿仪器使用时的注意事项。
2018-04-03 16:11:1855664 
静电是看不见、摸不着而又客观存在的。在日常生活中看到的闪电、触摸时的轻微电击和因静电吸附尘埃均都是静电放电现象。
2018-09-25 08:00:0044 一、LED广告显示屏ESD静电问题分析LED显示屏是一种平板显示器，由一个个小的LED模块面板组成。显示色彩丰富、高饱和度、高解析度、显示频率高的动态图像；适用性强：政府广场、休闲广场、繁华
2018-12-17 16:50:31612 MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？JFET管静电击穿又是怎么回事？
2019-05-20 17:21:0034219 击穿是电路设计者最不想看到的现象之一，但是由于各种各样的原因，击穿总是时不时发生。本文就将为大家介绍在电路中经常出现的集中击穿现象，并简述如何对这种击穿现象进行预防。
2019-05-24 13:57:0920307 人们对静电现象并不陌生，当你看电视接触屏幕时会有电击麻木的感觉；当你脱下化纤外衣或毛衣时，可以听到“劈啪” 的放电声，在黑暗中甚至会看见火花；你在日常生活中所感觉到、听到甚至看到的其实就是静电在放电
2019-09-23 08:00:002 led发光芯片属于半导体器件对于静电较为敏感，在使用和包装存储的过程中如果有静电的产生会容易导致灯珠的发光芯片损坏从而造成灯珠不亮的情况。
2020-03-04 14:05:1411853 MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？JFET管静电击穿又是怎么回事？
2021-09-28 18:14:363715 MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？JFET管静电击穿又是怎么回事？
2021-01-23 06:55:0723 电子发烧友网为你提供MOS管静电击穿有两种方式资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-18 08:41:385 下，大量电子从价带穿过禁带而进入到导带时所引起的一种击穿现象。 图1 隧道结的电流电压特性 齐纳击穿又称为隧道击穿，因此本推文首先重点介绍一下p+/n+结中的隧道效应。图1展示了p+/n+结工作电流随外加偏置电压变化的典型分布，
2021-06-10 16:11:535946 
，光衰加重，甚至出现死灯现象，静电对LED品质有非常重要的影响。LED的抗静电指标绝不仅仅是简单地体现它的抗静电强度，LED的抗静电能力与其漏电值、整体可靠性有很大关系，更是一个整体质素和可靠性的综合体
2021-07-15 15:40:27853 其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。 静电击穿有两种方式
2021-07-21 09:14:562953 多参数对变压器油静电和击穿强度的影响
2021-10-29 18:21:011 ，光衰加重，甚至出现死灯现象，静电对LED品质有非常重要的影响。金鉴检测为LED产业客户提供第三方LED抗静电能力测试服务，帮助客户采购到高质量的产品。 测试样品种类： 芯片裸晶、插脚式灯珠、常规贴片灯珠、食人鱼、大功率灯珠、模组及数码管。 LED静电失效原理
2021-11-21 11:08:542037 
LED芯片漏电可能是芯片工艺不规范，或者金属层氧化腐蚀，也有可能静电击穿。大的静电击穿点可以肉眼或者光学显微镜观察，小的静电击穿点必须通过扫描电镜观测鉴定。金鉴检测提供LED静电击穿点鉴定观察服务
2021-11-24 11:05:542227 
电流的损耗。工程师设计降压转换器时经常忽视“击穿”的问题。每当高端及低端 MOSFET 同时全面或局部启动时，便会出现“击穿”的现象，使输入电压可以将电流直接输送到接地。 击穿现象会导致电流在开关
2022-01-12 11:44:533 其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
2022-05-16 15:05:014843 
LED 芯片为 GaN 宽禁带材料，电阻率较高，该类芯片在生产过程中因静电产
生的感生电荷不易消失，累积到相当的程度，可以产生很高的静电电压。当超过
材料的承受能力时，会发生击穿现象并放电
2022-05-23 14:25:343 在博文 利用LED来作为单光子雪崩检测器[2] 中介绍了 油管上Robotix的LED单光子现象[3] 。 对于LED反向SPAD效应之前没有注意过， 下面通过实验来观察手边 一些LED反向击穿过程是否会出现单光子脉冲现象。
2023-01-31 17:29:001216 现象，那么我们应当如何避免线路短接击穿？且听优恩半导体为您解答。ESD静电二极管ESD静电二极管击穿一般齐纳击穿或雪崩击穿，其为现象是当ESD静电二极管的外向反向电压在超过预设数值时，反向电流瞬间增大，
2023-05-10 10:26:281325 
， 在博文 测试一些LED的反向击穿过程中的单光子现象 [2] 中对于手边的几种LED进行测试， 发现只有两款红外LED可以出现反向雪崩击穿现象，其它LED都没有这种情况。 对于同一种红外LED，经过测试
2023-06-30 07:35:04442 
在组装线上，工人正在组装敏感的电子元器件到电路板上，当工人将带有静电电荷的手接触到敏感的元器件或电路板时，静电电荷会迅速放电，产生高能量的电流。这可能会损坏元器件的内部电子元件，导致元器件无法正常工作或完全失效。
2023-07-14 10:25:161605 的，并且可以用于各种电路，包括放大器、滤波器、振荡器、电源等。 虽然CBB电容器的使用范围很广，但是它们仍然容易受到电击穿的影响。击穿是指电压高于电容器所能承受的电压极限而导致的电流穿过电容器的现象。CBB电容的击穿可能会导致电容器失效
2023-09-22 17:42:00620 解析直流偏压现象
2023-11-24 17:54:11321 
静电放电与电路在一些环境下，静电很容易积累并在放电的时候产生很大的电击。我们做个实验，穿着袜子在地毯上来回走动，然后去触碰别人引起别人电击惊吓。被电击后惊讶之余，我们并不太担心，因为普通静电不会
2023-11-23 10:06:40201 
何谓PN结的击穿特性？雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点？ PN结的击穿特性是指当在PN结上施加的电压超过一定的值时，PN结将发生击穿现象，电流迅速增大，导致结电压快速降低。击穿是指在正向或反向电压
2023-11-24 14:20:271216 减少静电产生和降低击穿风险的方法和材料 静电是一种普遍存在的现象，对人类和设备都可能产生一定程度的威胁。为了减少静电的产生，并降低由于静电引起的击穿风险，人们在不同领域积极进行研究和实践。本文将详细
2023-11-29 16:30:06274 崩击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象，它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。本文将对这两种击穿现象进行详细的介绍和分析。 一、雪崩击穿 物理机制 雪崩击穿是指在高电场作用
2023-12-30 17:06:003175 
esd静电二极管有方向吗？ ESD静电二极管是一种用于防止和保护电子设备被静电击穿和损坏的重要元件。它具有独特的方向性和特性，能够有效地将静电放电到安全的地方。本文将详细介绍ESD静电二极管
2023-12-29 15:17:19269 USB接口静电防护器件选型要点 USB接口静电防护器件是一种用于防止USB接口设备受到静电击穿和损坏的关键器件。在设计电子产品中, 对于USB接口的保护是非常重要的，因为不合适的保护可能导致设备损坏
2024-01-03 11:31:24635 电子行业来说，理解ESD的机制和原因至关重要。 ESD静电放电的主要破坏机制有以下几种： 1. 瞬态击穿：当静电放电的电压超过了设备或电路的击穿电压时，就会发生瞬态击穿现象。这导致当量形成电流，可能瞬间破坏晶体管、绝缘层等关键元件。 2. 热击穿：
2024-01-03 13:42:481273 LED的反向漏电流（Ir）偏移量超过ESD测试前测量值的10倍。这也是判断LED是否受到静电击穿的一个指标。
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