利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。
2024-03-13 14:31:4668 近年来,随着碳化硅(SiC)衬底需求的持续激增,降低SiC成本的呼声日益强烈,最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本在整个成本结构中占比最高,达到50%左右。
2024-03-08 14:24:32195 SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说,SiC的禁带宽度是硅的近3倍,这意味着在高温下仍可保持良好的电性能;其热导率是硅的3倍以上,有利于高功率应用中的热管理。
2024-03-08 10:27:1542 和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43106 在SiC晶体的扩径生长上比较困难,比如我们有了4英寸的晶体,想把晶体直径扩展到6英寸或者8英寸上,需要花费的周期特别长。
2024-03-04 10:45:4168 采用多芯片并联的SiC功率模块,会产生较严重的电磁干扰和额外损耗,无法发挥SiC器件的优良性能;SiC功率模块杂散参数较大,可靠性不高。 (2)SiC功率高温封装技术发展滞后。
2024-03-04 10:35:49132 在通用PWM发电机中,我可以用任何型号替换SiC MOSFET吗?
2024-03-01 06:34:58
SiC MOSFET模块目前广泛运用于新能源汽车逆变器、车载充电、光伏、风电、智能电网等领域[2-9] ,展示了新技术的优良特性。
2024-02-19 16:29:22206 的基础,其加工技术的优劣直接影响到器件的性能和可靠性。因此,深入了解SiC晶片加工技术的现状与趋势,对于推动SiC器件的发展具有重要意义。
2024-02-05 09:37:27522 适用SiC逆变器的各要素技术(SiCpower module,栅极驱动回路,电容器等)最优设计与基准IGBT对比逆变器能量损失减少→EV续驶里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44144 从行业趋势看,SiC上车是大势所趋。尽管特斯拉曾在2023年3月的投资者大会上表示,将减少75%的SiC用量,一度引发SiC未来发展前景不明的猜测,但后续汽车市场和供应商都用实际行动表达了对SiC的支持。
2024-01-24 11:29:16182 今日(1月18日),意法半导体在官微宣布,公司与聚焦于碳化硅(SiC)半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作,为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅(SiC)MOSFET技术。
2024-01-19 09:48:16254 iC逆变器是一种新型的电力电子器件,具有高效率、高频率、高温稳定性等优点,广泛应用于电动汽车、可再生能源、电力系统等领域。制造SiC逆变器需要遵循一定的流程,以确保产品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44137 SiC(碳化硅)逆变器是一种新型的电力电子器件,具有高效率、高频率、高温稳定性等优点,广泛应用于电动汽车、可再生能源、电力系统等领域。设计SiC逆变器需要遵循一定的流程,以确保产品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:56190 关键技术-SiC门驱动回路/电容器
通过SiC门驱动回路优化设计提升性能和强化保护功能通过采用电容器P-N BUSBAR叠层设计减少寄生电感
2024-01-02 11:36:24116 SiC三极管与SiC二极管的区别 SiC三极管与SiC二极管是两种使用碳化硅(SiC)材料制造的电子元件,它们在结构、特性和应用领域等方面存在一些明显的区别。 首先,让我们来了解一下SiC材料
2023-12-21 11:31:24274 SIC MOSFET在电路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅场效应晶体管)是一种新型的功率晶体管,具有较高的开关速度和功率密度,广泛应用于多种电路中。 首先,让我们简要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 怎么提高SIC MOSFET的动态响应? 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题,涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中,我们将详细讨论如何提高SIC MOSFET的动态响应,并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET对驱动电路的基本要求 SIC MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种新兴的功率半导体器件,具有良好的电气特性和高温性能,因此被广泛应用于各种驱动电路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 在新能源产业强劲需求下,全球SiC产业步入高速成长期,推升了对SiC衬底产能的需求。
2023-12-19 10:09:18295 SiC SBD的高耐压(反压)特性
2023-12-13 15:27:55197 SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00:26157 充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21152 UnitedSiC SiC FET用户指南
2023-12-06 15:32:24172 SiC设计干货分享(一):SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10:21439 SiC – 速度挑战
2023-12-04 16:46:42159 在经过多年的技术积累后,硅碳化物 (SiC) MOSFET因其强大的击穿场和较低的损耗特性,逐渐受到工程师们的热烈追捧。目前,它们主要用于以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为主导的键合部件领域。然而,在当今功率设备的大格局中,SiC MOSFET到底扮演了何种角色?
2023-11-30 16:12:41243 还没使用SiC FET?快来看看本文,秒懂SiC FET性能和优势!
2023-11-29 16:49:23277 Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149 通过转移到SiC技术来获得暖通空调更佳的SEER等级
2023-11-28 16:56:41192 了解SiC器件的命名规则
2023-11-27 17:14:49357 近日,一家日本厂商发布了一种全新的SiC晶圆划片工艺,与传统工艺相比,这项技术可将划片速度提升100倍,而且可以帮助SiC厂商增加13%的芯片数量。
2023-11-21 18:15:09901 等领域。随着技术的不断进步和成本的降低,SiC驱动器模块将进一步提升性能,扩大市场份额,并推动下一代功率器件的发展。
2023-11-16 15:53:30257 随着新能源汽车、光伏、充电桩等应用对系统效率的不断追求,SiC 功率半导体市场将迎来前所未有的增速。
2023-11-07 11:07:37178 点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用,碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压
2023-11-02 19:10:01361 下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列,进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736 2023年国产SiC上车
2023-10-31 23:02:000 1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 SiC FET(即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常闭共源共栅组合)等宽带隙半导体开关推出后,功率转换产品无疑受益匪浅。
2023-10-19 12:25:58208 三菱电机将投资Coherent的新SiC业务; 旨在通过与Coherent的纵向合作来发展SiC功率器件业务。 三菱电机集团近日(2023年10月10日)宣布已与Coherent达成协议,将SiC
2023-10-18 19:17:17368 解更多公司,建议查询相关网站。 sic功率半导体技术如何实现成果转化 SIC功率半导体技术的成果转化可以通过以下途径实现: 与现有产业合作:寻找现有的使用SIC功率半导体技术的企业,与他们合作,共同研究开发新产品,将技术转化为商业化
2023-10-18 16:14:30586 随着我们逐渐摆脱化石燃料,世界正在认识到功率半导体的至关重要性。 能源效率、电气化和二氧化碳减排是我们这个时代的口号,但它们只是最近一系列碳化硅(SiC)芯片工厂投资背后故事的一部分
2023-10-16 18:38:22406 碳化硅(SiC)技术已达到临界点,即不可否认的优势推动技术快速采用的状态。 如今,出于多种原因,希望保持竞争力并降低长期系统成本的设计人员正在转向基于SiC的技术,其中包括: 降低总拥有
2023-10-13 09:24:17824 我们知道,SiC MOSFET现阶段最“头疼”的问题就是栅氧可靠性引发的导通电阻和阈值电压等问题,最近,日本东北大学提出了一项新的外延生长技术,据说可以将栅氧界面的缺陷降低99.5%,沟道电阻可以降低85.71%,整体SiC MOSFET损耗可以降低30%。
2023-10-11 12:26:49611 ,有助于满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
二、 SiC的性能优势
1、SiC SBD可将耐压提高到3.3kV,极大扩展了SBD的应用范围
肖特基二极管
2023-10-07 10:12:26
联合SiC的FET-Jet计算器 — — 从SIC FET选择中得出猜算结果
2023-09-27 15:15:17499 keilC51 在烧录程序的时候出现这个问题 Error:Flash Download failed -SiC8051F.dll
是什么原因?该怎么解决呀?求助各位大神
2023-09-15 19:02:45
碳化硅,或SiC,作为一种半导体材料,正在逐渐崭露头角,广泛应用于电源电子领域。相较于其他可用技术,碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表现出显著的性能提升,为众多电子应用带来了新的可能性。
2023-09-15 14:22:291252 硅碳化物(SiC)技术已经达到了临界点,即无可否认的优势推动一项技术快速被采用的状态。
2023-09-07 16:13:00659 • 完整的产品线涵盖了所有功率分立元件 • 意法半导体专注于电机控制市场 • 不断开发新技术引领变频化,实现高效率• SiC技术引领高效电机控制的革命
2023-09-07 06:42:12
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制,采用节省空间的窄体SO-8封装,通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率,STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间,并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
电子发烧友网站提供《SiC应用优势及趋势.pdf》资料免费下载
2023-08-29 16:24:511 谈谈SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 一、什么是SiC半导体?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽
2023-08-21 17:14:581144 据不完全统计,截至2023年上半年,全球已有40款SiC车型进入量产交付,结合公开数据统计,上半年全球SiC车型销量超过120万辆。值得注意的是,目前SiC核心器件主要由欧美企业供应,中国少数
2023-08-11 17:07:36465 SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG),因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量:而在硅的情况下,该能量为1.1eV,SiC(碳化硅)为3.3eV,GaN(氮化镓)为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压,在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 对于SiC功率MOSFET技术,报告指出,650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代,单芯片电流可达200A。提升电流密度同时,解决好特有可靠性问题是提高技术成熟度关键。
2023-08-08 11:05:57428 首先,是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 1月5日,比亚迪发布会重磅发布了2款新的SiC电控的车型:比亚迪发布2款仰望车型搭载SiC电控,时隔2年,比亚迪再次公布了2款SiC电控的车型。正式发布了高端汽车品牌“仰望”,该品牌的两款量产车型也同步亮相同步亮相,包括硬派越野 U8 和性能超跑 U9 。
2023-06-29 16:53:26441 科友半导体突破了8英寸SiC量产关键技术,在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。2023年4月,科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通并进入中试线生产,打破了国际在宽禁带半导体关键材料的限制和封锁。
2023-06-25 14:47:29342 二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度,正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中,不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的,以尽量减少电容电荷,从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39
GeneSiC高速高压SiC驱动大功率创新
2023-06-16 11:08:58
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域,如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
目前,许多企业在SiC MOSFET的批量化制造生产方面遇到了难题,其中如何降低SiC/SiO₂界面缺陷是最令人头疼的问题。
2023-06-13 16:48:17376 近日,韩国企业EQ TechPlus宣布,他们开发了一种下一代氧化膜沉积设备,用于大规模生产SiC功率半导体,与采用传统高温热氧化设备相比,该设备可以将SiC界面碳含量降低约50%。
2023-06-13 16:46:14452 3月1日,特斯拉特别在”投资者日“活动上强调了SiC封装技术,大家是否想过为什么?
2023-06-08 10:16:08164 SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性,在充电桩及太阳能逆变器等高频应用中日益得到重视。因为SiC MOSFET开关频率高达几百K赫兹,门极驱动的设计在应用中就变得格外关键。因为在短路
2023-06-01 10:12:07998 ,采用HEEV封装创新设计,能最大限度的发挥SiC模块的出色性能,满足电动汽车市场不同需求。 碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高温、高压,导通电阻低等优点,被公认为将推动新能源汽车领域产生重大技术变革。如何充分发挥碳化硅器件高压
2023-05-31 16:49:15351 我们有代码在 s32k1SIC 评估板上运行,它使用 s32k146 处理器。代码在浮点数学中陷入困境,查看反汇编代码,我发现它没有使用浮点指令。查看处理器手册,我看到 s32k14x 处理器有一
2023-05-29 06:53:17
在过去的几年里,碳化硅(SiC)开关器件,特别是SiC MOSFET,已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。
2023-05-25 09:13:1541 条件。因此SiC MOSFET阈值电压的准确测试,对于指导用户应用,评价SiC MOSFET技术状态具有重要意义。
2023-05-09 14:59:06853 所有类型的电动汽车(EV)的高功率、高电压要求,包括电动公交车和其他电子交通电源系统,需要更高的碳化硅(SiC)技术来取代旧的硅FET和IGBT。安全高效地驱动这些更高效的SiC器件可以使用数字而不是模拟栅极驱动器来实现,许多非汽车或非车辆应用将受益。
2023-05-06 09:38:501693 随着电子技术的不断发展,硅碳化物(SiC)功率模块逐渐在各领域获得了广泛应用。SiC功率模块具有优越的电性能、热性能和机械性能,为高性能电子设备提供了强大的支持。本文将重点介绍SiC功率模块的封装技术及其在实际应用中的优势。
2023-04-23 14:33:22843 碳化硅(SiC)器件是一种新兴的技术,具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙,允许更高的电压阻断,并使其适用于高功率和高电压应用。此外,SiC还具有比Si更低的热阻,这意味着它可以更有效地散热,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
SiC413 microBUCK® DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board
2023-03-30 11:57:02
SML-LX0402SIC-TR
2023-03-29 22:01:24
标准的产品,并与具有高技术标准和高品质要求的供应商合作。在这过程中,ROHM作为ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供应商脱颖而出。ROHM的服务和技术支持都非常出色,使得我们能够
2023-03-29 15:06:13
SML-LX1206SIC-TR
2023-03-28 14:54:24
SIC431DED-T1-GE3
2023-03-28 14:50:25
SIC789CD-T1-GE3
2023-03-28 13:48:55
SIC639ACD-T1-GE3
2023-03-28 13:15:17
SIC438BED-T1-GE3
2023-03-28 13:10:35
近年来,以SiC(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。
2023-03-28 10:00:302031 1200V,5A,SIC SBD,TO-220AC PACKAG
2023-03-27 14:47:38
1200V,10A,SIC SBD,TO-247AD PACKA
2023-03-27 13:53:46
1200V,20A,SIC SBD,TO-247 PACKAGE
2023-03-27 13:39:39
IGBT、MCU、以及SIC会是接下来新能源汽车智能化比较长期的需求点,根据特斯拉Model3的车型用量来看,单车使用IGBT是84颗,或者48颗Sic MOsfet(技术更优),MCU的供应商是意法半导体,基本可以结论,Sic和IGBT会是未来的重点方向。
2023-03-24 10:18:36630
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