功率MOSFET和散热器的工作讲解;散热器热阻计算所需的重要说明.
2022-05-19 09:08:06
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克（1盎司）左右的DNA分子，能够存储30万TB的信息数据，并且保存长达至少100万年。而目前的存储介质最高保存期限大概为50年左右。
2015-08-20 15:01:341220 很多时候我们需要将程序中的一些参数、数据等存储在EEPROM或者Flash中，达到掉电保存的目的。但有些情况下，程序需要频繁的修改这些参数，如果每次修改参数都进行一次保存，那将大大降低存储器的寿命
2022-11-17 09:14:501588 你好，我查了很多datasheet，关于STM32F030C8T6的flash memory的擦写次数，但是就没有找到这个问题的答案，请帮忙解答一下
2023-08-07 08:49:39
STM32f030内部的FLASH擦写时间是多少？STM32f030内部的FLASH擦写次数是多少？STM32f030内部的FLASH擦写电流是多少？
2021-10-22 06:23:26
STM32系统中掉电保存数据的方法在嵌入式设备开发中，往往需要保存一些掉电不易失性的数据，如果系统配置、用户定制信息等等，如果增加额外的ROM IC，比如（基于I2C的24C02等等）往往会造成额外
2021-12-10 07:42:57
STM32系统中的2种数据掉电保护方法！在嵌入式设备开发中，往往需要保存一些掉电不易失性的数据，如果系统配置、用户定制信息等等，如果增加额外的ROM IC，比如（基于I2C的24C02等等）往往会
2020-04-17 15:16:15
大家好，我使用stm32f103c8t这款芯片,使用过程中我会将上位机发送过来的一些数据保存到flash中去，我的保存过程时这样的：1、将起始页定义为flash空间的第63页 #define
2019-03-03 13:46:28
使用stm32f103c8t这款芯片使用过程中我会将上位机发送过来的一些数据保存到flash中去，我的保存过程时这样的：1、将起始页定义为flash空间的第63页 #define PAGE_ADDR
2019-04-16 07:09:22
关于STM32中重要的C语言知识点看完你就懂了
2021-10-13 07:47:00
STM32与C51简述嵌入式开发心得1.关于C51与STM32的说明C51是最早一批进入中国市场的可开发操作的板子/芯片，在早期有着较好的发展方向学习浪潮，早期也有着发达的社区可供交流。随着电子科技
2021-08-11 07:00:20
N76E003 FLASH 擦写次数几项不太清楚，还请指教
1，FLASHE当EEPROM用时，我在第一次用的时候已经擦除整页了，后续如果我想改变一页中的个别字节时，是否需要在将一整页擦除在重写
2023-06-25 10:24:18
为应用程序提供灵活的扩展和定制功能。本文主要说明一下关于lua移植到STM32上的过程以及简单的举两个例子来说明lua的应用。Lua的简介关于Lua的官方介绍，此处不在说明。有需要了解的看官可以在...
2021-08-03 07:30:59
AT32F4系列FLASH擦写操作的地址偏移说明擦除或者编程flash 时，如果操作地址不在flash 绝对地址范围内，则操作会失败？
2023-10-23 08:24:03
EEPROM擦写频率EEPROM擦写频率怎么理解？怎么根据擦写频率选择EEPROM还是flash？比如如下这个案列每100ms采集一次数据，每秒存20个字节（实际使用清空EEPROM存储的数据是每周
2022-11-09 18:56:36
STM32f0301. FLASH擦写时间2. FLASH擦写次数和数据保存年限只能擦写1000次，有点少。非必要，不要擦写。比如记忆流水号之类，经常变动的数据，最好使用EEPROM
2021-08-05 06:46:03
文章目录目的GPIO口基础说明函数说明使用演示总结目的GPIO口基础说明MicroPython for ESP32 GPIO主要说明如下：可以用的IO为 0-19, 21-23, 25-27
2022-01-10 06:29:06
100万次，而数据保存期能超过40年。此外，新器件的全速USB 2.0接口包括一个片上收发器和一个并行流端口，能把数据直接传送到外部的外设，减少CPU的开销。 开发支持 大多数USB应用设计人员的一
2008-07-31 07:47:18
PSOC4 EEPROM 写操作需要多长时间，为了增加EEPROM擦写次数，写操作是在一开辟的空间内滚动操作吗，组件需要如何配置
2024-02-21 07:22:29
）- 大于100年数据保存期· 内存组织：512K X 8· 扇区擦除功能：每扇区256字节· 低功耗- 工作电流：15 mA（典型值）为5.0V和10毫安（典型值）2.73.6- 待机电流：5μA
2012-08-24 14:10:13
！单片机的低压设置为4.32V进行检测，2·低温（-20°~-10°）之间进行断电数据保存的时候就会写不进去，读出来的数据全是1（说明有擦除，但是并未写入。当时考虑是不是电解电容供电时间太短，就换个超级电容！问题依然存在，接着把快速把芯片升温，低压的擦写读回复正常）
2020-01-04 13:38:44
STM8S003的flash可擦写次数是多少
2023-10-10 07:28:12
Socket API简要说明:创建套接字 ( socket ) int socket(int domain, int type ,int protocol);参数描述domain协议族类型type
2022-01-11 07:26:09
采用TDMS采集数据，每秒钟采集5次数据（每次采集的数据是一个16*16的二维数组）。假设我一次采集10秒，且数据都存储在一个TDMS里面，那样的话就会有50组16*16的数据，如何能分隔开每组数据
2018-12-18 19:50:30
由于FATFS使用了比较大的内存，而且函数中的局部变量很多很大。而众所周知，局部变量是保存到stack中的，因此，如果使用FATFS，必须要把stack调整大。否则会出现不可预估的问题（堆栈溢出
2014-03-12 11:05:25
（VectorOffset） 9.3 点乘（VectorShift） 9.4 减法（VectorSub） 9.5 比例因子（VectorScale） 9.6 BasicMathFunctions的重要说明 9.7 总结
2015-06-05 14:33:31
移植的重要说明 2.2 移植前的准备工作 2.3 STemWin的裸机移植 2.4 STemWin带RTOS的移植 2.5 总结2.1 关于STemWin移植的重要说明 关于STemWin的移植一定
2015-03-16 10:55:18
：Eeprom-Emulation-driver-STM32/FlASH_PAGE_F1.c at main · Yadnik1/Eeprom-Emulation-driver-STM32 (github.com)但是，没有数据存储在闪存中。我犯了一个错误，我无法识别它，有人可以指导我吗？非常感谢你！！
2023-02-02 07:44:23
内部Flash模拟EEPROM一、原因由于STM32F103系列的单片机内部Flash的擦写次数仅有10k次，如果遇到想要存储又多变，又需要掉电保存的数据，就显得有点捉襟见肘了。我决定利用单片机
2022-01-26 06:59:28
我想将数据保存到闪存中，这样即使断电我也可以拥有这些数据。
我尝试使用 spi_flash_write 但出现错误
代码：全选
char ssid[32] = SSID;
char test
2023-06-12 06:04:57
我想将我的数据计算保存在内部存储器或闪存中，而不会在重置后丢失。但是，我不知道该怎么做。因为在 STM32WL MCU 中没有内存库。
2022-12-13 07:19:32
我正在考虑在我的设计中用 STM32F151 替换 STM32F103，但找不到 AN3422 迁移应用说明中引用的 PM0062。我需要完成一些步骤才能获得闪存/eeprom 编程手册吗？来自安为
2023-02-07 07:16:04
的耐擦写特性，并且大量的数据显示，第三代技术能够满足这些应用所要求的 50 万次耐擦写次数。图 2 第 3 代嵌入式 SuperFlash（ESF3）嵌入式闪存是可以扩展的十年以前，纷纷流传嵌入式闪存
2020-08-14 09:31:37
你好，我想使用ECC闪存空间来保存用户数据并处理8KB额外闪存。要做到这一点，我转到Psoc Creator的系统选项卡，并启用启用错误纠正代码（ECC）的滴答声。因此，假设现在我有64kb+8kb
2019-04-16 14:36:03
手机充电协议BC1.2· 目前市面上各种手机充电器，在手机厂家宣传时也会提到自己的充电器，各种快充。可以说消费者也是各种蒙圈。为了让大家不至于蒙圈，此文只限于科普。BC1.2协议要介绍手机的充电必须要说明
2021-09-14 08:40:13
EEPROM通常擦写次数都在百万次以下，如果每秒写一次，几天就废了，有没有擦写次数无限制的类似产品？
2023-11-08 06:15:04
本公司需要在仪器上装一个监控摄像机，有人来开始摄像，无人关闭，摄像保存在SD卡，最长保存期为40天，后面的保存期会自动把前面的覆盖掉。每年大约需要5000台，求大家给一个链接或者成品。
补充内容
2017-03-14 07:52:33
SIKA电子流量监控器用于对特定流速进行监控。只有应用在指定设计用途（监控液流）时，器件的工作可靠性才有保证。禁止超出列出的极值.遵守如下说明，以达到最高测量精度，得到指定的输出信号。• 要求
2018-09-29 16:36:38
熔丝位简要说明熔丝位功能配置说明 熔丝低位CKDIV8时钟8分频0：时钟8分频 1：时钟不分频 CKOUT时钟输出0：系统时钟输出（PB0） 1：不输出 SUT1选择启动时间根据时钟源选择..
2021-07-21 07:29:14
flash擦写次数有限，用N76E003flash做eeprom用什么方法保存一个计数的数据累加到数千万。
2023-06-14 07:11:59
`保存期限3天`
2012-11-02 16:40:44
富莱STM32-V5开发板，主芯片STM32F407IGT6。 2.1 关于STemWin移植的重要说明 2.2 移植前的准备工作 2.3 STemWin的裸机移植 2.4 STemWin带RTOS
2016-10-11 08:55:59
初学RL-TCPnet需要做的准备工作。3.1 初学者重要提示3.2 开发环境说明3.3 配套例子重要说明3.4 RL-TCPnet参考资料3.5 RL-TCPnet调试方法3.6总结
2017-10-12 20:24:16
RTX操作系统需要做的准备工作。 3.1 开发环境 3.2 重要说明 3.3 RTX系统参考资料 3.4 RTX的调试方法 3.6 RTX调试组件功能介绍 3.5总结3.1开发环境u IDE
2016-10-02 09:17:43
手册上看到STM32F030 的FLASH 擦写次数只有1K,真的只有1K么？051系列的手册上是10K,
2018-11-20 08:35:54
各位大神，想问问M0516LDN的Flash擦写次数是多少？
2023-08-24 06:19:46
参与竞标时，提示“请输入您能够完成任务的简要说明并且上传相应附件资料”，如贴主需要一个温控开关系统，“简要说明”是否为所需芯片，如何做出来等；附件又该是什么？现象？
2019-08-01 05:00:08
有趣的问题就是MRAM保存数据的稳定性，热稳定性毫无疑问会影响数据的保留期限，温度越高就越不稳定，这就需要平衡数据保存的期限。 一般的半导体数据保存期限是10年，为此需要1bit或者2bit的ECC
2020-04-15 14:26:57
其安全等级和访问方式。3、高可靠性。提供多达10万次擦写次数和10年的数据保存期。4、高速度。在I2C串行总线方式下，通信速率最高可达1MHz。5、在AT88SC0104的基础上嵌入32位隐藏加密算法
2014-03-18 14:02:57
镍氢充电电池使用指南重要说明此说明书上有关镍氢电池的数据源自说明书准备之时的辽宁九夷三普电池公司生产的电池由于产品的性能和特点时常需要调整使用三普镍氢
2009-11-03 09:33:29
50 关于S7-200存储区以及数据保存的说明。
S7-200常用存储区包括 RAM区、V 区、M 区、T 区、C 区和EEPROM区，这些
2010-09-09 15:30:0341 开发了一个基于闪存平台的嵌入式文件系统。为保证闪存扇区的平均使用率和均衡擦写次数，引入了损坏管理策略，在这种策略中采用了动态存储空间管理模式和先入先出（FIFO）策
2010-09-30 16:24:5721 正确选择闪存写入缓冲区大小，优化擦写速度
在各种电子技术快速发展和电子市场高速扩大的今天，存储器的需求量迅猛增长。在众多存储器类型中，NOR型闪存由于具有随
2009-11-23 10:00:04966 重要说明： ● 本说明书为A 型说明书。 ● 本说明书包含B 型、C 型的基本功能。 ● B 型（卷绕专用型）的专用功能另见卷绕功能操作说明书。 ● C 型（工程专用型）的专用功能另见说明
2011-01-26 18:34:11735 收银程序安装简要说明，感兴趣的可以看看。
2016-02-29 16:21:251 STM32/FLASH保存数据，适合初学者
2016-09-27 14:46:3921 6000工业以太网交换机用户手册简要说明
2016-12-23 02:34:100 W25X16是华邦公司推出的继W25X10/20/40/80（1～8 MB）后容量更大的Flash产品，W25X16的容量为16 Mb.W25X16的擦写周期为10 000次，具有20年的数据保存期限
2018-07-17 12:26:00922 
变量的名称、类型、初始值和数值范围确定与数据变量存盘相关的参数，如存盘的周期、存盘的时间范围和保存期限等。
2018-02-09 09:00:1710897 
• 1024 字节的数据 EEPROM
• 3.6 KB 的通用寄存器 （SRAM）
• 闪存程序存储器可耐受 10，000 次 （典型值）擦 /
写
• 数据 EEPROM 存储器可耐受 100，000 次 （典型
值）擦 / 写
• 闪存的保存期限最短为 40 年
2018-06-26 17:25:007 等），并在需要时方便地重写信息。数据EEPROM存储器基于与程序存储器相同的闪存技术，并经过优化，可实现长期数据保存和更高的耐擦写次数。
2018-06-07 09:28:006 闪存块（Block）具有一定的寿命，不是长生不老的。前面提到，当一个闪存块接近或者超出其最大擦写次数时，可能导致存储单元的永久性损伤，不能再使用。随着闪存工艺不断向前，这个擦写次数也变得越来越小。
2018-07-25 11:09:164521 
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸为NOR器件的八分之一，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
2018-10-07 15:37:0012470 FLASH是用于存储程序代码的，有些场合也可能用它来保存数据，当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的（运行中可擦写），但要注意FLASH的擦写次数通常小于一万次，而且通常FLASH只能
2019-09-26 17:16:001 PCBA是表面焊接好各种元器件的印刷线路板，较多人关注其长时间、高频率运行的可靠性，间而需要了解其保存期限。一般情况下，PCBA保存期限为2~10年。
2019-10-01 17:17:0010812 大家有什么重要数据想要保存的吗？如果你需要容量大、速度快以及保存期超长的备份方式，那可以试试索尼日前发布的第三代“光驱”，单盒容量达到了5.5TB，数据能保存100年不坏。
2019-11-26 09:15:342210 大家有什么重要数据想要保存的吗？如果你需要容量大、速度快以及保存期超长的备份方式，那可以试试索尼日前发布的第三代“光驱”，单盒容量达到了5.5TB，数据能保存100年不坏。
2019-11-26 15:44:512572 PCBA印刷线路板在加工完成后，由于材料的选择、加工工艺、所处环境的不同，会有不同的保存期限，一般是2-10年。
2020-02-05 10:54:543609 在未使用产品前，不要将产品的防潮袋打开，在未开封前要保证温度在30℃以下，以及湿度在60%以下的环境中，保存期为一年。
2020-03-04 11:03:361870 不同产品要选择不同的焊锡膏，如何选择一款焊锡膏是PCBA生产中需要解决的重要问题，现结合国内外有关标准，将焊锡膏的检验项目介绍如下，焊锡膏的选择包括合金成份、粘度、有效作业时间、保存期限。
2020-04-21 11:36:454864 焊垫氧化后将造成焊锡不良，最终可能导致功能失效或掉件风险。电路板不同的表面处理对于抗氧化的效果会不一样，原则上ENIG要求要在12个月内用完，而OSP则要求要在六个月内用完，建议依照PCB板厂的保存期限（shelflife）以确保品质。
2020-06-17 10:47:493387 通过串口命令查看EMMC擦写次数的三大方法
2020-06-19 10:34:1812854 
焊垫氧化后将造成焊锡不良，最终可能导致功能失效或掉件风险。电路板不同的表面处理对于抗氧化的效果会不一样，原则上ENIG要求要在12个月内用完，而OSP则要求要在六个月内用完，建议依照PCB板厂的保存期限（shelflife）以确保品质。
2020-06-27 13:22:004463 ； 4. 擦写次数几十亿次！生命周期； 5. 超低延迟； 6. 数据保存期很久：85度高温下数据可以保存10年以上； 7. 数据错
2020-07-10 14:19:20684 ； 5. 超低延迟； 6. 数据保存期很久：85度高温下数据可以保存10年以上； 7. 数据错误率低； 8. 可靠性强。 MRAM可应用在
2020-09-19 11:38:322609 得益于容量大、价格低的优势，如今越来越多的SSD硬盘转向QLC闪存，大家担心的主要是QLC闪存的寿命，具体来说就是P/E擦写次数，通常在1000次左右，而IBM现在解决了QLC寿命问题，做到了史无前例的16000次擦写寿命，寿命比SLC还强。
2020-12-08 09:40:034095 本应用笔记旨在提供有关如何防止闪存意外擦写操作（可能导致轻微到灾难性现场故障）的指南和最佳实践。在固件中添加闪存编程保护功能有助于降低发生问题的风险，确保稳健的现场更新。以下内容通过了解潜在问题来提高固件的稳健性，并提供了避免这些问题的方法。
2021-03-30 14:19:078 关于 S7-200存储区以及数据保存的说明。
2021-05-07 10:22:269 STM32闪存编程手册(嵌入式开发和编程)-STM32闪存编程手册 STM32开发必备技术文档之一
2021-08-04 12:44:2345 ；不过FLASH的容量还是可观的，我们可以利用FLASH模拟EEPROM。根据《STM32F10X闪存编程》中的介绍，FLASH除了保存用户代码的部分，其余部分我们是可以利用其作为数据存储使用的。s...
2021-11-26 16:51:0723 STM32f0301. FLASH擦写时间2. FLASH擦写次数和数据保存年限只能擦写1000次，有点少。非必要，不要擦写。比如记忆流水号之类，经常变动的数据，最好使用EEPROM
2021-12-01 20:36:1314 内部Flash模拟EEPROM一、原因由于STM32F103系列的单片机内部Flash的擦写次数仅有10k次，如果遇到想要存储又多变，又需要掉电保存的数据，就显得有点捉襟见肘了。我决定利用单片机
2021-12-02 11:36:2131 STM32重要源文件和头文件说明
2021-12-05 18:21:0827 （AN2606）。1 闪存单存储区和双存储区配置STM32F7系列器件的闪存大小分别为1 MB和2 MB。该闪存可以配置为单存储区或双存储区。1.1 1 MB闪存组织结构图 1介绍了适用于两种配置的1 ...
2021-12-08 21:06:229 最开始用STM32的flash保存数据的方法都是用原子的例程，STM32F1的话，原子的方法大概是创建一个1K或者2K的缓存......
2022-02-08 16:19:1714 PCB烘烤的主要目的在去湿除潮，除去PCB内含或从外界吸收的水气，因为有些PCB本身所使用的材质就容易形成水分子。
2023-05-20 14:22:16750 在诸多工业、汽车等对可靠性有高要求的应用场景中，通常会使用FRAM存储器来储存系统中的重要信息，这得益于FRAM本身的特性，数据保存期限久、耐久性出色、擦写次数高，让FRAM在众多存储器件中脱颖而出
2022-09-08 14:25:25367 
在诸多工业、汽车等对产品可靠性有高要求的应用场景中，如BMS，会使用存储器来储存系统中的重要信息，这得益于存储器本身的特性，数据保存期限久、耐久性出色、擦写次数高。FRAM在众多存储产品中脱颖而出
2022-10-18 17:50:29342 
锡膏是电子元器件生产加工中必不可少的一种材料，它能够保护电路板焊点并降低焊接温度，使得电子元器件更加坚固和稳定。但是，与其它材料一样，锡膏也有保存期限。那么一般保存期限是多久呢，下面锡膏厂家说一下
2023-04-18 15:35:441262 
一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲PCBA加工使用过期PCB电路板的危害都有哪些?pcb超期使用风险。PCB板也有保质期，拆真空包装后要及时进行加工，不能久放，超过PCB板厂的保存期限进行
2023-07-24 09:36:43793
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