14W CFL镇流器的设计和性能测试。该电路基于由MOSFET半桥驱动的谐振拓扑。该电路由IR2520D镇流器控制IC控制
2019-10-10 08:40:58
方案：SL9003内置MOS开关降压型LED恒流驱动器概述SL9003 是一款内置100V 功率MOS高效率、高精度的开关降压型大功率LED恒流驱动芯片。SL9003 采用固定关断时间的峰值电流控制
2022-02-28 09:46:43
通讯应用使用基于半桥、全桥或同步降压功率拓扑的电源模块。这些拓扑使用高性能半桥驱动器实现高频操作和高效率。半桥栅极驱动器采用的技术已在业界成功应用了数十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
、大功率 MOSFET 开关管，外围元器件简单，系统应用灵活，转换效率最高可达 98%以上，输入电压可兼容到 100V以上，系统体积小，内置过温保护，开路保护，过流保护，短路保护，输入过压保护等全套可靠
2015-12-18 11:48:51
半桥驱动器IR2103和IR2101S有什么区别吗？可以代替IR2001S吗？
2017-04-28 11:10:05
器件适用于隔离式DC-DC转换器的初级侧，输入电压高达100V。与传统半桥及全桥控制器相比，LM5036有着自身不可替代的优势：集成辅助偏置电源，为LM5036及原边和副边元器件供电，无需外部辅助电源
2019-08-23 04:45:06
2023 年 3 月 14 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出两个基于Arm®Cortex® -M33内核和Arm TrustZone®技术
2023-03-14 15:30:18
在2023年上半年发布包含新栅极驱动IC的版本。瑞萨电子汽车模拟应用特定业务部副总裁大道昭表示：“瑞萨很高兴面向车载应用推出具有高隔离电压和卓越CMTI性能的第二代栅极驱动IC。我们将继续推动针对电动车
2023-02-15 11:19:05
2023 年 3 月 2 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出10款结合了瑞萨广泛产品的全新“成功产品组合”——其中包括电动汽车（EV）充电、仪表盘
2023-03-02 14:29:51
瑞萨电子与3db Access合作推出安全超宽带解决方案
2021-02-05 07:05:13
和可靠的Flash存储器，并且产品的高性能周边功能模块的统一帮助客户实现了削减系统成本的目的。同时，瑞萨科技还通过提供低成本的开发工具、通用周边机器的统一、Web上的技术支持，以及Simple OS
2012-08-08 19:59:58
瑞萨推出SH7216系列32-位片上Flash存储器MCU作者：时间：2009-04-21来源：电子产品世界字号： 小 中 大关键词： 瑞萨 RISC 32MCU Flash SuperH 瑞萨
2022-01-26 06:01:47
技术系统开发课题的“答案”期待“功能模块”长期以来，瑞萨对于IGBT和MOSFET等功率器件以及模拟数字IC、光电耦合器、驱动器IC等产品推出了低端到高端的各类控制用MCU，而瑞萨提案把电力电子技术电路
2012-12-06 16:15:17
瑞萨解决方案之LCD直接驱动瑞萨车载导航系统解决方案瑞萨解决方案之洗衣机方案瑞萨解决方案之洗衣机 (740系列, R8C Tiny, H8 Tiny)瑞萨电子智能家居解决方案【视频】瑞萨纯数字照明
2015-01-30 18:27:24
MS8844是瑞盟科技推出的一款直流驱动电路，提供四个可独立控制的半H桥驱动器。可被用于驱动直流电机，一个步进电机，4个螺线圈或者其他负载。每个输出驱动器通道包含采用半H桥配置的N通道功率
2021-08-25 14:28:12
MS8313是瑞盟科技推出的人一款可提供三个可独立控制的半H桥驱动器。可用于驱动螺线管或者其他负载，主要用于驱动一个三相无刷直流电机。每个输出驱动器通道包含半H桥配置的 N 通道功率MOSFET
2021-11-11 11:48:43
MS8847是瑞盟科技推出的一款双路H桥驱动电路。提供适用于家用电器和其他机电一体化应用。该器件可用于驱动一个步进电机或其它负载。每个输出驱动器通道包含采用H桥配置的N通道功率MOSFET。这个
2021-09-10 10:04:05
描述DC-DC 转换器 33-42 Vin/12V, 5A 输出该项目最初旨在为驱动 BLDC 电机的半桥开启高端和低端 MOSFET。最好将此设计与栅极驱动器连接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
【转】PWM亮度控制的白光LED驱动器，可驱动高达10个LED，效率高达90％SGM3726是圣邦微推出的一款高性能白光LED驱动器，内部集成了40V的FET开关管，开关频率为1.1MHz，开关电流
2019-04-11 02:02:54
BSS123 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
CK5G14 在同一颗芯片中同时集成了三个 250V 半桥栅极驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥
2022-01-04 14:16:57
特征 •三个1/2小时桥式驱动器IC –三相无刷直流电机 –电磁阀和有刷直流电机 •高电流驱动能力：2.5-A峰值 •低MOSFET导通电阻 •独立1/2 H桥控制 •非承诺比较器
2020-07-10 14:23:52
FAN73832 是一款半桥、栅极驱动 IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动 MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 +600 V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
FAN73912MX是一款单片半桥栅极驱动 IC，设计用于高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 +1200 V。 HIN 的先进输入滤波器针对噪声产生的短脉冲输入信号提供保护功能
2021-12-20 09:19:25
对这些寄生效应进行优化可以减少该问题，并且以高于100V/ns的高压摆率实现出色的开关性能。图1. 由独立封装内的驱动器驱动的GaN器件 (a)；一个集成GaN/驱动器封装 (b)。图2.用于仿真的半桥
2018-08-30 15:28:30
概述：IR2111是International Rectifier公司生产的一款半桥驱动器，它为双列直插或贴片8脚封装。驱动电压10-20V，电流（IO+/-）200 mA /420 mA。
2021-05-19 07:43:22
LED驱动芯片概述：LN2544 为一款高效率、降压型、内置高压MOSFET 的恒流LED 驱动电路。LN2544 采用固定关断时间的峰值电流检测模式，最高输出电压可达100V。芯片包括一个PWM
2014-05-12 11:32:13
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封装形式，给方案设计带来更多的选择。半桥/全桥转换器同步降压、升降压拓扑电子烟、无线充 MOSFET 驱动器电源电压工作范围为 4.5V
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
采用半桥（或任何其他高侧+低侧）配置。它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动器采用2个独立输入，以适应任何拓扑结构（包括半桥，非对称半桥，有源钳位和全桥）
2019-10-12 10:29:07
瑞萨电子推出围绕64位RISC-V CPU内核构建的RZ/5个通用微处理器单元（MPU），具体的型号是多少？性能怎么样？
2024-01-11 13:03:31
描述 SL9486A是一款高压降压开关产品向提供高达2A的连续电流的调节器加载。它集成了高端电源电流限值通常为3.5A的MOSFET。宽5V至100V的输入范围适应各种降压应用，非常适合汽车、工业
2022-07-01 15:20:52
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计，具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
栅极电压，在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受时间，也可以通过集成在栅极驱动器IC中的去饱和功能来保护SiC
2019-07-30 15:15:17
摘要通讯应用使用基于半桥、全桥或同步降压功率拓扑的电源模块。这些拓扑使用高性能半桥驱动器实现高频操作和高效率。半桥栅极驱动器采用的技术已在业界成功应用了数十年，UCC27282 120-V 2.5A
2022-11-10 07:04:55
[求助]瑞萨RL78/G13(R5F100LEA)驱动1602因为刚刚接触这块板子很多不懂1.之前使用51可以驱动1602，想问一下51的程序复制在瑞萨的代码下能行么？2.有没有瑞萨编程的教学视频？
2015-10-21 14:39:40
采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器（如图1所示）以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET（或IGBT）的栅极，由此来控制输出功率
2018-07-03 16:33:25
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着
2021-01-22 06:45:02
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要从英飞凌推出MOSFET IPW90R120C3这里的MOSFET规格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驱动器
2018-09-01 09:53:17
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
+下桥)。高耐压42V，大电流4.3A(峰值，实际应用中不超过40V,4A)。具有电源指示、控制输出指示LED灯。双全桥MOSFET驱动THB8128步进电机驱动器实物截图：双全桥MOSFET驱动
2019-11-12 07:00:00
推出了众多的用于电子镇流器的驱动电路，本文介绍的电子镇流器基于IR公司开发的IR2153驱动器和摩托罗拉公司的MC33262功率因数控制器，是一种结构简单，成本低廉，可靠性高的解决方案。
2012-06-07 14:42:11
电平转换所需要的电荷（对于600V的半桥驱动器，该参数通常为5nC） 系统可靠性设计 由于直流电机是感性负载，因此当Q1关断时，负载的电流不能突变，会转换到由Q2的续流二极管进行续流。由于在Q2的源
2018-09-27 15:06:25
器件适用于隔离式DC-DC转换器的初级侧，输入电压高达100V。与传统半桥及全桥控制器相比，LM5036有着自身不可替代的优势：(1)集成辅助偏置电源，为LM5036及原边和副边元器件供电，无需外部
2022-11-10 07:46:30
描述PMP10645 参考设计适合使用反激式电源来驱动半桥的 SM74101 mosfet 驱动器。SM74101 是一款体积很小的 7A mosfet 驱动器，支持 3A 拉电流和 7A 灌电流
2018-12-21 11:39:19
全桥拓扑。这种转换使系统的输出功率加倍。FDMF8811集成了一对100V的功率MOSFET、120 V驱动器IC和一个自举二极管到6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN封装。通过集成所有的关键
2018-10-24 08:59:37
稳压器，可以解决负电压操作期间栅极过充电的风险。这会产生定义明确且受到可靠保护的栅极驱动器电压。 图 4：MDC901 GaN 栅极驱动器的框图。 图 5：MDC901 100V 半桥评估
2023-02-24 15:09:34
阐述这些设计理念，以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器(如图1所示)以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驱动器解决方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔离式半桥驱动器的功能是驱动上桥臂和下桥臂N沟道MOSFET(或IGBT)的栅极，通过低输出阻抗降低导通损耗，同时通过快速开关时间降低开关损耗。上桥臂
2018-10-16 16:00:23
展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器（如图1所示）以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET（或IGBT）的栅极，由此来控制
2018-09-26 09:57:10
电流传感高度集成而无需外部电流放大器。双半桥 100V 3A MOSFET 驱动器简单、BOM 数目少且成本低廉的设计，适合偏置电源让隔离式偏置电源不再需要外部适配器
2018-09-10 09:20:30
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
怎么实现MOSFET的半桥驱动电路的设计？
2021-10-11 07:18:56
纳芯微全新推出120V半桥驱动NSD1224系列产品，该系列产品具备3A/-4A的峰值驱动电流能力，集成 高压自举二极管 ，提供使能、互锁、欠压保护不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
求教各位大佬：MOSFET半桥驱动芯片空载时为什么HO和LO都没有输出波形？最近我在做D类放大，由于是分模块做的，半桥驱动芯片没有与mosfet相连，是空载。当我把pwm波输入半桥驱动芯片后，半桥驱动器HO和LO无输出。调试了半天也没发现问题。各位大佬如果知道的话，请指点下小弟。万分感谢！！！
2018-04-09 23:54:28
FAN7382MX 是一款单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
栅极驱动器，能够驱动 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 内置 VCC 和 VB 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S 逻辑输入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。
2021-09-14 07:29:33
Portfolio系统，跨越12v 到80v 的范围往往需要一个司机与较高的供应额定值，支持高功率18v 钻头和80v 割草机。虽然选择合适的集成三相无刷直流电机驱动器是有限的，一套有能力的100伏半桥可以
2022-04-14 14:43:07
驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害
2019-12-06 13:13:21
有大神知道不用集成芯片搭建半桥驱动器的套路吗？最近看电瓶车控制器里的驱动模块没有类似半桥驱动器的芯片，应该是自己搭建的，网上看了看也没有类似的东西，来请教一下
2017-01-14 18:03:50
超声波发送器需要稳定的可编程直流电源，以便在传输期间将高电流驱动到压电传感器。TIDA-01371 参考设计展示了一款能够提供 ±2.5 至 ±100V 输出电压的正负线性稳压器。使用外部控制电压
2018-12-05 14:16:39
请问怎么优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计？
2021-06-17 06:45:48
EVAL-CN0196-EB1Z，H桥驱动器评估板，采用隔离式半桥驱动器。 CN0196是由高功率开关MOSFET组成的H桥，其由低压逻辑信号控制。该电路在逻辑信号和高功率电桥之间提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-14 14:43:03
具有 8V UVLO 和自适应延迟的 1.8A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:11
具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 90 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:13
具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:14
具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 1A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:15
具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:15
具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 1A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:16
具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:17
具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 90 Power switch MOSFET Input VCC
2022-12-14 14:43:17
具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET Input VCC
2022-12-14 14:43:18
具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:18
具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:19
具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:20
具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:20
具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8、1.6A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:21
TFB0504是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-27 17:01:42
TFB0527是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-28 17:08:12
Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器 - TI | 贸泽Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器是一款100V器件，集成了顶部和底部驱动器
2024-02-22 13:39:55
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2008 年 6 月 12 日 – 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET 驱动器 LTC4446，用来驱动双晶
2008-06-30 10:51:21
902 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 级新版本，该器件是一个高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 驱动器，以在同步整流转换器拓扑中驱动高端和
2008-12-09 02:33:471568 
的输入电压工作，在高达 100V 瞬态时可连续工作。该驱动器可与功率 MOSFET 以及凌力尔特众多 DC/DC 控制器选择中相结合，构成完整的电源。
2013-10-09 15:41:271040 
LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器在 -55°C 至 125°C 的温度范围内工作
2021-03-18 22:10:11
3 100V 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器在 -40°C 至 150°C 的温度范围内工作
2021-03-19 06:51:081
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