6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》-电子发烧友网

6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.7 迁移率限制因素

6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性

第６章碳化硅器件工艺

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

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碳化硅(SiC)功率器件特性及应用

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碳化硅功率器件的优势应及发展趋势

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碳化硅功率器件的技术、应用与发展简析

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碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的

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第三代宽禁带半导体碳化硅功率器件的应用

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