Intel公开三项全新封装技术 灵活、高能集成多芯片

近日Intel公开了三项全新的封装技术：

一、Co-EMIB

利用利用高密度的互连技术，将EMIB(嵌入式多芯片互连桥接) 2D封装和Foveros 3D封装技术结合在一起，实现高带宽、低功耗，以及相当有竞争力的I/O密度。

Co-EMIB能连接更高的计算性能和能力，让两个或多个Foveros元件互连从而基本达到SoC性能，还能以非常高的带宽和非常低的功耗连接模拟器、内存和其他模块。

二、ODI

ODI全称Omni-Directional Interconnect，为封装中小芯片之间的全方位互连通信提供了更大的灵活性。

ODI封装架构中，顶部的芯片可以像EMIB下一样，与其他小芯片进行水平通信，还可以像Foveros下一样，通过TSV与下面的底部裸片进行垂直通信。

ODI利用更大的垂直通孔，直接从封装基板向顶部裸片供电，比传统硅通孔更大、电阻更低，因而可提供更稳定的电力传输，同时通过堆叠实现更高的带宽和更低的时延。此外，这种方法减少了基底芯片所需的硅通孔数量，为有源晶体管释放更多的面积，并优化了裸片的尺寸。

三、MDIO

基于高级接口总线(AIB)物理层互连技术，Intel发布了这种名为MDIO的全新裸片间接口技术。

MDIO技术支持对小芯片IP模块库的模块化系统设计，能效更高，响应速度和带宽密度可以是AIB技术的两倍以上。