回顾2018年下半年的产业事件，我国各地正加速布局第三代半导体产业

2018年，对中国的集成电路而言，是不平静、也是不平凡的一年。有中美贸易战爆发的震惊和思考，也有AI和5G等推进的振奋和憧憬；有芯片业的紧迫和焦灼，也有社会力量和资本的关注和热捧……

回顾2018年下半年的产业事件，可以发现我国各地正加速布局第三代半导体产业。

第三代半导体材料即宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev），主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAS）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN），较为成熟的是碳化硅和氮化镓被称为第三代半导体材料的双雄，而氧化锌、金刚石、氮化铝的研究尚属起步阶段。微波射频领域、光电领域、电力电子等领域为第三代半导体提供了广阔的市场空间。

对第三代半导体项目进行统计发现，今年下半年我国第三代半导体产业落地加速，有超过9个项目落地、开工、投产等，三安光电正式推出6英寸SiC晶圆代工制程。

根据以上表格，可以看到有4个项目投资金额超过10亿元，下面我们就来重点看看这4个项目的情况。

01

聚力成外延片和芯片产线项目

聚力成外延片和芯片产线项目由重庆捷舜科技有限公司投资建设，预计总投资50亿元，主要从事氮化镓外延片、芯片研发与生产、芯片封装代工服务等。

据悉，按计划，该项目在签约后1个月内启动建设，12个月内完成一期厂房建设并开始试生产。投产后的5年内总产值将达到100亿元，税收将超过13亿元。同时，聚力成外延片和芯片产线项目产业配套项目总投资达40亿元，占地300亩，还将建设中国区总部、科技研发及产学基地。

02

天岳碳化硅材料项目

天岳碳化硅材料项目由山东天岳晶体材料有限公司开发建设，总投资30亿元，项目分为两期建设，一期占地156亩，主要生产碳化硅导电衬底，预计年产值可达13亿元；二期主要生产功能器件，包括电力器件封装、模块及装置，新能源汽车及充电站装置、轨道交通牵引变流器、太阳光伏逆变器等，预计年产值可达50～60亿元。

据湖南日报报道，该项目的开工标志着国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建。

03

中科院碳化硅产业一体化项目

中科院碳化硅产业一体化项目总投资20亿元，主要产品为碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOS晶体管等功率器件。

04

北京双仪微电子项目

北京双仪微电子科技有限公司公开表明投资意向将投资10亿元在北京市亦庄经济技术开发区建造目前全国唯一具备规模化量产能力的先进工艺技术生产线，进行砷化镓微波集成电路(GaAs MMIC)芯片的代工服务，预计于2019年初投产使用。

2016可谓是我国第三代半导体产业发展“元年”，以“北京第三代半导体材料及应用联合创新基地”正式动工和第三代半导体南方基地落户广东事件为标志，我国第三代半导体的地方基地布局在各级政府推动下正在逐步展开。

2017年政策、资金双剑合璧，工信部、国家发改委发布的《信息产业发展指南》将“第三代化合物半导体”列为集成电路产业的发展重点，国内也首现第三代半导体投资热潮。

有专家表示，2018年是第三代半导体产业化准备的关键期。

从上述汇总的第三代半导体项目的一些情况也可以看到，随着产业与政府的共同发力，我国第三代半导体正在产业化道路上加速推进。