不同于HBM垂直堆叠，英特尔新型内存ZAM技术采用交错互连拓扑结构

不同于HBM垂直堆叠，英特尔新型内存ZAM技术采用交错互连拓扑结构

据日本媒体PCWatch报道，英特尔在2026年日本英特尔连接大会（Intel Connection Japan 2026）上，首次正式全面介绍了ZAM技术，其核心重点的是Z型角架构如何缓解现有解决方案面临的性能与散热限制。

这款内存解决方案的核心亮点的是采用了交错互连拓扑结构,该结构将裸片堆叠内部的连接线路设计为对角线分布，而非传统的垂直向下钻孔连接。这款以内存为核心的项目，旨在进军HBM市场并参与竞争。





目前，关于Z型角内存项目相较于HBM的具体表现，已有多项相关说法，但在初期讨论中，有望看到以下几方面的提升，包括功耗降低40%-50%,通过Z型角互连简化制造流程，单芯片更高存储容量（最高512GB）。