0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

探索VN808-E与VN808-32-E:八通道高端驱动器的卓越性能与应用

lhl545545 2026-01-28 14:15 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

探索VN808-E与VN808-32-E:八通道高端驱动器的卓越性能与应用

在电子工程领域,选择合适的驱动器对于确保系统的稳定运行至关重要。今天,我们将深入探讨意法半导体(ST)推出的VN808-E和VN808-32-E八通道高端驱动器,了解它们的特点、性能参数以及应用场景。

文件下载:vn808-e.pdf

产品概述

VN808-E和VN808-32-E是采用意法半导体VIPower M0 - 3技术实现的单片器件,旨在驱动一侧接地的各种负载。它们具有多种保护功能,能够有效应对过载、过热等问题,非常适合符合IEC 61131标准的工业应用。

关键参数对比

型号 RDS(on)(每通道) IOUT VCC
VN808 - E 150 mΩ 0.7 A 45 V
VN808 - 32 - E 150 mΩ 1 A 45 V

从参数上可以看出,VN808 - 32 - E在输出电流方面表现更优,能够满足对电流要求较高的负载。

产品特点

输入兼容性

具备VCC/2兼容输入,这使得它在与其他电路进行接口时更加灵活,能够适应不同的输入信号要求。

多重保护功能

  1. 过温保护:包括结温过温保护和外壳过温保护。结温保护阈值(TJSD)高于外壳保护阈值(TCSD),一般在热应力条件下首先触发的是结温热关断。当温度高于相关阈值时,输出关闭;当温度低于复位阈值时,输出重新开启。
  2. 电流限制:当输出级的电流检测值高于固定阈值时,电流限制过程启动,通过调制栅极电压来防止输出电流超过限制值。
  3. 短路负载保护:在短路情况下,能够有效限制电流,保护器件不受损坏。
  4. 欠压关断:当电源电压低于设定的欠压阈值时,器件自动关闭,避免在低电压下工作可能带来的不稳定问题。
  5. 接地丢失保护:若接地引脚断开,器件会自动关闭,确保系统安全。

低待机电流

极低的待机电流有助于降低系统功耗,提高能源效率。

电磁兼容

符合IEC 61000 - 4 - 4测试标准,能够承受高达4 kV的静电放电,具有良好的抗干扰能力。

电气特性

电源部分

参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VCC(直流电源电压) - 45 V
-IGND(直流接地反向电流) - 250 mA
TRAN(接地反向电流,脉冲持续时间 < 1 ms) - 6 A
IOUT(直流输出电流) 内部限制 - A
-IOUT(反向直流输出电流) - 5 A
IIN(直流输入电流) ±10 mA
VIN(输入电压范围) -3/+VCC V
VESD(静电放电) R = 1.5K Ω; C = 100pF 2000 V
PTOT(Tc = 25°C时的功耗) - 10 W
EAS(单脉冲雪崩能量,所有通道同时驱动,Tamb = 125 °C,IOUT = 0.6 A/通道) - 1.15 J
TJ(结工作温度) 内部限制 - °C
Tc(外壳工作温度) 内部限制 - °C
TSTG(存储温度) -40 to 150 °C

开关特性

在VCC = 24 V的条件下,开关时间和电压斜率等参数表现如下: 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
tON(导通时间) RL = 48 Ω,从80% VOUT - 50 100 µs
tOFF(关断时间) RL = 48 Ω,到10% VOUT - 75 150 µs
dVOUT/dt (ON)(导通电压斜率) RL = 48 Ω,从VOUT = 2.4 V到VOUT = 19.2 V - 0.7 - V/µs
dVOUT/dt (OFF)(关断电压斜率) RL = 48 Ω,从VOUT = 21.6 V到VOUT = 2.4 V - 1.5 - V/µs

输入引脚特性

参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VINL(输入低电平) - - - VCC / 2 - 1 V
IINL(低电平输入电流) VIN = VCC / 2 - 1 V 80 - 650 µA
VINH(输入高电平) - VCC / 2 + 1 - - V
IINH(高电平输入电流) VIN = VCC / 2 + 1 V - 150 260 µA

保护特性

参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
TCSD(外壳关断温度) - 125 130 135 °C
TCR(外壳复位温度) - 110 - - °C
TCHYST(外壳热滞) - 7 - 15 °C
TJSD(结关断温度) - 150 175 200 °C
TR(结复位温度) - 135 - - °C
THYST(结热滞) - 7 - 15 °C
IPEAK(限制前的最大直流输出电流) VCC = 24 V; RLOAD = 10 mΩ 1.1(VN808 - E) 2.6 A
ILIM(每通道直流短路电流限制) VCC = 24 V; RLOAD = 10 mΩ 1(VN808 - 32 - E) 1.7 A
VDEMAG(关断输出钳位电压) IOUT = 0.5A; L = 6 mH VCC - 57 VCC - 52 VCC - 47 V

状态引脚特性

参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
IHSTAT(STATUS引脚高电平电流) VCC = 18 to 32 V; RSTAT = 1kΩ(故障条件) 2 3 4 mA
ILSTAT(STATUS引脚泄漏电流) 正常工作; VCC = 32V 0.1 - - μΑ

引脚连接与应用

引脚功能

该器件具有多个引脚,包括电源引脚(VCC)、输入引脚(IN1 - IN8)、输出引脚(OUT1 - OUT8)、状态引脚(STATUS)和接地引脚(GND)等。每个引脚都有其特定的功能,在设计电路时需要正确连接。

应用示例

图5展示了一个应用示例,包括用于总线电感效应的滤波器EMC滤波器、浪涌测试保护和电流注入测试保护等。通过合理的电路设计,可以确保器件在不同的应用场景下稳定工作。

热信息与保护

热阻抗

器件的热阻抗参数对于散热设计非常重要。结到外壳的热阻(Rth(JC))为1.3 °C/W,结到环境的热阻(Rth(JA))在特定条件下为17 °C/W。在实际应用中,需要根据这些参数来设计散热方案,确保器件在合适的温度范围内工作。

反向极性保护

为了防止电源极性接反对器件造成损坏,可以采用两种反向极性保护方案:

  1. 电阻方案:在IC接地引脚和负载接地之间放置一个电阻RGND。需要根据DC反向接地引脚电流(IGND)来选择合适的电阻值,功率耗散为PD = (VCC)² / RGND。
  2. 二极管方案:在IC接地引脚和负载接地之间放置一个二极管。选择二极管时需要考虑VRRM > |Vcc|及其功率耗散能力,功率耗散为PD ≥ IS * Vf。

封装与运输信息

封装

提供PowerSO - 36封装,符合不同等级的ECOPACK®环保标准。详细的封装机械数据包括尺寸、公差等信息,在设计PCB时需要参考这些数据来确保器件的正确安装。

运输信息

支持管装和卷带包装两种运输方式,不同包装方式有各自的机械数据和基本数量、批量数量等信息。在采购和使用时,需要根据实际需求选择合适的包装方式。

总结

VN808-E和VN808-32-E八通道高端驱动器凭借其丰富的保护功能、良好的电气特性和灵活的输入兼容性,为工业应用提供了可靠的解决方案。在选择使用时,工程师需要根据负载的要求、工作环境等因素综合考虑,合理设计电路,以充分发挥其性能优势。你在实际应用中是否遇到过类似驱动器的选型和设计问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    探索NCV7755:八通道高端驱动器卓越性能与应用潜力

    在汽车电子和工业控制领域,高端驱动器性能和可靠性直接影响着整个系统的运行。今天,我们将深入探讨安森美(onsemi)的NCV7755八通道高端
    的头像 发表于 12-04 14:26 1152次阅读
    <b class='flag-5'>探索</b>NCV7755:<b class='flag-5'>八通道</b><b class='flag-5'>高端</b><b class='flag-5'>驱动器</b>的<b class='flag-5'>卓越性能与</b>应用潜力

    探索DS320PR810:八通道线性转接驱动器卓越性能与应用

    探索DS320PR810:八通道线性转接驱动器卓越性能与应用 在高速数据传输的时代,PCIe 5.0、CXL 2.0等高速接口的应用越来越广泛,对信号传输的质量和距离也提出了更高的要
    的头像 发表于 12-16 14:15 698次阅读

    探索MAX2078:八通道超声前端的卓越性能与应用潜力

    探索MAX2078:八通道超声前端的卓越性能与应用潜力 在超声成像技术飞速发展的今天,高性能、低成本的超声前端芯片显得尤为重要。MAX2078作为一款
    的头像 发表于 01-14 14:20 477次阅读

    ISO808/ISO808 - 1:用于高感性负载的隔离式八通道高端功率固态继电器

    ISO808/ISO808-1:用于高感性负载的隔离式八通道高端功率固态继电器 在工业自动化和电子设备领域,对于能够可靠驱动各种负载的高
    的头像 发表于 01-28 10:30 986次阅读

    探索IPS8160HQ与IPS8160HQ - 1:八通道高端驱动器卓越性能

    探索IPS8160HQ与IPS8160HQ - 1:八通道高端驱动器卓越性能 在电子工程领域,高端
    的头像 发表于 01-28 10:30 741次阅读

    VN330SP - E:高性能通道高侧智能功率固态继电器剖析

    VN330SP - E:高性能通道高侧智能功率固态继电器剖析 在电子工程领域,固态继电器是实现负载驱动与保护不可或缺的元件。今天,我们就来
    的头像 发表于 01-28 11:40 780次阅读

    VN340SP-E & VN340SP-33-E:高性能固态继电器的深度剖析

    VN340SP-33-E 固态继电器,是意法半导体(STMicroelectronics)采用 VIPower 技术开发的一款出色产品,它在驱动负载和保护功能方面表现卓越。 文件下载:
    的头像 发表于 01-28 11:40 985次阅读

    探索VN340SP-EVN340SP-33-E:高性能固态继电器的卓越之选

    探索VN340SP-EVN340SP-33-E:高性能固态继电器的卓越之选 在电子工程师的世界里,选择合适的元件对于设计的成功至关重要。今
    的头像 发表于 01-28 11:40 946次阅读

    探索VN808CM-EVN808CM-32-E八通道高端驱动器卓越性能

    探索VN808CM-EVN808CM-32-E八通道高端驱动器
    的头像 发表于 01-28 14:15 557次阅读

    探索LTC4246:八通道电子断路卓越性能与应用

    探索LTC4246:八通道电子断路卓越性能与应用 在电子设计领域,对于高性能、高集成度的电路保护和控制元件的需求日益增长。今天,我们就来
    的头像 发表于 02-06 14:05 351次阅读

    深入剖析TLC5960:八通道LED驱动芯片的卓越性能与应用

    深入剖析TLC5960:八通道LED驱动芯片的卓越性能与应用 在电子工程领域,LED驱动芯片的性能直接影响着LED照明系统的表现。TLC59
    的头像 发表于 02-27 13:55 291次阅读

    剖析AD9273:八通道集成芯片的卓越性能与应用

    剖析AD9273:八通道集成芯片的卓越性能与应用 在电子工程师的设计世界里,寻找一款性能卓越、功能丰富且适合特定应用的芯片至关重要。AD9273作为一款针对低成本、低功耗、小尺寸及易于
    的头像 发表于 03-30 11:15 292次阅读

    AD9675:八通道超声AFE的卓越性能与应用

    AD9675:八通道超声AFE的卓越性能与应用 在医疗超声和无损检测等领域,对高性能、低功耗的模拟前端(AFE)的需求持续增长。Analog Devices的AD9675八通道超声AF
    的头像 发表于 03-30 15:15 214次阅读

    深入解析AD5678:八通道DAC的卓越性能与应用

    深入解析AD5678:八通道DAC的卓越性能与应用 在电子设计领域,数模转换(DAC)扮演着至关重要的角色,它能够将数字信号转换为模拟信号,广泛应用于各种电子设备中。今天,我们将深入探讨一款高
    的头像 发表于 04-14 11:05 663次阅读

    AD7228:八通道8位DAC的卓越性能与应用探索

    AD7228:八通道8位DAC的卓越性能与应用探索 引言 在电子设计领域,数模转换(DAC)是连接数字世界和模拟世界的关键桥梁。AD7228作为一款具有独特特性的
    的头像 发表于 04-14 14:35 238次阅读