纳芯微推出NSI1611系列隔离电压采样芯片-电子发烧友网

来源：纳芯微电子

纳芯微今日宣布正式推出全新一代隔离电压采样芯片NSI1611系列。作为纳芯微经典产品NSI1311系列的全面升级，NSI1611系列基于其领先的电容隔离技术，在性能与适配性上实现双重突破。

其核心创新在于支持0~4V宽压输入的同时，能够保持1Gohm的高阻输入，可显著提升电压采样的精度与抗干扰能力；同时部分料号亦兼容传统0~2V输入，为客户提供更灵活的器件选择。

NSI1611系列包含差分输出的NSI1611D和单端输出的NSI1611S。其中，差分输出均为固定增益，单端输出则提供固定增益和可调比例增益两类选项，进一步满足不同系统架构与设计需求。

在新能源汽车与工业自动化领域，对高压系统采样提出了“高精度、高灵活度”的严苛要求，隔离电压采样芯片的性能迭代与场景适配能力已成为行业竞争关键。全新NSI1611系列通过创新的宽压+高阻输入与灵活输出配置两大特点，能够同时支持新项目设计与存量平台升级，为新能源汽车主驱逆变器、车载充电机（OBC）等汽车应用，以及伺服、变频器、电机驱动等工业应用带来更优的器件选择。

创新宽压+高阻输入

精度抗扰双重提升

以新能源汽车主驱系统为例，随着其母线电压进一步提升至800V，以及SiC/GaN器件的应用，控制系统对电压采样的精度及抗干扰能力有了更高的要求。

市面上多数隔离电压采样芯片的输入范围为0~2V，而NSI1611创新性地在保持1Gohm高阻输入的同时，将其拓展至0~4V，突破前代及行业同类产品的输入范围限制，带来精度和抗干扰的双重升级，在适配更高母线电压的同时，降低了设计复杂度和开发周期。

抗干扰能力增强：NSI1611采用宽压输入时，参考地的噪声对输入信号的干扰比例直接减半。结合NSI1611内部的电路优化，其芯片EOS能力大幅提升，且EMI可通过CISPR 25 Class 5等级测试，CMTI高达150kV/μs。在新能源汽车主驱、工业变频器等高开关频率的复杂电磁环境中，宽压输入能够保证采样信号更纯净，大大提升了系统运行的稳定性，降低终端应用的失效风险。

采样精度再升级：0~4V的宽压输入范围可扩大分压比，结合优化的信号调理设计，在保持高阻输入的同时显著降低输入误差，让测量数据更接近真实电压值，为系统的精准控制提供可靠数据；在采样误差测试中，相比前代产品NSI1311系列，NSI1611系列凭借更宽的输入范围在系统的低压区域取得了较大的精度优势，在满量程800V母线电压系统中，当输入电压100V时，NSI1611的采样误差相比NSI1311降低超30%，误差低于1.2%。

NSI1611和NSI1311的采样误差随输入电压变化曲线

单端/差分输出灵活选择

简化设计更高效

凭借深刻的系统级理解，NSI1611系列基于前代产品的应用痛点，全新加入单端输出版本，并且提供“固定增益/比例增益”双版本选择，适配多元化的系统配置需求，可帮助客户简化选型和设计：

简化设计、降低BOM成本：NSI1611的单端输出信号可直接接入MCU的ADC 接口，彻底省去了传统差分输出方案所必需的后级运放及调理电路，不仅直接降低了BOM成本，还简化了PCB布局与器件选型复杂度，为紧凑型和高功率密度应用提供了更优的解决方案。

增益自适应适配多元需求：比例增益版本（NSI1611S33/NSI1611S50）可通过REFIN引脚进行配置，使输出增益匹配后端ADC的满量程输入范围，最大化利用ADC的动态范围，提升了整体信号链的有效位数与采样精度，进一步满足多元化的高精度测量需求。

单端输出隔离电压采样应用电路图（无需后级运放）

差分输出隔离电压采样应用电路图（橙框内为运放）

同时，NSI1611系列亦保留差分输出版本NSI1611D02，与纳芯微NSI1311完全引脚兼容，客户无需修改PCB即可实现无缝升级或跨品牌替换，显著降低迁移成本。

多项参数优化

性能全面升级

随着系统功率密度的提升，对器件耐压能力、采样精度、EMI性能等提出了更高的要求。NSI1611针对相关关键参数进行了优化，在全面升级器件可靠性和性能的同时，亦优化了器件成本，为客户提供“性能-成本-可靠性”兼得的选择。

车规级可靠性保障：NSI1611系列的车规版本满足AEC-Q100 Grade 1要求，工作温度覆盖-40℃~125℃，隔离耐压高达5700Vrms，最大浪涌隔离耐压Viosm达10kV，适配汽车高温高压严苛环境，可在极端场景下确保隔离的可靠性。

精度参数全面进阶：NSI1611系列的输入偏置电压Vos（Offset Voltage）指标优化至±0.8mV，相较于前代NSI1311同规格产品的±1.5mV，精度表现实现巨大提升；此外，增益温漂（Gain Drift）从前代的45ppm/℃优化至40ppm/℃，全温区精度稳定性进一步提升；非线性误差、温漂（Offset Drift）维持在行业优异水平，有效加快了系统开发的标定流程；同时，NSI1611系列的采样带宽达到330kHz，适配SiC和GaN等新一代高频开关器件控制，满足高动态响应需求。

功耗优化更节能：相比前代产品，NSI1611系列功耗表现进一步优化，助力终端产品降低能耗。对比前代，NSI1611的Idd1由11.4mA降低至7.2mA，Idd2由6.3mA降低至4.7mA（均为典型值Typ.），NSI1611系列的整体综合功耗下降约33%，可助力客户打造更节能的汽车电子系统，提高新能源汽车的续航里程。

EMI表现更优异：NSI1611基于时钟信号隔离通道复用技术，大幅优化了EMI表现。在200MHz到1000MHz频段的EMI测试中，NSI1611的辐射发射（RE）指标在水平方向和垂直方向均保持10dB以上裕度（3dB～6dB裕度即可满足工程需求），可轻松通过CISPR 25 Class 5认证。面对汽车主驱、OBC等复杂电磁环境，可以减小对系统其他部件的电磁干扰，有效减少系统电磁兼容整改工作量，加快产品上市进度。