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TPS53830:专为DDR5内存模块设计的高集成度数字降压转换器

科技观察员 2025-09-28 10:04 次阅读
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Texas Instruments TPS53830集成降压数字转换器是D-CAP+™模式集成降压转换器,用于DDR5 on-DIMM电源。TPS53830为DIMM模块上的DRAM芯片提供VDD、VDDQ和VPP电压,具有可配置电流能力。

数据手册:*附件:Texas Instruments TPS53830集成降压数字转换器数据手册.pdf

TI TPS53830集成降压数字转换器具有大电流轨,能够配置为两相或两个输出,提供高达12A(或6A + 6A)电流,带D-CAP+™模式控制。

TPS53830具有内部补偿,减少了外部元件数量,简单易用。TPS53830转换器支持全套遥测,包括输入电压、输出电压、输出电流、过压、欠压、过流限制和过热保护。

TPS53830采用散热增强型35引脚QFN封装,工作温度范围为-40°C至+125°C。

特性

  • 单硅器件设计,支持DDR5应用
  • 3个输出,可支持VDD (1.1V)、VDDQ (1.1V) 和VPP (1.8V),并具有可选的第4个输出 (VDD2)
  • 3个输出:VDD为12A(SWA双相)、VDDQ为6A (SWC)、VPP为5A (SWD)
  • 4个输出:VDD1为6A(SWA)、VDD2为6A (SWB)、VDDQ为6A (SWC)、VPP为5A (SWD)
  • 差分遥感:VDD、VDDQ和VPP
  • D-CAP+™控制,可实现快速瞬态响应
  • 4.5V至15V宽输入电压
  • 编程内部环路补偿
  • 每相逐周期电流限制
  • 可编程频率:500kHz至1.375MHz
  • 支持用于电压、电流、功率、温度和故障状况遥测的I^2^C和I^3^C总线接口
  • 过流、过压和过热保护
  • 持久寄存器(黑盒)功能
  • 低静态电流
  • 5mm×5mm,35引脚,QFN PowerPad™封装

简化应用

1.png

TPS53830:专为DDR5内存模块设计的高集成度数字降压转换器

引言

随着DDR5内存技术在服务器和数据中心中的快速普及,对内存模块电源管理的要求也日益提高。Texas Instruments推出的TPS53830是一款高度集成的多输出降压转换器,专门为DDR5 On-DIMM(双列直插内存模块)电源供应而设计。该器件通过单芯片解决方案提供VDD、VDDQ和VPP三种关键电压,满足了DDR5内存对电源精度、瞬态响应和功率密度的严苛要求。


一、TPS53830核心特性概览

TPS53830是一款基于D-CAP+™控制模式的全集成数字降压转换器,具有以下突出特点:

  • 多输出配置
    • 3输出模式:VDD(12A双相)、VDDQ(6A)、VPP(5A)
    • 4输出模式:VDD1(6A)、VDD2(6A)、VDDQ(6A)、VPP(5A)
  • 高精度远程检测 :支持VDD、VDDQ和VPP的差分远程感知
  • 宽输入电压范围 :4.5V至15V,适应服务器电源环境
  • 可编程开关频率 :500kHz至1.375MHz,优化效率与体积
  • 数字接口支持 :I²C和I3C总线,用于电压、电流、功率和温度的遥测
  • 全面保护机制 :过流、过压、过热保护,具备持久寄存器(黑匣子)功能
  • 紧凑封装 :5mm × 5mm QFN PowerPad™封装,适合DIMM模块空间限制

二、架构与技术创新

2.1 D-CAP+™控制模式

TPS53830采用D-CAP+™自适应导通时间控制架构,无需外部补偿网络即可实现快速瞬态响应。该技术特别适合DDR5内存负载快速变化的场景,能有效降低输出电容需求,减小解决方案尺寸。

2.2 多相输出配置

器件支持灵活的相位配置:

  • VDD输出可配置为双相 ,提供最高12A输出能力,改善热分布和纹波性能
  • 独立控制的VDDQ和VPP输出 ,确保各电压轨的稳定性和独立性

2.3 全数字遥测与监控

通过I²C/I3C接口,系统可实时读取:

  • 输入/输出电压、输出电流、功耗
  • 芯片温度、故障状态记录
  • 持久寄存器保存关键故障信息,便于系统诊断

三、DDR5内存电源需求与TPS53830的匹配性

3.1 DDR5电源架构简介

DDR5内存模块需要三种核心电源:

  • VDD :核心电压,通常为1.1V,要求高电流、低纹波
  • VDDQ :I/O电压,同样为1.1V,需与VDD隔离
  • VPP :激活电压,为1.8V,用于字线驱动

3.2 TPS53830的优化设计

  • 差分远程检测 :补偿DIMM连接器PCB走线压降,提升电压精度
  • 可编程软启动 :避免上电冲击,符合JEDEC标准
  • 循环电流限制 :保护MOSFET和电感,提高系统可靠性

四、典型应用设计考量

4.1 输出配置选择

根据目标DIMM类型选择输出模式:

  • 高性能服务器DIMM :推荐使用3输出模式,VDD配置为双相以支持更高电流
  • 标准容量DIMM :可选用4输出模式,平衡功耗与成本

4.2 布局建议

  • 功率路径最短化 :输入电容靠近VIN引脚,输出电感与电容紧凑布局
  • 信号隔离 :远程检测走线远离开关节点,避免噪声耦合
  • 热管理 :利用PowerPad™与PCB地平面连接,通过过孔散热

4.3 外部元件选型

  • 电感选择 :根据开关频率和负载电流选择低DCR、高饱和电流电感
  • 输出电容 :使用低ESR陶瓷电容,优化瞬态响应
  • 输入电容 :建议使用高频陶瓷电容与bulk电解电容组合

五、系统集成与遥测功能

5.1 I²C/I3C接口应用

通过数字接口可实现:

  • 实时监控 :读取各输出轨的电压、电流和温度
  • 故障记录 :访问黑匣子寄存器,分析历史故障原因
  • 动态调整 :根据需要调整输出电压或开关频率

5.2 与BMC或CPLD的协作

TPS53830可与基板管理控制器(BMC)或复杂可编程逻辑器件(CPLD)配合,实现:

  • 电源序列控制
  • 故障预警与日志记录
  • 能效优化策略执行

六、应用场景与市场定位

TPS53830主要面向以下应用:

  • 服务器DDR5 DIMM模块
  • 高性能计算内存子系统
  • 数据中心存储服务器
  • 工作站和高端台式机内存模块
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