该CDCBT1001是1.2 V至1.8 V时钟缓冲器和电平转换器。VDD_IN引脚电源电压定义输入LVCMOS时钟电平。VDD_OUT引脚电源电压定义输出LVCMOS时钟电平。VDD_IN = 1.2 V ± 10%。VDD_OUT = 1.8 V ± 10%
24 MHz时的12 kHz至5 MHz附加RMS抖动小于0.8 ps。
*附件:cdcbt1001.pdf
特性
- 时钟频率范围:直流至24 MHz
- 1.2V 至 1.8V LVCMOS 时钟电平转换:
- VDD_IN = 1.2 V ± 10%
- VDD_OUT = 1.8 V ± 10%
- 低附加抖动和相位噪声:
- 0.8 ps最大12 kHz至5 MHz附加RMS抖动(f
外= 24 兆赫) - –120 dBc/Hz 在 1 kHz 偏移时的最大相位噪声 (f
外= 24 兆赫) - –148dBc/Hz 最大相位本底噪声 (f
外= 24 MHz,f抵消≥ 1 MHz)
- 0.8 ps最大12 kHz至5 MHz附加RMS抖动(f
- 5 ns 20% 至 80% 的上升/下降时间
- 10 ns 传播延迟
- 低电流消耗
- –40°C 至 85°C 工作温度范围
参数
方框图

1. 核心功能
- 电平转换:支持1.2V(输入)至1.8V(输出)的LVCMOS时钟信号转换,输入/输出电压容差分别为±10%。
- 低抖动性能:12kHz至5MHz频段内最大附加RMS抖动仅0.8ps(24MHz输出时)。
- 低功耗:典型电流消耗35μA(12MHz)至60μA(24MHz)。
2. 关键参数
- 电气特性
- 工作频率范围:DC至24MHz
- 传播延迟:10ns
- 上升/下降时间:5ns(20%-80%)
- 相位噪声:≤-120dBc/Hz @1kHz偏移(24MHz输出)
- 工作条件
- 温度范围:-40°C至85°C
- 输入电压:1.08V-1.32V(VDD_IN)
- 输出电压:1.62V-1.98V(VDD_OUT)
3. 应用场景
4. 封装与设计支持
- 封装:X2SON-5(0.8mm×0.8mm超小尺寸)
- 布局建议:
- 每个电源引脚需配置0.1μF去耦电容
- 缩短走线长度以减少负载影响
- 提供示例PCB布局图(图10-1)
5. 附加信息
- 版本历史:2022年5月首次发布
- 文档支持:包含热阻参数、ESD防护等级(HBM 2000V/CDM 1000V)及完整引脚功能说明
典型应用示例
- 处理器时钟升压转换:将1.2V处理器时钟信号转换为1.8V系统控制器兼容电平(图8-1),需满足输入摆幅≥850mVpp及边沿速率≥0.2V/ns。
注意:具体设计需参考完整数据手册的绝对最大额定值与测试条件,避免超出推荐工作范围。
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