0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

股价一天暴涨一倍,全球碳化硅龙头起死回生?

Simon观察 来源:电子发烧友 作者:综合报道 2025-07-09 00:16 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

电子发烧友网综合报道

2025年7月8日,美东收盘后,此前一度表态将要申请破产的美国SiC大厂Wolfspeed大涨95.76%,市值回升至3.59亿美元,与此同时,公司预计三季度末撤销破产重组。

wKgZO2hs8FOAGYYCAACqxMPkpp8255.png

此次大涨的一个主要原因是Wolfspeed任命了新的首席财务官(CFO)Gregor van Issum。他将于2025年9月1日正式上任,并将主导公司的财务重组工作。

Gregor van Issum 是一位在财务和战略重组领域拥有丰富经验的高管,此前在蒂尔堡大学和马斯特里赫特大学接受教育,拥有经济学与信息技术硕士学位,以及高级管理硕士学位。

曾担任艾迈斯欧司朗的首席财务官,负责公司的财务战略和运营。在此期间,他积累了丰富的财务管理和战略规划经验,尤其是在复杂的跨国企业环境中。

此前据Wolfspeed2025财年Q3财报,截至2025年3月的9个月内,营收5.61亿美元(同比下降超7.57%),营业亏损7.48亿美元,毛利率由正转负。

因此,Wolfspeed自2024年下半年起开始裁员、关闭老旧产线等,2025年3月和6月两次裁撤Siler City材料厂初期人员,但仍未改变投入产出失衡。

而在此前,如果Wolfspeed按照原定计划进行破产重组,将进行预打包破产重组(pre-packaged Chapter 11),在债权人达成协议前提下重构股权,保留运营。同时现有股权持有人持股被取消,预计获3.0%或5.0%新普通股;其余股权由债权人联合体主导分配。

董事会则共设置7席,4席由第一留置权债权人指定,1席由第二留置权债权人指定,1席为现任CEO保留,1席协商产生。

值得一提的是,在2023年7月,瑞萨电子即与Wolfspeed签订了SiC晶圆长期供应协议,并在2024年10月将预付款总额增至20.62亿美元。

而此次,瑞萨电子也参与到了Wolfspeed的重组当中,并将20.62亿美元预付款转换为可转换票据、普通股和认股权证,在完全稀释情形下理论持股比例可达34.7%,有可能成为最大单一股东。这一操作既有止损意识,也有着打算借重组之机,转入控股的想法。

不过就在今年的5月底,《日经亚洲》曾经报道过,瑞萨电子已经正式放弃了SiC生产功率半导体的计划,原定在2025年初在日本群马县高崎事业所启动的量产规划取消,其内部专责研发与生产的团队已解散。

如今回过头来看,瑞萨的这一决定可能是其在与Wolfspeed协商债转股方案期间做出的战略调整。

此次Wolfspeed财务换帅,加上公司坚称重组过程将快速推进,能在第三季度走出破产困境。同时消息显示,该公司与债权人达成的协议将削减其总债务的70%(约46亿美元),并将其年度现金利息支付减少约60%。巨额的债务减免极大地减轻了其资产负债表上的压力,为公司未来的发展扫清了障碍,让投资者对公司未来财务状况和经营前景更有信心。

叠加当下Wolfspeed股价受到市场的热捧,一天涨幅接近一倍,或许Wolfspeed真的将摆脱困境,起死回生,也期待后续Wolfspeed的市场表现。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3318

    浏览量

    51726
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    探索碳化硅如何改变能源系统

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成为各行各业提高效率和推动脱碳的基石。碳化硅是高级电力系统的推动剂,可满足全球对可再生能源、电动汽车 (EV
    的头像 发表于 10-02 17:25 1418次阅读

    碳化硅器件的应用优势

    碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了传统材料下器件的参数瓶颈,直接促进了新能源等
    的头像 发表于 08-27 16:17 1115次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的应用优势

    碳化硅晶圆特性及切割要点

    的不同,碳化硅衬底可分为两类:类是具有高电阻率(电阻率≥10^5Ω·cm)的半绝缘型碳化硅衬底,另类是低电阻率(电阻率区间为15~30mΩ·cm)的导电型
    的头像 发表于 07-15 15:00 867次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圆特性及切割要点

    国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构

    SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮:国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC碳化硅功率半导体企业的崛起与技术突破 1.1 国产SiC
    的头像 发表于 06-07 06:17 790次阅读

    碳化硅功率器件有哪些特点

    随着全球对绿色能源和高效能电子设备的需求不断增加,宽禁带半导体材料逐渐进入了人们的视野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到广泛关注。碳化硅功率器件在电力电子、可再生能源以及电动汽车等领域的应用不断拓展,成为现代电子技术的
    的头像 发表于 04-21 17:55 1002次阅读

    东升西降:从Wolfspeed危机看全球SiC碳化硅功率半导体产业链重构

    Wolfspeed作为全球碳化硅(SiC)功率半导体领域的先驱企业,其股价暴跌(单日跌幅超50%)、财务困境与德国30亿欧元项目搁浅危机,折射出欧美与中国在SiC碳化硅功率半导体产业链
    的头像 发表于 03-31 18:03 876次阅读

    为什么碳化硅Cascode JFET 可以轻松实现硅到碳化硅的过渡?

    电力电子器件高度依赖于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)等半导体材料。虽然硅直是传统的选择,但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅
    发表于 03-12 11:31 851次阅读
    为什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以轻松实现硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的过渡?

    SiC碳化硅二极管公司成为国产碳化硅功率器件行业出清的首批对象

    器件能力的企业之所以面临被淘汰的风险,主要源于以下多维度原因:     1. 碳化硅二极管技术门槛低导致市场同质化与价格战 碳化硅二极管(如肖特基二极管)技术相对成熟,结构简单,进入门槛较低。国内众多企业涌入这领域,导致产能过
    的头像 发表于 02-28 10:34 684次阅读

    碳化硅MOSFET的优势有哪些

    随着可再生能源的崛起和电动汽车的普及,全球对高效能、低能耗电力电子器件的需求日益增加。在这背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作为种新型宽禁带半导体器件,以其优越的性能在功率电子领
    的头像 发表于 02-26 11:03 1273次阅读

    碳化硅SiC的光学优势及应用

    碳化硅的比刚度是传统玻璃的4,相同口径下重量仅为四分之,适合航天器减重需求。2.热稳定性:导热系数比玻璃高两个数量级,温控难度大幅降低,适应太空极端温差环境
    的头像 发表于 02-22 14:40 2047次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC的光学优势及应用

    碳化硅薄膜沉积技术介绍

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉积方面各具特色。多晶碳化硅以其广泛的衬底适应性、制造优势和多样的沉积技术而著称;而非晶碳化硅则以其极低的沉积温度、良好的化学与机械性能以及广泛的应用前景而
    的头像 发表于 02-05 13:49 1800次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉积技术介绍

    碳化硅的耐高温性能

    在现代工业中,高性能材料的需求日益增长,特别是在高温环境下。碳化硅作为种先进的陶瓷材料,因其卓越的耐高温性能而受到广泛关注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅
    的头像 发表于 01-24 09:15 2816次阅读

    碳化硅在半导体中的作用

    碳化硅(SiC)在半导体中扮演着至关重要的角色,其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅在半导体中的主要作用及优势: 碳化硅的物理特性
    的头像 发表于 01-23 17:09 2452次阅读

    产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用

    *附件:国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
    发表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    具有决定性的影响。因此,深入理解栅极氧化层的特性,并掌握其可靠性测试方法,对于推动碳化硅 MOSFET的应用和发展具有重要意义。今天的“SiC科普小课堂”将聚焦于“栅极氧化层”这新话题:“什么是栅极
    发表于 01-04 12:37