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非晶纳米晶材料如何实现高低温衰减≤12%

Big-Bit商务网 来源:Big-Bit商务网 作者:Big-Bit商务网 2025-07-08 14:04 次阅读
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十五年前,600V 的系统电压是组件的主流产品。五年前至今,1500V 的系统电压成为了储能产业的系统电压标准。阳光电源、上能电气、华为等企业已经相继布局1500V高压储能系统,并且延续向更高压(如2000V)演进的态势。

如何提高储能销量、确保储能的安全性和可靠性是当前储能产业链企业面临的重要问题。就材料选型而言,需要选择耐高压、低损耗、高可靠性、高饱和磁感应强度的材料。

对此,Big-Bit资讯《磁性元件与电源》特邀安阳佳友非晶非晶科技有限公司(下称“佳友非晶”)的销售经理郭振伟,阐述在1500V及更高压储能系统下,对非晶纳米晶材料提出的技术要求、趋势以及佳友非晶在非晶纳米晶材料方面做出的行业范例。

储能集装箱 图源:包图网

一、非晶纳米晶材料在储能领域的应用现状及难点

在高压储能领域,行业内使用软磁铁氧体和金属软磁粉芯比较多,但铁氧体的饱和磁感应强度(Bs)仅0.4-0.5T,且温度稳定性差,在80℃以上时Bs值衰减超过30%,导致高温工况下储能器件体积需额外增大40%以上。金属软磁粉芯材料高频损耗较大,且铁芯绕线时容易碎裂。

而非晶纳米晶材料在高频低损耗、高功率密度(Bs高)、宽温域等方面具有显著优势,逐渐成为高压储能领域的新兴材料。非晶纳米晶材料在储能领域的应用集中于电力电子转换的核心环节,主要包括:

一是DC-DC 变换器的滤波电感与共模电感:用于抑制高频噪声,提升系统稳定性;

二是LLC 电路变压器 / 电感:通过高饱和磁感应强度(Bs)和低损耗特性,优化能量传输效率;

三是输入输出端电感:在高压化趋势下,需承受更大电流应力,非晶纳米晶材料的抗饱和能力显著优于传统材料。

然而,非晶纳米晶材料在储能领域的规模化应用仍存在多维度挑战,主要体现在:

在高频损耗与热管理方面,高压化导致开关频率提升,材料需在高频下保持低损耗,避免过热失效。

在抗饱和与环境稳定性方面,大功率场景下,非晶纳米晶材料易因不平衡电流进入饱和状态,需兼顾高 Bs 与抗直流偏置能力。

在环境适应性方面,需通过盐雾腐蚀、温湿度循环(-40℃~+85℃,湿度 95% RH)等测试,确保非晶纳米晶材料在复杂工况下长期稳定运行。

在异形结构适配方面,储能模块小型化要求磁芯结构多样化(如E-I 型、阶梯式或组合型),非晶纳米晶材料难以满足复杂结构需求。

在与新型器件的协同优化方面,SiC/GaN 器件开关速度达 100V/ns,需材料高频响应能力(截止频率 > 1MHz)与之匹配。非晶纳米晶材料的高电阻率(1.2μΩ・cm)可有效降低涡流损耗。

“实际上,非晶纳米晶材料现在在很多场景的性能都是有冗余的,相较于性能能做得多么好,我们目前更关注如何提高非晶纳米晶材料稳定性,降低客户的生产成本。我们的优势是在高磁导率状态下,依然保持良好的温度稳定性,并且绕线后的性能衰减明显更小”郭振伟表示。

相比于非晶纳米晶材料本身的限制,非晶纳米晶行业目前的主要痛点在于:非晶纳米晶材料的标准化难度较大,且客户对非晶纳米晶材料的了解有限,许多仿真软件中甚至未包含非晶纳米晶材料的选项。并且在设计端印象中非晶纳米晶材料价格比较高,设计的时候不会考虑。

实际上,尽管非晶纳米晶材料的初始成本相对较高,但由于其能够有效减少元件体积、降低铜线用量,并减少散热处理成本,综合来看非晶纳米晶材料成本可能更具优势。

他补充道:“因此,相较于单纯追求性能的极致提升,当前我们的战略更倾向于拓宽非晶纳米晶材料的应用范围,提高非晶纳米晶材料的稳定性,使其适用于更多场景,从而更好的发挥非晶纳米晶材料的优势,为客户解决设计上的实际问题。”

二、双低纳米晶储能解决方案

佳友非晶作为一家专业生产非晶纳米晶磁芯的企业,储能一直是其重点关注市场。在高压储能领域,佳友非晶的非晶纳米晶产品主要应用在以下几个部位:

1.高频LLC电感:软磁材料Bs(饱和磁感应强度)越高,磁芯抗饱和能力越强;Hc(矫顽力)越低,磁滞损耗越小。纳米晶环形磁芯(Bs=1.2T@25℃/1kHz)较Mn-Zn铁氧体(Bs=0.4T)提升3倍,配合低矫顽力(Hc<0.5A/m),在 100kHz/0.2T工况下铁损低于50kW/m³,实现体积减少40%、效率提升2.3%以上。通过环氧树脂粉末静电涂装提升绝缘强度(耐压>5kV),适配1500V高压系统。

2.抗饱和滤波电感:针对高压化趋势,开发 μ=<500低磁导率纳米晶磁芯,通过恒温、恒速度、恒张力退火工艺精准调控磁导率,在 100A 直流偏置下电感量下降 < 10%,满足并网标准对电流纹波的要求。

3.EMI滤波共模电感/线束磁环:闭环磁芯结构配合宽频阻抗特性(10kHz-10MHz),有效滤除高频噪声,提升系统EMC性能。

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针对前文提到的难题,佳友非晶有以下方案:

1、高频低损耗磁环技术开发

采用0.018mm以下厚度的纳米晶薄带化设计,降低涡流损耗。同时通过精确退火,将晶粒尺寸控制在10~15nm,可使磁滞损耗降低20%左右。

2、热管理与应力稳定性

虽然纳米晶的居里温度比较高(550℃以上),但目前的纳米晶磁环125℃以上时普遍会有20%左右的磁导率衰减,超过了材料本身磁导率温度衰减(125℃衰减6%左右)。

郭振伟提到:“我们认为原因是非晶行业一般使用树脂浸泡烘干的方式固化磁环,磁环本身和叠片间隙中固化液、空气的热膨胀系数不同,导致磁环受内应力影响。”

对此,佳友非晶自研调配出复合配方的固化液,通过添加复合填料降低固化液CTE,保持与磁环的热膨胀系数接近,目前可以实现125℃情况下,电感衰减≤12%,同时大幅减少了磁环绕线后的感量衰减情况。

3、耐高压与环境稳定性

传统的非晶、纳米晶磁环一般需要加外壳、喷漆或者是环氧树脂粉末静电喷涂来保护磁环和提供绝缘强度,近年来因为小型化、集成化的问题,装盒的占比减少。而喷漆会有环保的问题,所以喷涂的占比越来越高。

佳友非晶开创性的使用了高分子镀膜方式代替传统的喷漆和喷涂,在涂层厚度不超过0.1mm的情况下可达到6kV以上耐压,并且膜层的环境适应性更强,已通过盐雾腐蚀(ISO 9227)、温湿度循环(-40℃~+85℃,湿度 95% RH)等测试,可确保磁环在复杂工况下长期稳定运行。

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从左到右依次是:未处理过磁环、镀膜后磁环、装外壳磁环

三、高低温下感量变化≤12%,佳友非晶如何应对高压高频挑战

在高电压趋势下,储能领域对非晶纳米晶的需求呈现出以下三种趋势:

一是高频化与小型化:随着SiC/GaN器件的普及,储能系统工作频率提升至MHz级别,要求材料具备更低损耗和更高磁导率。同时要配合元件集成的要求,缩小磁环体积。

二是低成本化:随着规模化应用,对磁元件和磁环厂家的成本控制要求也更严格。

三是环境稳定性:极端环境下磁导率波动需控制在±20%以内;需要通过盐雾试验。

目前,储能系统正朝高压化趋势发展(如2000V系统),这对非晶纳米晶材料提出了新要求。

首先,2000V系统对磁芯绝缘层的耐压要求显著提升,2000V系统磁芯绝缘需通过6kV/1min工频耐压测试,并且需要通过湿热循环测试(85℃/85% RH,持续1000小时)。

其次,由于2000V系统母线电流可高达数百安培,材料的抗饱和能力也需要进一步强化,并且要求具备低磁致伸缩系数(小于2ppm),以有效减少振动和噪声。

此外,磁环的形状不再局限于传统的环形,还需要满足更多样化的适配性要求。

针对上述趋势,佳友非晶非晶通过材料创新、工艺革新及产业协同等方式,全面布局应对储能高压化、高频化挑战。

在材料创新方面,公司正着手开发适用于3MHz以上高频场景的超低损耗纳米晶材料,同时持续改良工艺,推动国内纳米晶磁环的高温稳定性达到国际先进水平,并规划探索下一代复合磁材技术,包括探索Fe-Co基非晶/纳米晶复合材料(Bs>1.6T)、石墨烯复合技术以及其他软磁材料复合技术等。

在工艺革新上,引入磁性能预测模型,优化退火工艺参数,有效缩短研发周期。

此外,在标准化与生态协同方面,联合头部企业制定高压储能的行业标准,涵盖耐压等级、高频损耗测试方法等,并与半导体厂商联合开发高频磁-电协同设计方案,以提升系统能效。

结语

建设储能系统不仅可以实现峰谷套利,还能有效平抑电网供需波动,该市场已成为众多资本竞相布局的热点领域。而佳友非晶非晶的技术布局不仅着眼于满足当前市场需求,更致力于通过3-5年的前瞻性研发,为行业未来发展提供坚实支撑。

展望未来,具备高频低损耗、耐高压、高稳定性以及低成本特性的非晶纳米晶材料企业,有望在市场竞争中脱颖而出,赢得更多发展机遇。

本文为哔哥哔特资讯原创文章,未经允许和授权,不得转载

审核编辑 黄宇

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