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TPS1663 具有输出功率限制的 4.5V 至 60V、31mΩ、0.6A 电子保险丝数据手册

科技绿洲 2025-05-09 14:20 次阅读
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TPS1663x 是一款易于使用的 60V、6A 正电子保险丝,具有 31mΩ 集成 FET。提供对负载、电源和 eFuse 本身的保护以及可调功能,例如精确的过流保护、快速短路保护、输出转换速率控制、过压保护和欠压锁定。TPS16332 器件集成了可调输出功率限制 (PLIM) 功能,可简化并符合 IEC61010-1 和 UL1310 等标准。该器件还具有可调节的过流功能。PGOOD 可用于启用和禁用下游 DC/DC 转换器的控制。
*附件:tps1663.pdf

关断引脚提供外部控制,用于启用和禁用内部 FET,以及将器件置于低电流关断模式。对于系统状态监控和下游负载控制,该器件提供故障和精确的电流监控输出。MODE 引脚允许在两个限流故障响应 (闭锁和自动重试) 之间灵活地配置器件。

这些器件采用 4mm × 4mm 24 引脚 VQFN 封装,额定温度范围为 –40°C 至 +125°C。

特性

  • 4.5V 至 60V 工作电压,绝对最大值 67V
  • 集成 60V、31mΩ 电阻热插拔 FET
  • 0.6A 至 6A 可调电流限制 (±7%)
  • 低静态电流,关断时为 21 μA
  • 可调输出功率限制(仅限 TPS16632) (±6%)
  • 可调 UVLO 和 OVP 截止精度为 ±2%
    • 固定 39V 最大过压钳位(仅限 TPS16632)
  • 用于浪涌电流限制的可调输出转换速率控制
    • 在器件上电期间通过热调节为大型和未知的电容负载充电
  • 电源良好输出 (PGOOD)
  • 在自动重试和闭锁 (MODE) 之间选择过流故障响应选项
  • 模拟电流监视器 (IMON) 输出 (±6%)
  • UL 2367 认证
    • 文件编号E169910
    • RILIM ≥ 3 kΩ
  • IEC 62368-1 认证
  • 功能安全
  • 采用易于使用的 24 引脚 VQFN 封装

参数
image.png

方框图
image.png

1. 产品概述

  • 名称‌:TPS1663x
  • 类型‌:60V、6A eFuse,具有可调输出功率限制功能
  • 应用‌:工厂自动化、电机驱动、电子电路断路器、电信无线电、工业打印机等
  • 特点‌:集成60V、31mΩ RON热插拔FET,可调电流限制,低静态电流,可调输出功率限制,精确过压和欠压保护,热保护等

2. 主要特性

  • 工作电压‌:4.5V至60V,绝对最大值为67V
  • 热插拔FET‌:集成60V、31mΩ RON
  • 电流限制‌:0.6A至6A可调,精度±7%
  • 静态电流‌:21μA(关断状态下)
  • 输出功率限制‌:TPS16632型号具有可调输出功率限制功能,精度±6%
  • 过压和欠压保护‌:可调过压和欠压切断,精度±2%
  • 热保护‌:具备过热保护和自动重试功能

3. 功能描述

  • 过压保护(OVP) ‌:TPS16630具有可调过压切断功能,TPS16632具有固定39V最大过压钳位功能
  • 欠压锁存(UVLO) ‌:可调欠压锁存功能,防止低电压启动
  • 过载和短路保护‌:通过电流限制和快速短路保护电路防止过载和短路
  • 输出功率限制(PLIM) ‌:TPS16632具有可调输出功率限制功能,有助于符合IEC61010-1和UL1310等标准
  • 输出斜率控制(dVdt) ‌:通过dVdt引脚连接电容控制输出上升斜率,限制浪涌电流
  • 故障响应‌:可选择自动重试或锁存关闭故障响应模式
  • 电流监测‌:提供精确的电流监测输出(IMON),可用于系统健康监测

4. 电气特性

  • 导通电阻(RON) ‌:0.6A至6A时,典型值为30.4mΩ(25°C下)
  • 过压钳位电压(OVC) ‌:TPS16632型号固定为35.7V至39V
  • 欠压锁存阈值‌:上升阈值1.176V至1.224V,下降阈值1.09V至1.15V
  • 电流监测增益‌:IMON输出与负载电流成正比,增益为25.66μA/A至30.14μA/A(0.6A至2A),26.22μA/A至29.58μA/A(2A至6A)

5. 应用信息

  • 典型应用‌:包括电信无线电的eFuse保护电路、简单24V电源供应路径保护等
  • 设计步骤‌:包括选择电流限制电阻(R_ILIM)、设置欠压和过压阈值、计算输出斜率电容(C_dVdt)等
  • 系统示例‌:提供了光模块电源轨保护、PCIe卡、存储接口DC风扇的输入保护等示例

6. 布局指南

  • 旁路电容‌:推荐在IN引脚与GND引脚之间放置至少0.1μF的陶瓷电容
  • 高电流路径‌:连接应尽可能短且能承受至少两倍满载电流
  • 支持组件布局‌:将R_ILIM、C_dVdt、IMON电阻等支持组件靠近各自引脚放置,减少寄生效应

7. 文档与支持

  • 相关文档‌:包括产品数据表、设计计算器、应用笔记等
  • 支持资源‌:提供TI E2E™在线社区支持,可获取快速设计帮助和验证答案

8. 注意事项

  • 静电放电(ESD)防护‌:处理集成电路时需采取适当的ESD防护措施
  • 热管理‌:设计中需考虑设备的热性能,确保在最大负载条件下不超过最大结温
  • 故障处理‌:设备在检测到故障时会通过FLT引脚提供指示,用户需根据应用需求配置故障处理逻辑
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