LM74700D-Q1 汽车类 3.2V 至 70V、80μA 电池反向保护理想二极管控制器数据手册

LM74700D-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器，它与外部 N 沟道 MOSFET 一起作为理想二极管整流器，用于低损耗反极性保护，正向压降为 20 mV。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围允许控制许多常用的直流总线电压，例如 12V、24V 和 48V 汽车电池系统。3.2 V 输入电压支持特别适合汽车系统中的严苛冷启动要求。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。
*附件：lm74700d-q1.pdf

该器件控制 MOSFET 的 GATE 以调节 20 mV 的正向压降。该调节方案可在反向电流事件期间正常关闭 MOSFET，并确保零直流反向电流。对反向电流阻塞的快速响应 （< 0.75 μs） 使该器件适用于在ISO7637脉冲测试期间具有输出电压保持要求以及电源故障和输入微短路情况的系统。

LM74700D-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动。LM74700D-Q1 的高额定电压有助于简化汽车ISO7637保护的系统设计。当使能引脚为低电平时，控制器关闭并消耗大约 1 μA 的电流。

特性

• 符合 AEC-Q100 标准，结果如下
  • 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类 2 级
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
• 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
• –65V 反向额定电压
• 用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
• 20mV 阳极到阴极正向压降调节
• 使能引脚功能
• 1μA 关断电流 （EN=Low）
• 80μA 工作静态电流 （EN=高）
• 2.3A 峰值栅极关断电流
• < 0.75μs 的反向电流阻塞响应
• 通过合适的 TVS 二极管满足汽车 ISO7637 瞬态要求
• 采用 8 引脚 SOIC 封装

参数

方框图

1. 产品概述

LM74700D-Q1是一款AEC-Q100认证的汽车级低IQ反向电池保护理想二极管控制器，适用于需要低损耗反向极性保护的电路，如汽车ADAS系统、车载娱乐系统、工业自动化及企业电源供应等。

2. 主要特性

• ‌AEC-Q100认证‌：符合汽车级标准，温度等级1（-40°C至+125°C）。
• ‌宽输入范围‌：3.2V至65V，启动电压3.9V。
• ‌反向电压额定值‌：-65V。
• ‌低正向电压降‌：20mV。
• ‌低IQ与低操作静态电流‌：1µA（关断状态），80µA（开启状态）。
• ‌快速响应‌：<0.75µs的反向电流阻断响应。
• ‌电荷泵驱动‌：为外部N沟道MOSFET提供电荷泵门驱动。
• ‌使能引脚‌：通过使能引脚控制设备开启与关闭。

3. 电气规格

• ‌绝对最大额定值‌：输入引脚电压ANODE至GND为-65V至70V，输出引脚GATE至ANODE为-0.315V等。
• ‌推荐操作条件‌：ANODE至GND电压为-60V至65V，工作结温为-40°C至150°C。
• ‌电气特性‌：包括供应电压、操作静态电流、使能输入阈值、正向电压降调节阈值等详细参数。

4. 功能描述

• ‌输入电压监测‌：监测ANODE引脚电压以控制设备操作。
• ‌电荷泵‌：为外部N沟道MOSFET提供必要的门驱动电压。
• ‌门驱动‌：根据ANODE至CATHODE电压调整GATE至ANODE电压，以控制MOSFET的导通与截止。
• ‌使能功能‌：通过EN引脚控制设备的开启与关闭状态。

5. 设备功能模式

• ‌关断模式‌：EN引脚电压低于输入低阈值时，设备进入低IQ操作模式。
• ‌传导模式‌：包括正向调节模式、全导通模式和反向电流保护模式，根据ANODE至CATHODE电压自动调整。

6. 应用信息

• ‌典型应用‌：如12V电池保护应用，结合外部N沟道MOSFET和TVS二极管实现反向极性保护。
• ‌设计考虑‌：包括MOSFET选型、电荷泵电容、输入与输出电容的最小要求等。
• ‌布局指南‌：提供布局示例和布线建议，以确保最佳性能。

7. 文档与支持

• 提供数据手册、应用指南及相关文档。
• 可通过TI的E2E™支持论坛获取技术支持和解答疑问。

8. 封装与订购信息

• ‌封装类型‌：8引脚SOIC封装。
• ‌尺寸‌：5mm × 3.9mm。
• ‌订购信息‌：提供详细的订购指南和可选型号。

LM74700D-Q1凭借其宽输入范围、低损耗、快速响应及汽车级认证等特点，成为汽车及其他需要高可靠性反向极性保护应用的理想选择。