TPSM86325x 是一款简单易用、高效、高功率密度的同步降压模块,输入电压范围为 3V 至 17V,支持高达 3A 的连续电流。
TPSM86325x 采用 D-CAP3 控制模式来提供快速瞬态响应,并支持低 ESR 输出电容器,而无需外部补偿。该器件可支持高达 95% 的占空比作。
*附件:tpsm863257.pdf
TPSM863252 在 Eco 模式下运行,可在轻负载期间保持高效率。TPSM863257 在 FCCM 模式下运行,在所有负载条件下保持相同的频率和较低的输出纹波。TPSM863253 是具有 FCCM 模式的固定 3.3V 输出电压部件。TPS863253内部模块中集成了分压电阻器和前馈电容。该器件通过 OVP、OCP、UVLO、OTP 和 UVP 集成全面保护,带打嗝。
该器件采用 QFN 封装。结温的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
特性
- 针对广泛的应用进行配置
- 易于使用且设计尺寸小
- 轻负载时TPSM863252省油模式、TPSM863257 和 TPSM863253 FCCM 模式
- 快速瞬态 D-CAP3™ 控制模式
- 通过集成自举电容器和电感器轻松布局
- 支持使用预偏置输出电压启动
- 用于 OV、OT 和 UVLO 保护的非锁存
- 逐周期 OC 和 NOC 保护
- –40°C 至 125°C 工作结温
- 3.3mm × 4mm × 2mm QFN 封装
参数
方框图
1. 产品概述
- 产品系列:TPSM86325x
- 型号:TPSM863257
- 功能特点:
- 宽输入电压范围:3V to 17V
- 输出电压范围:0.6V to 5.5V
- 同步降压模块,最大输出电流3A
- 集成55mΩ和24mΩ MOSFETs
- 1.2MHz固定开关频率
- 高达95%的大占空比操作
- 快速瞬态响应的D-CAP3™控制模式
- 支持低ESR输出电容器,无需外部补偿
- FCCM模式,保持固定频率和较低的输出纹波
- 过压、过温、欠压锁定(UVLO)保护
- 非锁存保护机制
- 3.3mm × 4mm × 2mm QFN封装
2. 应用领域
3. 主要特性
- 高效率:通过D-CAP3控制模式和优化的MOSFET设计实现。
- 小尺寸设计:集成电感器和电容器,减少外部元件数量,节省PCB空间。
- 易于使用:WEBENCH® Power Designer支持自定义设计,简化设计流程。
- 高可靠性:全面的保护功能,包括过流保护(OCP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)等。
4. 功能描述
- D-CAP3控制模式:提供快速瞬态响应,支持低ESR输出电容器,无需外部补偿。
- FCCM模式:在轻载条件下保持固定开关频率和较低的输出纹波。
- 软启动:内部固定1.6ms软启动时间,避免启动时的电流冲击。
- 预偏置软启动:支持预偏置输出电压启动,确保平滑过渡到调节点。
- 保护功能:包括OVP、UVLO、OTP、循环逐周期过流保护(OC)和负过流保护(NOC)。
5. 电气特性
- 输入电压范围:3V to 17V
- 输出电压范围:0.6V to 5.5V
- 开关频率:约1.2MHz(可根据输出电压和占空比调整)
- 静态电流:100µA(无负载,非切换状态)
- 效率:高达95%(取决于输入电压、输出电压和负载条件)
- 软启动时间:1.6ms(内部固定)
- 过压保护阈值:110% to 120%标称输出电压
- 欠压锁定阈值:唤醒电压2.8V至3.0V,关断电压2.6V至2.8V
6. 典型应用
- 电路图:提供了详细的典型应用电路图,包括输入电容、输出电容、反馈电阻等的配置。
- 设计指南:建议使用推荐的外部组件值,或使用WEBENCH® Power Designer进行自定义设计。
7. 布局指导
- 输入和输出电容:应尽可能靠近设备放置,以最小化迹线阻抗。
- 反馈环路:应远离高压开关迹线,并使用地线屏蔽。
- 地线:输出电容与GND引脚之间的地线应尽可能宽,以最小化阻抗。
8. 封装与订购信息
- 封装类型:QFN-FCMOD RDX,7引脚
- 封装尺寸:3.3mm × 4.0mm × 2.0mm(最大高度)
- 订购信息:提供了TPSM863257的订购代码和包装选项。
9. 支持资源
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