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MAX9985双通道、SiGe、高线性度、700MHz至1000MHz下变频混频器技术手册

要长高 2025-03-31 10:22 次阅读
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概述
MAX9985高线性度、双通道下变频混频器具有约6dB增益、+28.5dBm IIP3和10.5dB噪声系数(NF),可理想用于分集接收机应用。该混频器具有700MHz至1000MHz RF频率范围和570MHz至865MHz LO频率范围,非常适合于低边LO注入接收结构。另外,较宽的频率范围使MAX9985非常适合GSM 850/950、2G/2.5G EDGE、WCDMA、cdma2000 ^®^ 和iDEN ^®^ 基站应用。

MAX9985双通道下变频混频器具有极高的集成度。MAX9985包括两个双平衡有源混频器内核、两个LO缓冲器、一个双输入LO选择开关和一对差分IF输出放大器。另外,RF和LO端集成的片内非平衡变压器允许器件接收单端RF输入和单端LO输入。MAX9985需要典型值为0dBm的LO驱动。电源电流可调整至400mA。

MAX9985提供36引脚、带裸焊盘的薄型QFN封装(6mm x 6mm)。在TC= -40°C至+100°C扩展级温度范围内可保证其电气性能。
数据表:*附件:MAX9985双通道、SiGe、高线性度、700MHz至1000MHz下变频混频器技术手册.pdf

应用

  • 850MHz WCDMA基站
  • cdmaOne™与cdma2000®基站
  • 数字与扩频通信系统
  • 固定宽带无线接入
  • GSM 850/GSM 950、2G/2.5G EDGE基站
  • iDEN®基站
  • 微波链路
  • 军用系统
  • 个人移动无线装置
  • 无线本地环路
    特性
  • 700MHz至1000MHz RF频率范围
  • 570MHz至865MHz LO频率范围
  • 50MHz至250MHz IF频率范围
  • 6dB (典型值)变频增益
  • 10.5dB (典型值)噪声系数
  • +28.5dBm (典型值)输入IP3
  • +16.2dBm (典型值)输入1dB压缩点
  • PRF = -10dBm时,具有77dBc的2RF-2LO杂散抑制
  • 双通道非常适合分集接收机应用
  • 47dB (典型值)通道隔离度
  • -3dBm至+3dBm的LO驱动
  • 内置LO缓冲器
  • 内置RF和LO非平衡变压器,用于单端输入
  • 内置SPDT LO开关,LO1至LO2隔离度为43dB,开关时间为50ns
  • 与MAX9995 1700MHz至2200MHz混频器引脚兼容
  • 提供无铅(Pb)封装

典型操作特性
image.png

引脚描述
image.png
详细说明

MAX9985 是一款双通道下变频器,旨在提供 6dB 的变频增益、+28.5dBm 的输入三阶交调截点(IIP3)、+16.2dBm 的 1dB 输入压缩点以及 10.5dB 的噪声系数。

为实现高线性度性能,MAX9985 采用了高水平的元件集成。该器件集成了两个双平衡混频器,用于双通道下变频。主通道和分集通道均包含一个巴伦和匹配电路,以实现 50Ω 单端接口,用于射频端口和两个本振端口。集成的单刀双掷(SPDT)开关在本振输入之间提供 50ns 的切换时间,本振到本振的隔离度为 43dB,射频端口的本振泄漏为 -40dBm。此外,集成的本振缓冲器在混频器核心处提供高驱动电平,将 MAX9985 输入所需的本振驱动降低至 -3dBm 至 +3dBm 范围。两个通道的中频端口均为差分输出,非常适合增强 IP2 性能的下变频应用。

双通道下变频器使 MAX9985 成为分集接收应用的理想选择。在 850/950 频段、2/2.5G EDGE、WCDMA、cdma2000 和 iDEN 基站的宽频率范围内,均保证有相应规格。MAX9985 可在 700MHz 至 1000MHz 射频频率范围、570MHz 至 865MHz 本振频率范围以及 50MHz 至 250MHz 中频频率范围内工作(外部中频元件设置下限频率范围,详见“典型工作特性”)。
射频端口和巴伦

主通道和分集通道的射频输入端口在内部均匹配至 50Ω,无需外部匹配元件。需要一个隔直电容,因为输入在内部通过片上巴伦接地短路。在 700MHz 至 1000MHz 整个射频频率范围内,射频端口回波损耗通常优于 15dB。
本振输入、缓冲器和巴伦

MAX9985 针对 570MHz 至 865MHz 的本振频率范围进行了优化。作为一项附加功能,MAX9985 集成了一个内部 SPDT 开关,用于跳频应用。该开关可在两个单端本振端口之间进行选择,使外部振荡器在切换前能够稳定在特定频率上。本振切换时间通常小于 50ns,在未使用跳频功能的情况下,这在几乎所有 GSM 应用中都足够快。开关由数字输入 LOSEL 控制:逻辑高电平选择 LO1,逻辑低电平选择 LO2。LO1 和 LO2 输入在内部匹配至 50Ω,仅需一个 82pF 的隔直电容。为避免对 Vcc 造成损坏,在施加数字逻辑之前,必须先将电压施加到 LOSEL。或者,也可以在 LOSEL 之前串联一个 1kΩ 的电阻,以限制应用中 LOSEL 至 Vcc 之间的输入电流。

主通道和分集通道集成了一个两级本振缓冲器,可实现宽范围的本振输入功率。片上低损耗巴伦,连同本振缓冲器,驱动双平衡混频器。从本振输入到中频输出的所有互连和匹配元件均在片上集成。

高线性度混频器

MAX9985 双通道下变频器的核心由一对双平衡高性能无源混频器组成。片上本振缓冲器的大摆幅提供了卓越的线性度。与集成中频放大器相结合,级联的三阶交调截点、2LO - 2RF 抑制和噪声系数性能通常分别为 +28.5dBm、77dBc 和 10.5dB。
差分中频

MAX9985 的中频频率范围为 50MHz 至 250MHz,低端频率取决于外部中频元件的频率响应。请注意,这些差分端口对于增强 IP2 性能非常理想。单端中频应用需要一个 4:1(阻抗比)巴伦,将 200Ω 差分阻抗转换为 50Ω 单端阻抗。包含巴伦时,回波损耗通常优于 20dB。用户可以使用差分中频放大器,但如果同时使用直流偏置,则需要在 IFD + /IFD - 和 IFM + /IFM - 端口使用隔直电容,以防止外部直流进入混频器的中频端口。
应用信息
输入和输出匹配

射频和本振输入在内部匹配至 50Ω,无需匹配元件。射频端口回波损耗通常优于 15dB。整个射频和本振频率范围内,回波损耗通常优于 25dB。射频和本振输入仅需隔直电容进行接口连接。

中频输出阻抗为 200Ω(差分)。为进行评估,需要一个外部低损耗 4:1(阻抗比)巴伦,将此阻抗转换为 50Ω 单端输出(详见典型应用电路)。
典型应用电路
image.png

引脚配置/功能图
image.png

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