概述
LTC5576 是一款高线性度有源混频器,专为那些要求非常宽输入带宽、低失真和低 LO 泄漏的上变频应用而优化。 集成型输出变压器虽专为 4GHz 至 6GHz 应用而优化,但也可容易地针对低至 3GHz 或高达 8GHz 的输出频率进行再调谐,而性能仅有轻微的下降。 输入专为使用 1:1 传输线平衡-不平衡变压器而优化,因而实现了非常宽带的阻抗匹配。
LO 输入端口为单端,且只需要 0dBm 的 LO 功率来实现卓越的失真和噪声性能,同时还降低了电路要求。 LTC5576 可提供低 LO 泄漏,从而降低了采用输出滤波以满足 LO 抑制要求的需要。
LTC5576 专为 5V 电源而优化,但也可采用一个 3.3V 电源 (性能略有下降)。 使能功能可容易地实现器件的停机以进一步节省功率。
数据表:*附件:LTC5576 3GHz至8GHz高线性度有源上变频混频器技术手册.pdf
应用
- 宽带发送器
- 4G 和 5G 无线基础设施
- 固定无线接入设备
- 无线直放站
特性
- 25dBm OIP3
- –0.6dB 转换增益
- 在 5.8GHz 时噪声指数为 14.1dB
- –154dBm/Hz 输出噪声层
- 低 LO-RF 泄漏
- 0dBm LO 驱动
- 宽带 50Ω 匹配输入
- 高输入 P1dB:在 5V 时为 10dBm
- 5V 或 3.3V 电源 (在 99mA)
- 单端输出和 LO 输入
- 使能引脚
- –40°C 至 105°C 工作温度 (T
C) - 16 引脚 (4mm x 4mm) QFN 封装
典型应用
引脚配置
引脚功能
- TEMP(引脚1) :温度监测引脚。该引脚通过一个30Ω的电阻连接到一个二极管的阳极。通过向该引脚注入电流并测量其两端的电压,可用于测量芯片温度。
- IN+,IN-(引脚2和3) :差分信号输入引脚。为实现最佳性能,应向这些引脚输入差分信号。也可以单端驱动输入,但性能会有所下降。将未使用的引脚通过电容连接到射频接地层,可降低性能损失。这些引脚内部有1.6V的直流偏置电压,因此需要隔直电容。
- LGND(引脚4) :输入放大器的直流接地返回引脚。该引脚必须连接到良好的直流和射频接地层。该引脚的典型电流为64mA。在某些应用中,可能会使用一个外部芯片电感,但任何直流电阻都会降低混频器核心的电流,从而可能影响性能。
- EN(引脚5) :使能引脚。当施加在该引脚上的电压大于1.8V时,芯片启用;施加小于0.5V的电压时,芯片禁用。如果该引脚悬空,内部的300kΩ电阻会将其拉低。
- VCC(引脚6、7) :电源引脚。这两个引脚应连接在一起,然后连接到印刷电路板上的电源,并进行适当的旁路处理。在靠近芯片处放置一个10nF的电容。(有关更多信息,请参阅“自动电源电压检测”和“电源电压斜坡上升”部分)。
- IADJ(引脚8) :偏置电流调节引脚。该引脚可通过在外部连接一个下拉电阻来调节内部混频器的电流。该引脚上的典型直流电压为1.8V。如果不使用该引脚,应使其悬空。
- GND(引脚9、11、12、13、14、17(外露焊盘)) :接地引脚。这些引脚必须焊接到射频接地层上。封装的外露焊盘可提供与接地层的电气连接,并有助于良好的散热。
- OUT(引脚10) :单端输出引脚。该引脚内部连接到一个单端变压器输出端。不需要向该引脚施加直流电压。外部连接可能需要进行阻抗匹配。
- LO(引脚15) :单端本振输入引脚。该引脚在很宽的频率范围内进行了阻抗匹配。其内部偏置电压为1.7V,因此需要隔直电容。
- TP(引脚16) :测试引脚。该引脚仅用于生产测试,必须连接到接地层。
框图
LTC5576采用高性能的本振(LO)缓冲放大器驱动双平衡混频器核心,以实现高线性度的频率转换。混频器输入级采用差分共发射极结构,可实现非常宽频带的输入匹配。关于其功能框图和引脚功能的更多详细信息,请参见相关章节。LTC5576主要用于上变频器应用,不过,由于其宽带输入能力,它也可用作下变频器。
图1中的测试电路原理图展示了用于芯片特性分析的外部元件参数。评估板布局如图2所示。为了针对不同应用优化性能,可能会使用额外的元件。
单端LO端口在很宽的频率范围内进行了阻抗匹配,便于使用。可采用低侧或高侧LO注入,但可能需要相应调整R1的阻值以获得最佳性能。该芯片在混频器输出端集成了一个内部射频巴伦,因此输出为单端信号。需要外部元件来优化所需频率范围内的阻抗匹配。
输入端口
混频器输入路径的简化原理图如图3所示。IN+和IN-引脚驱动输入晶体管的基极,内部的阻容(R-C)网络用于实现1.6V的共模电压,因此需要外部隔直电容C1和C2。小电容值的C3可用于扩展对更高频率的阻抗匹配。1:1的变压器用于实现单端到差分的信号转换,以获得最佳性能。

也可以通过驱动一个输入引脚,并将未使用的输入引脚通过电容连接到射频地,来实现单端工作模式。不过,性能会有所下降,但在较低频率下可能是可以接受的。
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