UCD74111 是一个多芯片模块,集成了一个驱动器器件和两个 NexFET 功率 MOSFET 采用热增强型紧凑型 5 mm × 7 mm QFN 封装。15A 输出电流能力使 该器件适合为 DSP 和 ASIC 供电。该器件旨在补充数字或 模拟 PWM 控制器。驱动器件的 PWM 输入兼容 3 态。两名司机 电路为高侧 N 沟道 FET 开关提供高充电和放电电流,而 同步降压转换器中的低侧 N 沟道 FET 同步整流器。
*附件:ucd74111 大电流、同步降压功率级数据表.pdf
一种精密电流感应放大器,用于处理 外部电流检测元件测量和监控输出电流。上的 PWM 控制器 IMON 引脚可以使用这个放大的信号。板载比较器监控 高压侧开关和外部电流感应元件两端的电压,以保护电源 阶段。用于高侧比较器的单个电阻器将 消隐延迟。此延迟可防止与 switch edge noise 相吻合的 false 报告。在 发生高侧故障或过流故障时,高侧 FET 关闭,故障 flag (FLT) 断言以提醒 PWM 控制器。
特性
- 集成同步降压驱动器和 NexFET 功率 MOSFET 技术,实现高功率密度和高效率
- DSP 和 ASIC 的 15A 输出电流能力
- 4.7V 至 14V 输入电压范围
- 工作开关频率高达 2MHz
- 内置高侧电流保护
- 用于过流保护和输出电流监控的 DCR 电流感应
- 电压与负载电流监控器输出成正比
- 用于功率级关断的三态 PWM 输入
- UVLO 内务处理电路
- 集成热关断
- 40 引脚、5 mm x 7 mm、PQFN PowerStack 封装
参数
方框图
一、产品概述
- 产品名称:UCD74111
- 制造商:Texas Instruments
- 类型:大电流、同步降压功率级
- 特点:集成同步降压驱动器和NexFET™功率MOSFET,适用于高功率密度和高效率应用,如DSP和ASIC供电。
二、主要特性
- 输出电流能力:15A
- 输入电压范围:4.7V至14V
- 开关频率:高达2MHz
- 保护功能:
- 高侧电流保护
- 过流保护
- 短路保护
- 欠压锁定(UVLO)
- 热关断
- 监控功能:
- 输出电流监测
- 故障标志(FLT)输出
- 封装:40引脚PQFN(5mm x 7mm)
三、电气特性
- 工作结温范围:-40°C至125°C
- VGG输出电压:6.4V(典型值)
- UVLO阈值:
- 开启电压:4.4V至4.6V
- 关闭电压:4.1V至4.3V
- 迟滞电压:80mV
- 输入电流(非切换状态) :8mA至10mA(典型值)
- 故障检测时间:约350ns至475ns
- 过流阈值(高侧FET) :30A(典型值)
四、功能描述
- 同步降压转换:集成高侧和低侧N沟道MOSFET,实现同步整流,提高效率。
- 电流监测:通过精密电流感应放大器监测输出电流,并提供IMON引脚输出。
- 故障保护:
- 过流保护:监测高侧和低侧电流,防止过流损坏。
- 短路保护:快速响应短路条件,保护电路。
- 热关断:当结温超过设定阈值时,自动关断功率级。
- UVLO保护:确保VGG电压在安全范围内,避免低电压启动损坏。
- 三态PWM输入:支持PWM输入的三态模式,用于功率级关断。
- 模式选择:支持同步模式和独立模式,通过SRE_MD引脚选择。
五、应用与实现
- 应用领域:
- 设计要点:
六、封装与供货信息
- 封装类型:40引脚PQFN(5mm x 7mm)
- 供货状态:活跃生产
七、其他信息
- 热阻:θJA = 28.9°C/W(PQFN封装)
- 开发支持:提供设计资源和工具,简化电源设计流程。
- 安全警示:在存储或处理过程中,应采取措施防止静电损坏MOS栅极。
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UCD74111 高电流、同步降压功率级
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