瞬态分流抑制器（TDS）优势5—低漏电特性

在涉及浪涌防护时，传统瞬态电压抑制二极管（TVS）具有成本低廉和应用方便等特点，工程师通常会将其作为热门选择。然而传统TVS存在不可忽视的缺点，从而导致系统设计面临挑战，例如TVS二极管的特性对温度变化敏感、钳位电压特性低效以及封装体积大,导致需要对受保护电路进行过度设计。为了产品在恶劣环境中运行维持更长的使用寿命，因此必须开发更为可靠的浪涌保护解决方案。

湖南静芯突破浪涌控制（SurgeControl）技术，推出瞬态分流抑制器（TransientDivertingSuppressors，简称TDS）产品系列，用来保护电路的静电放电ESD（Electro-Static Discharge）和电气过压EOS（Electrical Over Stress）。TDS与传统TVS二极管的结构以及工作机理不同，其不再基于传统的PN结作为击穿机制与浪涌电流泄放路径。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。

由于采用内置额定浪涌场效应晶体管泄放瞬态浪涌电流，其漏电流约为皮安（pA）量级。相比于传统TVS二极管中PN结的微安（uA）级反向漏电流明显降低。当漏电流流过输入保护电阻、采样电阻或源阻抗时会产生显著的误差，尤其是对前端传感器信号读出电路的精度将产生严重误差。图1比较了传统TVS二极管与TDS在不同VRWM下的漏电流。湖南静芯推出的TDS器件由于工艺变化小、稳定性高，因此可以在全工作电压以及全温度范围内保证低漏电，而传统TVS二极管难以保证漏电流小于1µA。在高温下，传统TVS二极管的漏电甚至接近1mA，这会显著影响信号完整性并导致功率系统的效率降低。

图1 TDS系列与传统TVS二极管VRWM vs.最大漏电流

静芯公司推出的系列TDS芯片具有接近理想状况的ESD和EOS保护特性，可以广泛应用于USB/雷电接口、工业机器人、IO-Link接口、工业传感器、IIoT设备、可编程逻辑控制器(PLC)和以太网供电(PoE)等领域，可为系统提供更全面以及更可靠的保护。目前公司推出来ESTVS2200DRVR、ESTDS2211P、ESTVS3300DRVR、ESTDS3311P等封装型号，欢迎客户前来咨询选购。

湖南静芯是一家专门从事高可靠性器件与芯片设计的高新技术企业，为客户提供面向汽车、工业、物联网等高可靠性传感器及相关芯片、半导体器件和应用系统等产品和服务。

审核编辑 黄宇